IT基础设施融合管理的创新与实践

立足上海移动IT支撑系统的建设和运营,针对基础资源投资高、运营成本高、系统利用率不均衡、满足业务需求周期长等痛点,研究并实践利用云计算相关技术,实现跨域资源融合建设的技术转型,并配套完成IT的开发、维护分层运营的组织变革,有效实现IT基础设施降本增效,大幅提升IT的支撑能力.     

异步取样在光数字信号监测中的应用

报道了2．5Gb／s光数字信号的异步取样实验,并通过软同步算法,得到了待测光数字信号眼图、Q值和误码率（BER）,实验结果与采用高速示波器测量的结果较为一致。通过异步取样结合数据的软同步算法,具有实现更高速率光数字信号在线监测的潜力。     

La掺杂对BLT薄膜微观结构与性能的影响

采用sol-gel工艺低温制备了Si基Bi4–xLaxTi3O12(BLT)铁电薄膜。研究了La掺杂量对薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响。结果表明,600～650℃退火处理的BLT薄膜表面平整无裂纹,晶粒均匀,无焦绿石相或其它杂相,薄膜为多晶生长;La掺杂量x在0.5～0.85的BLT薄膜介电与铁电性能优良,其εr和tanδ分别介于284～289和(1.57～1.63)×10–2,4V偏压下薄膜的漏电流密度低于10–8A/cm2,Pr可达(13.0～17.5)×10–6C/cm2,Ec低至(102.5～127.8)×103V/cm。     

高斯光束微圆孔衍射的“再现”与“自再现”研究

由基尔霍夫衍射公式得到高斯光束微圆孔衍射的积分式,导出一种解析算式,分析并模拟了高斯光束微圆孔衍射的“再现”与“自再现”,有利于在激光工程、微光学以及微光机电中对激光束的传输变换和调控.     

800 V SOI介质隔离技术研究

高低压隔离是SOI(Silicon-on-Insulator)高压功率集成电路的关键问题之一。文章对SOI介质隔离问题进行了深入研究。通过理论分析和数值仿真,探讨其耐压机理,并对结构参数进行了优化;设计了包含低淀氮化硅、化学机械抛光(CMP)等关键步骤的新的SOI介质隔离工艺流程。实验结果表明,在膜厚为20μm的SOI上,可以实现击穿电压800 V以上的介质隔离结构。     

基于估计方法的CMOS图像传感器列固定模式噪声校正方法

CMOS图像传感器的列固定模式噪声对图像质量的影响非常严重。在分析CMOS图像传感器固定模式噪声产生机理、噪声特性以及其在输出图像中的表现的基础上,提出了一种针对CMOS图像传感器中列固定模式噪声的校正方法。该方法利用CMOS图像采集系统对积分球发出的均匀平行光束进行多次采样并建模来对列固定模式噪声进行估计,然后将估计结果应用于CMOS图像硬件采集系统进行列固定模式噪声的校正,固定模式噪声的校正在FPGA中使用查找表方法实现。实验结果表明该方法可以有效消除列固定模式噪声,改善图像质量。     

基于无线局域网的信号检测算法实现

实现了针对WLAN（IEEE802.11）系统的信号检测算法.根据突发传输的特性,一套简单有效的信号检测算法是硬件实现所必需的.通过分析比较几种信号检测算法,在基于IEEE802.11a帧前的短训练符号和IEEE802.11b的长前导码和短前导码部分做以算法分析,以蒙特卡罗分析结果来评估其效能,选取适合硬件实现算法以FPGA实现.     

一种基于MobiCast的移动IP组播方案

本文提出一种改进的MobiCast方案来实现移动IP组播通信,主要解决MobiCast方案中进行区域间切换时组播数据包丢失问题。与MobiCast方案相比,在区域外地代理(DomainForeignAgent,DFA)处引入一种缓存的机制。当移动节点发生区域间切换时,移动节点的旧区域外地代理采用隧道技术,将移动节点的信息和缓存的组播数据包发送给移动节点的新区域外地代理处,减少移动节点进行区域间切换时丢失的组播数据包。     

高速Viterbi译码器的FPGA实现

提出了一种高速Viterbi译码器的FPGA实现方案。该译码器采用全并行结构的加比选模块和寄存器交换法以提高速度,并且利用大数判决准则和对译码器各个部分的优化设计,减少了硬件消耗。译码器的最高输出数据速率可以达到90Mbps。译码器的性能仿真和FDGA实现验证了该方案的可行性。     

Bi4Ti3O12栅Si基铁电场效应晶体管特性研究

采用溶胶 -凝胶工艺制备了 Si基 Ag/Bi4 Ti3O1 2 栅铁电场效应晶体管。研究了 Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜厚度、栅宽 /长比等器件结构参数对性能的影响。研究表明 :铁电场效应晶体管的阈值电压、击穿场强和剩余极化等并不随 Bi4 Ti3O1 2 薄膜厚度的增加而线性变化 ,跨导和漏 -源电流在不同的栅宽 /长比范围变化趋势不同 ,当Bi4 Ti3O1 2 厚度为 2 0 0～ 40 0 nm、Wg/Lg 取 1～ 2时 ,器件可获得较好的综合性能 ,不同栅压变化过程的 Isd-Vsd特性曲线并不重合 ,表明该器件具有源于铁电薄膜极化的场效应特性。