三轴卫星天线降低能耗研究

针对三轴遥感卫星天线用户任务逐渐增多,消耗的能源越来越多的现状,简要介绍了天线控制系统的功能和组成。以功耗测试数据为依据,分析了三轴遥感卫星天线的能耗情况,从缩短天线闭环等待时间、第三轴下电抱闸等方面讨论了降低功耗策略和措施,并提出一种智能化力矩偏置控制的设计,通过智能力偏设置电路去除力矩偏置值,有效控制和降低设备的能耗。     

碎石挤密桩处理可液化地基

用碎石挤密桩处理可液化地基已逐渐应用,实践证明,采用碎石桩处理可液化地基,除可提高地基的承载力外,还可有效地消除液化,因而碎石桩的应用越来越广泛。1 对可液化地基的分析饱和砂土地基,由于砂土的孔隙中含有大量水分,地震时水分不能及时排出,引起孔隙水压力上升,使砂土处于离散状态,即产生液化,从而使土丧     

Relation of Deposition Condition with Microstructure of YBCO Film and YSZ Buffer Layer on Metallic Substrate

ＲｅｌａｔｉｏｎｏｆＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎＣｏｎｄｉｔｉｏｎｗｉｔｈＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆＹＢＣＯＦｉｌｍａｎｄＹＳＺＢｕｆｅｒＬａｙｅｒｏｎＭｅｔａｌｉｃＳｕｂｓｔｒａｔｅＷａｎｇＪｉｎｇ,ＬｉｕＡｎｓｈｅｎｇ,ＳｈｉＤｏｎｇｑｉ,Ｗａｎ...     

氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察

采用高压电子显微镜（ＨＶＥＭ）的原位观察技术,在１ＭＶ加速电压和室温至６５０℃加热条件下,观察了氢离子注入硅片中缺陷层的变化。在５００℃以下,氢离子注入缺陷层基本没有变化,在６５０℃保温时,缺陷的密度逐渐降低,样品中薄区域部分的缺陷在保温２０ｍｉｎ后消失,而厚区域部分在保温４０ｍｉｎ后仍存有部分缺陷,说明缺陷的变化与样品厚度有关。用氢的扩散理论讨论了这一现象,提出氢可能是以Ｈ２分子的形式扩散的     

浅谈质量体系认证与企业档案管理的关系

简述企业如何通过质量体系认证工作促进其档案管理及两者的关系     

电极表面修饰和添加剂对高功率Ni-MH电池性能的影响

对Ni-MH电池正负极片修饰技术进行了研究。结果表明：该方法可增强电极的导电性,降低电池的内阻,提高电池的充放电效率和大电流放电能力,改善了电极的电化学性能。利用极片修饰技术制备的高功率D型Ni-MH的比功率和循环寿命均有提高。在电解液中,添加微量添加剂nT明显降低电池充电后期的内压,提高电池的充电功率和循环寿命。     

规范窗口接待是消防工作的发展方向

1995年底,我市公安系统响应党中央号召,实行接待群众办事窗口服务一条龙制度,消防部门也在总队机关和各分、县局防火监督处两级机关设立了接待窗口,总队政治部门还组织制订了《上海市消防局政务十公开》。经过近四年的不断改进与完善,消防接待窗口在实践中形成了一套自成体系的规范化的接待程序和要求,已成为消防工作一个重要方面。需要说明一点,由于消防工作分为灭火和防火两部分,对社会行使管理权力,履行管理职责的除司令部战训处对社区申请使用消火栓进行审批管理外,其他均属防火部门业务范围,放在此讨论窗口接待与消防工作的…     

边坡不稳定先兆分析系统

为了及时分析预报大型边坡的稳定状况,建立了可以由现场设计、施工、监测人员和其他专家参与的边坡不稳定先兆分析系统,该系统采用面向对象的程序设计方法,突出 根据现场专家对实测数据的分析和当地经验的总结进行动态分析特点,具有测占先兆分析、项目先兆分析和边坡整体先兆分析等功能。     

2024A铝合金高温流变行为及本构关系研究

采用Gleeble-3500热模拟试验机对2024A铝合金进行等温热轧,对其高温流变行为进行了研究。通过试验获得2024A铝合金在温度为300~450℃、应变速率为0.01~10s-1时的真应力-真应变曲线。结果表明,2024A铝合金的流变应力与温度、应变速率和变形量之间呈非线性关系,流变应力随着应变速率增大而升高,随着变形温度的升高而降低。基于试验数据,分别建立考虑应变补偿的Arrhenius和修正的Johnson-Cook(M-JC)本构模型,引入统计学方法对模型精度进行量化评估:Arrhenius模型的平均相对误差和均方根误差分别为5.02%和5.88MPa,M-JC模型的平均相对误差和均方根误差分别为3.72%和5.27MPa,可见M-JC模型预测精度优于Arrhenius模型,说明M-JC模型能更为准确地描述2024A铝合金的高温轧制过程中的流变行为。     

用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料

利用减压化学气相沉积技术,制备出应变Si/弛豫Si0.9Ge01/渐变组分弛豫SiGe/Si衬底.通过控制组分渐变SiGe过渡层的组分梯度和适当优化弛豫SiGe层的外延生长工艺,有效地降低了表面粗糙度和位错密度.与Ge组分突变相比,采用线性渐变组分后,应变硅材料表面粗糙度从3.07nm减小到0.75nm,位错密度约为5×104 cm-2,表面应变硅层应变度约为0.45%.