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本文从电感的基本模型出发,提出了方形平面电感的等效电路模型,分析了电感的基本特性,并得出了等效电路中电感计算的数学公式;其次,通过MATLAB画出了等效电路中电感特性随频率变化的曲线图,同时利用三维电磁仿真软件HFSS验证了等效电路模型的正确性;最后讨论了基于LTCC工艺的平面电感的特性及其参数变化对电感特性的影响. 相似文献
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A novel analytical model of pinch-off voltage for CMOS image pixels with a pinned photodiode structure is proposed. The derived model takes account of the gradient doping distributions in the N buried layer due to the impurity compensation formed by manufacturing processes; the impurity distribution characteristics of two boundary PN junctions located in the region for particular spectrum response of a pinned photodiode are quantitative analyzed. By solving Poisson's equation in vertical barrier regions, the relationships between the pinch-off voltage and the corresponding process parameters such as peak doping concentration, N type width and doping concentration gradient of the N buried layer are established. Test results have shown that the derived model features the variations of the pinch-off voltage versus the process implant conditions more accurately than the traditional model. The research conclusions in this paper provide theoretical evidence for evaluating the pinch-off voltage design. 相似文献
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为了更全面、系统地分析Si基Pinned型光电二极管(PPD,pinned photodiode)量子效率的工艺敏感特性,基于考虑表面(SRH,shockley-read -hall)复合率模型的时域有限差分数值模拟方法,对不同P+型表面层和P型外延(EPI,e pi taxial)层工艺条件下PPD可见光谱量子效率的变化特征及物理机制进行了研究。结果表明 ,P+型表面层离子束注入剂量和注入能量的增加分别引起非平衡载流子SRH复合率升高和 PPD势垒区顶部下移,均可导致低于500nm波段量子效率的衰减,而 后者进一步引起的势垒区纵向宽度缩 减使该影响可持续至650nm波段;P型EPI掺杂浓度增加引起PPD势垒 区底部上移,导致500~750nm 波段量子效率的衰减;P型EPI厚度增加引起衬底强SRH复合区光电荷比重降低,导致高于700 nm波段量 子效率得到提升并趋向饱和。通过分析发现,Si基材料中光子吸收深度对波长的强依赖关系 是导致两种P型 掺杂区工艺条件对量子效率存在波段差异性影响的根本原因。 相似文献
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基于TCAD(TechnologyComputerAidedDesign)仿真软件,通过对带有不同宽度保护环的130nto体硅PMOS器件进行单粒子辐照仿真,研究了保护环结构对深亚微米器件因单粒子辐照所产生的寄生双极效应.仿真结果表明,保护环结构能够大幅缩短器件SET(SingleEventTransient)电流的脉冲宽度,有效抑制寄生双极电荷收集,这种抑制作用随着保护环宽度增加而增强,最终趋于稳定.通过对加固器件的面积和抗辐射性能的折衷考虑,改进了保护环结构,并以宽度为0.38μm的保护环为例,证明了改进后的结构能够在保证器件抗单粒子性能及电学特性,同时节省29.4%的面积. 相似文献