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991.
992.
993.
电容取能电源由于体积小、装置成本低和取能稳定等优势,成为10 kV一二次融合柱上开关的就地取能电源。为了在取电电流限制下提高最大取能功率,基于简化取能模型进行了输出电压和取能功率的电源特性研究,给出了不同补偿关系下的电源特性;通过影响取能功率上限的设计参数分析,得到了最大取能功率下的设计原则;考虑到典型负载如柱上开关的动态特性,进行了负载等效为储能电容器、恒功率负载及瞬时大功率负载下的仿真,其结果表明了不同动态负载下的电源特性,验证了理论计算的电源特性。 相似文献
994.
995.
在研究无轴承异步电机中实现电磁转矩与径向悬浮力之间的非线性解耦是电机稳定悬浮的关键所在,本文采用了基于d轴电流直接求解的无轴承异步电机定子磁场定向控制,克服了从常规定子磁场定向控制需加解耦器及其带来的输出延时的缺点。在悬浮力控制中引入单边磁拉力反馈控制,以减少系统延时及干扰对转子悬浮控制带来的误差。仿真结果表明电机动态、稳定性能优越。 相似文献
996.
快速傅里叶变换~([1])对信号频谱进行分析和修改,被广泛应用于音频、图像识别等领域。Cortex-m3+为ARM公司推出的基于ARM V7m指令集的32位CPU内核,以较少的晶体管数换来极低的成本及售价,性能却远强于8位及16位单片机。本文通过基于Cortex-m3+内核的stm32F2系列单片机进行实时快速傅里叶变换及其反变换,分析其信号分析性能。 相似文献
997.
为明确纳米晶合金高频磁损耗与其微观结构的关系,基于随机各向异性理论,建立了介观尺度下纳米晶合金的三维模型。以晶体相体积分数V和晶粒尺寸d为研究参数,从介观层面探究了微观结构的变化对高频磁损耗pv的影响,并得出材料pv与V和d的函数关系式。结果表明:材料pv会随着V和d的增加而增加,且d对于材料pv的影响更为显著。当外部磁场频率保持10 kHz不变、V从60%增大为80%时,材料pv增长率为27.11%;相应地,d从6 nm增大到15 nm时,材料pv增长率为51.83%。从三者之间的函数关系式也可看出,晶粒尺寸d和体积分数V都与高频磁损耗pv正相关,但两者的指数系数却不相同,d的指数系数大于V的指数系数,因此,d的变化对于材料pv的影响更为显著。 相似文献
998.
热热闹闹的猴年春节过去了,人们又都回到了熟悉的平常生活中来。可是对于有些讲老理的人来说,这几天还有一个过年留下的事没办呢——二月二龙抬头。虽说这老传统没有一定遵守的必要,但很多的人还是坚持不在正月剪头发。不如我们也借着这个“洗理”的时节“打扫”一番,为我们的网络生活添几分色彩。 相似文献
999.
1000.
为防止自由导电微粒浮起或附着于绝缘子表面而引起绝缘闪络故障,该文建立楔形平板电极系统来模拟SF6气体绝缘系统中可能出现的不均匀电场,实验研究交流电压下预埋电极对微粒的驱散作用,包括对微粒运动轨迹与起始运动电压的观测。通过有限元法进行电场计算,对自由导电微粒的受力情况进行分析,理论验证了实验结果。结果表明,对于表面与接地电极表面夹角呈锐角或直角的绝缘子,无论其表面带棱与否,预埋电极可防止自由导电微粒附着于其表面,同时能够提高绝缘子附近微粒浮起所需的电压,对微粒浮起有抑制作用。 相似文献