用Te作溶剂的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的生长

本文报导了以Te作为溶剂制备均匀Hg_(1-x)Cd_xTe合金晶体的区熔法。已用原子吸收分析法和电子探针微量分析法测量了不同晶锭的x值。结果表明减小液区体积就可显著地改进晶锭横截面的组分均匀度,这样就使弯曲的固-液体界面变为平坦的固-液体界面。     

气相生长ZnSe晶体的提拉效应

引言用气相法生长 ZnSe 晶体,通常把装有多晶物料的安瓿放在具存特定温度分布的立式炉内,安瓿底部的物料处在高温区,尖端处在温度梯度区。这样,Znse 分子便由高温区输运,并在安瓿顶端淀积下来长成晶体(图1)。用此法生长晶体,一般还要以一个适当的速度连续地提拉安瓿向上运动。本文论述了提拉对晶体生长速度的影响,指出了     

关于釉上色料铅熔剂的研究

为考查铅熔剂组成的变化,对于铅溶出量的影响,作了如下的试验。首先为了解SiO_2,Al_2O_3和B_2O_3的影响,调配了下记11种组成的熔剂。 PbO·0.1Al_2O_3·xSiO_2(x=1.24,1.65,2.00) PbO·yAl_2O_3·1.65SiO_2·0.12B_2O_3 (y=0,0.10,0.15,0.20)     

InAS_(1-x)P_x合金的制备和特性

通过采用Gremmelmaier和液体封闭法从熔融料中拉晶已制备了整个组分范围的InAsl_(-x)P_x合金块状晶锭。本文报导了这些合金的生长和一般特性。晶锭由化学计量和非化学计量两种熔融料中拉出。为了生长预定组分的合金,已研究了液相-固相相图。得到的相图和以前文章中报导的很不相同。已测量了所长成合金的电性能,并测定了主要掺杂剂的分布系数和溶度界限。所进行的研究工作大多集中于80～90克分子％的InP范围,因为主要的兴趣在于材料适合于1.06微米附近的光发射。     

用离子轰击和激光辐照使InSb由p型转换为n型

在p-InSb上形成n~ 层有三种方法:(1)质子或(2)Si离子轰击,所用能量为60或100千电子伏,剂量为1～2×10~(15)厘米~(-2),以及(3)Q-开关Nd:YAG激光辐照。研究了其后等时退火30分钟的结果。(1)和(3)不用退火就可直接形成n~ 层,(2)则最初形成p层,在200℃以上的温度下退火后变为n~ 层。用(2)和(3)法获得的n~ 层能耐350℃以下的退火温度,而用(1)法的在100℃以上即回复到p型。用(2)和(3)法制备的77K台面型二极管,其正向电流密度用J=1×10(-3)exp(qV/1.7kT)安/厘米~2得出,结电容与反向偏压的关系用C∞(V_D |V|)~(-0.43)表示,扩散电势V_D=0.2伏。     

无气隙玻璃增强塑料的性能

玻璃增强塑料机械强度高,电绝缘性能、耐蚀性、耐热性优异,而且是非磁性,目前已作为结构材料应用于各工业部门以代替金属材料。但是,玻璃增强塑料存在着强度有方向性,弹性模量比金属小以及由于其内部存在气隙,击穿电压不够高等缺点,不适于某些用途。因而,只要能改进其中某一缺欠便能开拓其相应的新用途。日立化成工业公司发明的无气隙玻璃增强塑料由于采用特殊的制法,克服了已往玻璃增强塑料存在气隙的缺点,故击穿电压和起始电晕电压高,可用作电机电器高压绝缘部件。     

GaAlAs—GaAs异质结栅的场效应晶体管——实现亚微米栅的可靠途径

砷化镓场效应晶体管自从1966年由 C.A.Mead 提出以来,正在深入地研究发展中,迄今,作为微波用的晶体管几乎已达到实用阶段。在这种微波用的 FET 中,如何缩短栅长的制作工艺技术已成为最大的课题。而采用剥离技术的肖持基势垒栅结构已成为目前最普遍的方法。但是,不论采用这样的剥离技术或者特殊的自对准结构,都要求其对位精度高到接近极限值。另外,由于一般情况下肖特基势垒在热处理中呈现脆弱性,所以这就要求热处理温度有一定范围。     

气动红外探测器

英国 Cathodeon 公司根据高莱元件的原理制备出了一种新的红外探测器。它适用于0.4～1000微米波长范围内的低能量测量。(图见本期封底左上图)。由于辐射会使探测器头中的膜热形变,因而要用一光放大系统来探测。该系统有一GaAs 发射极和一场效应品体管。这就产生