镁合金在汽车工业中的应用及其研究进展

镁合金以其轻质、减振、防辐射等特点在许多领域获得了广泛应用。目前,镁合金在汽车上的应用正由壳体、支架类向发动机罩、气缸体、车顶板、车体加强板、油底盘等大型整体部件发展。从镁合金零部件的市场应用看,耐热和高强高韧仍是车用镁合金的两大基本性能需求。本文综述了主要耐热镁合金系的强化机制及性能特点,认为Mg-Zn系合金是有望开发成功的新型高性能低成本耐热镁合金。另外,对今后镁合金的研究重点也提出了一些建议。     

影响基桩动测锤击效果的因素分析

振源是基桩动测中的一个重要环节,宽窄不同的脉冲振源会导致实测信号分辨率不同,进而影响桩体缺陷的测试。基于锤体的不同参数,对动力试桩的锤击效果进行仿真模拟研究,讨论了导致输入脉冲时域和频域变化的各种具体因素,结合力锤冲击脉冲的解析解与试验实测数据归纳出相关规律,提出了相应的锤加工、使用建议,并给出了力锤输入脉冲的拟合形式,具有较重要的理论及工程实际意义。     

基于非平衡格林函数的共振隧穿二极管模型

应用非平衡格林函数方法对共振隧穿二极管(RTD)内部的载流子分布和势场情形进行了研究,给出了应用该模型计算AlGaAs/GaAs/AlGaAs的RTD结构在不同阱宽和不同垒宽情形下的电流-电压曲线.为验证该数值模型的正确性,文中还给出了基于Wigner函数的解析模型,将两者的结果进行了比对,并对其结果进行了分析.     

多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT

研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE500,并生长了器件级SiGe HBT材料.研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT器件,其性能为:β=60@VCE/IC=9V/300μA,β=100@5V/50mA,BVCBO=22V,ft/fmax=5.4GHz/7.7GHz@10指,3V/10mA.多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷,该工艺总共只有6步光刻,与CMOS工艺兼容且(因多晶发射极)无需发射极外延层的生长,这些优点使其适合于商业化生产.利用60指和120指的SiGe HBT制作了微波锗硅功率放大器.60指功放在900MHz和3.5V/0.2A偏置时在1dB压缩点给出P1dB/Gp/PAE＝22dBm/11dB/26.1%.120指功放900MHz工作时给出了Pout/Gp/PAE＝33.3dBm (2.1W)/10.3dB/33.9%@11V/0.52A.     

用于SiGeHBT器件的UHV/CVDn~-型硅外延研究

利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,在掺Asn+型Si衬底上生长了掺Pn-型Si外延层.用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和PH3气体流量下生长的Si外延层的过渡区厚度.结果表明,生长温度对n+-Si衬底的As外扩有明显影响,在700℃下生长的Si外延层的过渡区厚度为0.16μm,而在500℃下仅为0.06μm,且杂质分布非常陡峭.X射线双晶衍射分析表明在700℃下生长的Si外延层的质量很高.制作的锗硅异质结晶体管(SiGeHBT)的击穿特性很硬,击穿电压为14.5V,在VCB=14.0V下的漏电流仅为0.3μA;输出特性很好,在VCE=5V,IC=3mA时的放大倍数为60     

基于非平衡格林函数的共振隧穿二极管模型

应用非平衡格林函数方法对共振隧穿二极管(RTD)内部的载流子分布和势场情形进行了研究,给出了应用该模型计算AlGaAs/GaAs/AlGaAs的RTD结构在不同阱宽和不同垒宽情形下的电流-电压曲线.为验证该数值模型的正确性,文中还给出了基于Wigner函数的解析模型,将两者的结果进行了比对,并对其结果进行了分析.     

基于非平衡格林函数的共振隧穿二极管模型

应用非平衡格林函数方法对共振隧穿二极管(RTD)内部的载流子分布和势场情形进行了研究。给出了应用该模型计算A1GaAs／GaAs／A1GaAs的RTD结构在不同阱宽和不同垒宽情形下的电流一电压曲线，为验证该数值模型的正确性，中还给出了基于Wigner函数的解析模型，将两的结果进行了比对，并对其结果进行了分析。     

一种测量外延层厚度及掺杂浓度的改进方法

在双台面SiGeHBT加工工艺过程中,采用RIE工艺刻蚀发射极台面时,为了避免等离子轰击对外基区表面造成损伤,同时为了防止过刻到基区,必须严格控制发射极台面的高度,从而必须准确知道未刻蚀前的厚度和刻蚀后的厚度。现有的许多对材料厚度及掺杂浓度的分析方法,具有各自的优缺点。本文提出了一种可以同时检测外延层的厚度及掺杂浓度分布的方法,这种方法具有简单、高效、低成本的优点。     

全息存储技术简介

随着技术的进步,人们对信息的需求越来越多,对大量信息的存储要求也越来越高,全息存储将全息技术运用在存储上面,能在一个方糖块的体积大小上保存1000GB(1TB)的信息容量,全息存储时代的大幕将在2006年拉开,全息存储的影响将与日俱增.     

UHV/CVD多晶锗硅及其电学特性

采用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV／CVD)设备,研究了在550℃下SiO2薄膜上多晶SiGe成核时间和生长速率与GeH4和B2H6流量的关系,以及不同温度下快速热退火对多晶SiGe电阻率的影响。实验结果表明,多晶SiGe成核时间随GeH4流量的增加而增加;在小的GeH4流量下,其生长速率随GeH4和B2H6流量的增加而增加,但比同等务件下单晶SiGe生长速率低;其电阻率随GeH4流量的增加而下降,随快速热退火温度的升高而下降。