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31.
王飚  林少军  柯吉 《微电机》2021,(7):66-72+112
针对传统滑模观测器的抖振现象严重、估计精度低等问题,提出了一种带有二阶滑模观测器的内嵌式永磁同步电机改进型PID控制方案。根据Super twisting algorithm设计了二阶滑模观测器,取消了传统滑模观测器方案中的低通滤波器与位置补偿环节,有效抑制了滑模抖振,提高了估计精度。为了进一步改善系统的动态性能,基于牛顿插值法构造了一种具有滤波功能的离散微分器并利用三点离散微分器代替传统微分设计了转速环改进型PID控制器。仿真验证了该方案能够有效抑制抖振现象,估计精度高,稳态性能与动态性能较好。  相似文献   
32.
在不锈钢水轮机母材上,用周期反相电镀稀土铬,镀层厚度约0.3mm,镀层由金属基相和稀土盐颗粒第二相组成,硬度为900Hv—1000Hv。阳极极化曲线测量表明:镀层的腐蚀阻力为母材的7—8倍.在模拟式小水轮机上考核,镀层的抗磨蚀性为母材的25—28倍,为离子氮化不锈钢的10--12倍。在水电生产中应用,电镀水轮机的工作寿命比原不锈钢高2—6倍。  相似文献   
33.
基于386EX的STD总线嵌入式工业控制机   总被引:2,自引:0,他引:2  
<正> 目前市场上可以选到几种386SX和486SLC档次的STD总线产品,但这些产品都有个共性,那就是皆从台式PC上照搬过来,没有进行工业适应性改造,不能满足处于恶劣环境的工业控制要求.具体说:(1)板内无看家狗逻辑,不能对故障自动检测和排除;(2)有的虽然设计了看家狗,但刷新周期小于2S,不适用;(3)板上无可靠的半导体盘,系统引导和文件存储还依赖于软盘或硬盘,性能和可靠性差.虽然可以在总线上再插一块独立的半导体盘板来勉强解决,但大大增加了成本,使应用复杂,也降低了可靠性;(4)系统BIOS放在64KB的EPROM里,由于EPROM的访问速度低(大约250ns)和不能在板改写,使系统的性能降低,而且维护性差;(5)不支持用户软件XIP方式执行.工程技术人员已经逐渐认识到,软件代码的XIP方式执行,是保证系统可靠工作的关键因素之一;(6)系统运行软件不能向下兼容;(7)系统不支持控制前端黑模式运行.  相似文献   
34.
本文论述了十二种钢件淬火裂纹的形成原因及防止方法。其中包括如下几种影响钢件淬火裂纹的因素:钢的化学成份,淬透性,Ms温度、过热、冷却速度、间断淬火、冷却水温,有芯淬火、重复淬火、脱碳及渗碳淬火等。  相似文献   
35.
多模态数据融合方法通过学习多个数据集间的关联信息和互补信息,提高了数据分类或预测的性能。但现有的数据融合方法大都基于单独数据集自身的特征模式进行学习,不同异构数据之间的结构信息往往被忽略。因此,文中提出了一种基于超图正则化的多模态信息融合算法(sHMF),通过超图和流行正则项的方法结合表示模态内样本间的高阶关系和模态间的关系,即得到同构和异构的高阶网络。其中,采用超图稀疏表达学习超图,减少冗余边。为了验证所提算法的性能,在模拟数据和影响遗传学真实数据下进行实验,结果表明,sHMF算法在模拟数据和真实数据上均优于多任务学习、多邻域分类等流行算法对精神分裂症的分类精度。同时,sHMF在真实数据上得出的实验结果进一步揭示了一些与精神分裂症显著相关的生物标记物以及风险基因、甲基化因子和异常脑区之间潜在的联系。  相似文献   
36.
37.
1 INTRODUCTIONCavitationerosionandabrasion (CEA)occursinallhydraulicmachines ,includingturbines、pumpsandships ,etc .Theabove mentionedequipmentsearlyfailure ,causedbyCEA ,isadifficultproblemofsci enceandtechnology .TheproblemismoresevereinthehydraulicpowerstationsatthecenterandwestpartofChina ,southAsia ,AfricaandSouthAmeri ca .Itcauseslossofnaturalwaterenergyofthesear eas .Inrecentyears ,manyresearcheshavebeencon centratedonimprovingtheresistanceofmaterialstoCEA .Amongthem ,hard …  相似文献   
38.
主要阐述了 4种极具发展前途的 Internet接入网宽带技术 ,重点对 ASDL技术进行了详尽的讨论  相似文献   
39.
本文提出了实际遇到的工程问题,叙述了调查、分析、研究、发现问题根源的经过,通过理论分析,总结出1550nm直调插播技术调试的规律,即直调插播调试要结合主路信号的OMI,对主路信号OMI偏高的网络,光接收机调低点的有效光差;对主路信号OMI偏低的网络,光接收机调相对高点的有效光差.  相似文献   
40.
动态随机存储器(dynamic random access memory,DRAM)电容器在存储高电位数据"1"时,将影响邻近记忆单元区晶体管栅极电场分布,从而导致漏电流增加,降低了刷新时间.研究提出针对位元线接触区、有选择性的浅掺杂漏极离子注入BF2+方案来改善刷新时间,模拟分析了其注入离子分布及电迁移,发现在位元线接触区硅基单侧浅表层形成了富硼离子注入区,且最大电迁移深度仅为60 nm,由此减少了对其它掺杂区的影响.电性测试结果表明,BF2+离子剂量与开启电压成正比,重复实验证明,该方案有良好的可再现性;分析结果表明,增加BF2+离子注入剂量能提高开启电压对制造偏差的容差能力;栅极关键尺寸在(90±15)nm波动范围内晶圆样品的NMOS电性测试结果表明,该离子注入法能保持与原有工艺的良好匹配性.进一步的分析结果指出,若开启电压升高,则刷新时间将会减少,若开启电压为0.8 V时,该离子注入方案能使刷新时间从180ms提升到不小于300ms.改良幅度达66.7%.模拟及实验分析结果表明,该离子注入方案能应用于深微米进程的研究与生产中.  相似文献   
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