2000年的顶级生产线：IBM、TSMC、SC300

在半导体工业不断变化的趋势下,各公司的Ｆａｂ都以不同的方法努力发展其前沿技术和工艺。每家公司都继续攀登新的技术高度。有的公司选择成立合资公司的方式,共享经济资源和专业知识。随着前沿技术的开发和服务业务的不断扩展,加工服务工厂呈不断增长趋势。今年的顶级Ｆａｂ获得者,反映出了这种变化情况。 《国际半导体》杂志选出了三家工厂作为 ２０００年最佳 Ｆａｂ：ＩＢＭ公司的 ＢｕｒｌｉｎｇｔｏｎＦａｂ; ＴＳＭＣ公司的 Ｆａｂ５（台湾省新竹）和Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ３３公司（德国,德累斯顿）。这三家Ｆａｂ都开…     

合资开发“芯片级超级计算机”

索尼计算机娱乐公司、ＩＢＭ公司、东芝公司宣布 :三家公司计划联合研究开发一种先进的芯片结构 :新兴宽带时期的新一代器件。它们将共同投资4亿美元 ,在未来 5年时间里 ,用以开发研制芯片级超级计算机。根据此项协议 ,三公司将在德克萨斯州奥斯汀的ＩＢＭ公司的一个工厂内 ,合资建立一个开发中心。在其生产旺盛期 ,中心将配备约 30 0名计算机设计师和芯片设计师 ,致力于开发这个项目。代码取名为“单元”的新微芯片 ,将采用世界最先进的研究技术及芯片制造技术 ,包括 :铜布线、ＳＯＩ晶体管、低Ｋ介质隔离、图形尺寸小于0 1μｍ。对用户来…     

2000年将是日本半导体的恢复期

1　半导体市场1 998年日本半导体市场面临了一股巨大的逆转之风 ,呈现大幅度的负增长。市场与 1 997年相比 ,下降了 1 1 4% ,仅为 2 79 2亿美元。市场于 1 996年从高增长骤变为负增长 ,虽然 1 997年又恢复了一些正增长 ,但市场没有得到全部恢复 ,于是到 1 998年又呈负增长状态。在已过去的几年中 ,这种下降趋势并未停止 ,这使得日本在全球市场占有率从1 997年的 2 2 6 %下降到 1 998年的 2 0 1 %。1 998年几乎所有器件都是下降的。除了快闪存储器外 ,所有ＭＯＳ存储器都大幅度下降。特别是ＤＲＡＭ下降了 30 9% ,并且这二年呈连续下降的…     

Hyundai公司与LG Semicon公司合并

经过几个月的谈判，HyUndai电子公司和ieSemicon公司进行合并，资金为ZO亿美元。重组之后的新公司，将成为继Sansung公司之后的全球第二大存储器芯片制造商。合并的所有工作已经完成。如果流动外资可以利用的话，管理公司将享有35％的股份。两边一致认为共同最大的利益是共享技术、工艺和生产设备。据行业权威人士预测，新公司需要3．8亿美元甚至更大数额的投资以保持目前的生产安排。Hyundai公司与LG Semicon公司合并@荣莹     

具有存储潜能的PLEDM存储器

Ｈｉｔａｃｈｉ剑桥实验室的一个小组在 Ｈａｒｃｏｎ Ａｈｍｅｄ教授的带领下，正在开发一种相态低电子数字驱动存储（ＰＬＥＤＭ），是一种把图象和声音储存在单片上的全长薄膜。这种存储器采用两个晶体管组成一个增益单元，它的硅单元面积小于传统ＤＲＡＭ单元面积。它被堆叠在用标准的２００ｎｍ硅工艺制作ＭＯＳＦＥＴ器件的二氧化硅栅上。要求此单元的硅面积与单个晶体管的相同：约４００ｎｍ×２００ｎｍ。在临界势垒里，采用热氮化硅来生产极薄的２ｎｍ绝缘层。 其读写时间小于１０ｎｓｅｃ，但工作速度快，可能会形成一种快速非挥…     

无电解铜淀积模拟

在Carleton大学和Alberta大学的加拿大研究员小组，与Cornell大学联合，开发了无电解铜淀积的一维、二维模型。一维数字模型被用来测定钢离子的扩散率和实验结果的系数的反应。二维数字模型，以SIMBAD为基础，薄膜生长模拟封装，被用来描述不同工艺阶段的膜。描述包括表面分布、微结构、表面粗糙度、膜密度和化学计量法。模拟器通过无电解工艺来研究VLSI特性的保角填充的灵敏性。实验发现：如果扩散率太小或淀积率太高，在淀积膜中将产生空隙和缝。模拟结果与实验结果比技。这里，种子层首先溅射到圆片的上面，种子层由钛／铜／铝夹层…     

几百万美元的研究规划正在进行

美国半导体行业和联邦政府成立了一个新的微电子重点研究规划，目的是研究未来工业所面临的最富有挑战性的技术问题。以伯克来加州大学和乔治亚技术学院为主的大学联合团体正协商着这次规划，将研究在设计、测试和有关微芯片器件方面的新方法。借鉴最初两个中心的成功经验，计划将建立另外4个全国性重点研究中心，以努力完成多所大学组成的网络研究工作。学生和教师的工资、设备和升级的设施将由中心和参与大学提供。这个规划是自1987年成立SEMATECH以来，美国着手负责的最雄伟的研究项目。半导体工业的发展面临着许多要探讨解决的技术…     

金属栅将取代多晶硅栅

为了克服器件尺寸缩小达到O．lum时,与多晶硅栅和薄栅氧化物有关的诸多问题,如栅耗尽、高阻栅、沟道区内的棚渗透、栅氧化隧道漏泄等等,也许很有必要采用金属栅和高k柳材料。1999年在旧金山召开的国际电子器件会议上,讨论了金属棚和可替换栅介质材料。如东芝公司微电子工程实验室具体介绍了开发生产金属栅的镶嵌工艺,以及工艺中所用到的高介质常数栅绝缘体（Ta刃。）。当浅沟槽隔离（ST）形成后,就进行源／漏注入,与用生长在虚拟棚氧化物上的SIP4／多晶硅薄膜制作的虚拟栅自对准。用LPCVD淀积预金属介质膜SIO。,并用CMP平面…     

快速低阻功率开关MOSFET

飞利浦半导体公司开发了一种具有极低开态电阻和额定电压为２００Ｖ的功率ＭＯＳ－ＦＥＴ器件。这种“硅ＭＡＸ”器件采用沟槽ＭＯＳ工艺,兼有大功耗和快速开关速度的性能,其１００－２００Ｖ的额定电压来源于ＤＭＯＳ功率ＭＯＳＦＥＴ。这种新器件在开关型功率源,ＤＣ／ＤＣ转换器以及负载开关应用方面,特别具有吸引力。 新的功率ＭＯＳＦＥＴ的低开态电阻是利用大量制作在硅芯片上的小ＭＯＳＦＥＴ单元并联获得的。在给定硅片上,由于减小了单元的尺寸,增加了单元了数目,从而降低了开态电阻。但单元间距离变近,使单元之间产生相互…     

三菱公司在德国停止生产DRAM

三菱电机公司的存储器生产部遭受了巨大损失，迫使公司对子公司——在德国的三菱半导体欧洲GmbH公司作出决定：本月停止生产16MbDRAM。子公司每日组装15O万块DRAM的生产量，总公司安排转由美国的子公司来完成。这个行动是公司重组全球半导体业务的策略的一部分。早些时候，三菱