军用元器件金属外壳镀层质量评价

国产军用电子元器件金属外壳经过镀层测试、耐湿试验，烧结前、后键合拉力试验，可焊性试验，反映出由于金属外壳镀层质量不合格而导致其耐蚀性能及健合拉力不到要求，通过研究采用防锈涂覆的方法，使不合格镀层的金属外壳增强了耐蚀能力，并选定了一个适合我所工艺生产能力的镀金层范围，以保证键合应力值符合GJB548A要求。     

关于卡片式移动台执照的创新探讨

0前言1992年,原国家无线电管理委员会发布执照管理规定,全国统一样式、统一印制、统一使用。在20多年的无线电管理工作中,无线电台执照作为依法使用无线电设备的凭证,对于加强无线电管理、规范行政行为、保护合法台站正常工作,发挥了重要作用。但随着科技发展和社会进步,     

多注速调管TM410 模同轴输出腔的研究

研究了多注速调管TM₄₁₀ 模同轴输出腔中出现的外观品质因数高,模式频率间隔小以及工作模式场分布的均匀性差等问题,提出了一种设置短路杆和金属环的输出腔结构,从而改善了TM₄₁₀ 模输出腔上述三个方面的性能。通过分析发现,适当设置短路杆和重入环不仅可以使外观品质因数降低,还可以改善工作模式的场分布;设置重入环还可以增大工作模式和邻近模式的频率间隔。利用CST-MWS 软件,对X 波段具有短路杆和金属环的多注速调管TM₄₁₀模同轴输出腔进行了模拟计算,其工作模式（TM₄₁₀模）的外观品质因数降低了42.7%（从540.4 降至309.6）,TM₄₁₀ 模与邻近模式的频率间隔均达到了1.3 GHz 以上,工作模式的场分布也变得均匀。     

用于小型化单芯光缆的Kevlar AP增强纤维

FTTH网络的不断扩大,将会需要轻便、具有更高机械性能和更好灵活性的室内光缆（单芯光缆）。针对小型化单芯光缆对增强材料的性能要求,杜邦公司近期推出了Kevlar纤维的高性能产品系列（Kevlar Advanced Performance,简称Kevlar AP）,其比Kevlar K29纤维具有更高的弹性模量和抗拉强度。通过理论估算和光缆样品的测试,分析了Kevlar AP纤维在单芯光缆小型化上的技术优势,使线缆设计者可利用KevlarAP纤维的高弹性模量达到最佳的光缆增强效果。     

基于Zigbee和电容触控技术的灯光控制开关设计

为了满足家居智能化和网络化的发展需求,提出了一种基于Zigbee和电容触控技术的灯光控制器的设计方案,并完成了系统设计。重点描述了系统的电源驱动电路、触摸感应电路以及CC2530片上系统的实现。实际应用表明,该系统具有安全可靠、操控精准、组网方便的特点,达到了设计要求。     

外电场中1,4-二硝基咪唑-N-氧化物感度的理论研究

为探明外电场中炸药感度的变化规律,借助B3LYP/6-311++G(2d,p)和M06-2X/6-311++G(2d,p)理论方法,研究了外电场方向和强度的变化对1,4-二硝基咪唑-N-氧化物(1,4-DNIO)炸药潜在引发键的键长、硝基电荷、键离解能及撞击感度、静电火花感度和冲击起爆压力的影响。结果表明,在无电场和外电场作用下,N─NO2是最可能的引发键,其次是N→O,最后是C─NO2键。沿N→O、C─NO2键轴正方向和N─NO2负方向的外电场使N→O和C─NO2键离解能减小、N─NO2键离解能增大、H50增大、撞击感度降低;与上述反方向的外电场对引发键强度和撞击感度的影响正好相反。引发键键长、AIM电子密度、硝基电荷、键离解能和H50的变化量分别与外电场强度之间呈良好的线性关系,大多数情况下,相关系数R2>0.9500。外电场对电火花感度和冲击起爆压力的影响不大,外电场由-0.010 a.u.变化到0.010 a.u.,变化值分别小于0.5 J和0.15 MPa。     

基于滚动随机预测控制的逼近制导律设计

针对具有有界干扰的随机离散系统,通过构造闭合随机预测代价函数,利用随机极小值原理,推导了一种迭代形式的有限时域滚动反馈预测控制律,通过连续逼近方法给出了连续形式预测控制律算法,将该连续形式的预测控制算法应用于导弹制导律设计中,为了避免边值及计算量问题,推导了一种逼近预测制导律.仿真结果表明,该制导律具有弹道预测的特点,与比例导引律及增广比例导引律相比较,弹道终段过载较小.     

一种大容量异步FIFO的设计与实现

针对判断FIFO将空和将满两个状态位的难点,提出一种阈值可以由使用者改变的可编程判断方法.以内部RAM容量为16 kB的FIFO的设计为例,基于FIFO的一般结构,介绍了产生RAM地址指针的方式,分析了添加1位指针附加位以判断FIFO状态的方法.电路基于0.18μmCMOS工艺实现.仿真结果表明,这种状态判断方法可以快速、准确地判断出FIFO的状态,FIFO的最快读写频率可达160 MHz.     

有源干扰条件下机载MIMO雷达STAP协方差矩阵秩的分析

该文分析了正侧阵机载MIMO雷达杂波加有源干扰协方差矩阵的结构,得到杂波加有源干扰协方差矩阵秩的上界为杂波的秩与有源干扰的秩之和减去有源干扰个数。并由此得到MIMO雷达杂波加有源干扰协方差矩阵非满秩而SIMO雷达杂波加有源干扰协方差矩阵满秩时有源干扰个数的范围。当有源干扰的数目在此范围时,SIMO雷达的理论性能严重下降,而MIMO雷达在理论上仍然有足够的自由度来抑制杂波和有源干扰,从而保证有较好的性能。通过仿真实验验证了上述结论。     

CMOS锁相环电路

本文论述了一种CMOS的数字频率变换锁相环电路,内部由电流控制延迟单元和施密特整形电路组成的压控振荡器、鉴频鉴相器、电荷泵滤波器及分频电路组成.文中从原理及实用设计的角度给出了论述,着重讨论了系统的稳定性、收敛速度与稳态误差.