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石墨烯具有超薄的结构、优异的光学和电学等性能,在晶体管、太阳能电池、超级电容器和传感器等领域具有极大的应用潜能。为更好地发展实际应用,高质量石墨烯的可控制备研究尤为重要。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术具有低温和原位生长的优势,成为未来石墨烯制备方面较具潜力的发展方向之一。本文综述了PECVD技术制备石墨烯的发展,重点讨论了PECVD过程中等离子体能量、生长温度、生长基底和生长压力对石墨烯形核及生长的作用,概述了PECVD制备石墨烯的形核及聚结机制、刻蚀和边缘生长竞争两种不同机制,并指出PECVD技术制备石墨烯面临的挑战及发展。在未来的研究中,需突破对石墨烯形核及生长的控制,实现低温原位的大尺寸、高质量石墨烯薄膜的可控制备,为PECVD基石墨烯器件在电子等领域的应用奠定基础。 相似文献
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采用高能离子注渗技术,首先在低碳钢表层注入W,然后再用渗碳的方法原位合成纳米级碳化钨(WC),其注渗层厚度达到1.0mm.低碳钢表层的显微硬度得到显著提高,从表层到心部硬度逐渐降低,呈梯度分布.通过扫描电镜、能谱分析、X射线衍射等分析手段证明了WC的存在.WC颗粒呈针状、板条状和块状弥散分布在低碳钢基体表层中,其尺寸在30~200nm之间.细小的WC颗粒与基体结合良好,有效地阻止了位错的运动和微裂纹的扩张,从而有效地提高了低碳钢基体的硬度. 相似文献
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基体负偏压对类金刚石涂层结构和性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用直流等离子体增强化学气相沉积技术(DC-PECVD),通过控制基体负偏压的变化在YG8硬质合金基体上制备一系列类金刚石涂层。选用扫描电子显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、X射线光电子能谱、粗糙度仪对涂层形貌和结构进行表征测试。同时,利用显微硬度计、划痕测试仪系统地分析涂层的显微硬度和界面结合性能。结果表明:随着负偏压增大,涂层表面形貌逐渐平整光滑、致密,颗粒尺寸减小及数量降低。拉曼光谱表明,涂层具有典型的类金刚石结构,涂层中sp3键含量呈先增大后减小趋势,最大值约67.9%出现在负偏压为1000V左右,负偏压过大导致sp3键含量降低。显微硬度随负偏压变化规律与sp3键基本相符,sp3键含量决定显微硬度值大小。负偏压过大对吸附离子产生反溅射作用导致涂层厚度减小。当负偏压为1100V时,涂层与基体间的界面结合性能最优。 相似文献
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采用化学气相沉积(CVD)方法在单晶高温合金基体上制备了单一铝化物和铂改性铝化物涂层,研究了两种涂层的高温氧化性能和抗燃气热腐蚀性能。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等方法分析了两种铝化物涂层的相成分和显微组织,结果表明:经1000℃氧化250h后,两种涂层的氧化动力学曲线均符合抛物线演变规律,Pt-Al涂层的抗氧化性能相对于单一Al涂层提高了55.5%,Pt元素的加入减缓β→γ′的相变速率,保证了高质量α-Al2O3保护膜的生成;经900℃燃气热腐蚀100h后,两种涂层的腐蚀动力学曲线均符合抛物线演变规律,Pt-Al涂层的抗燃气腐蚀性能相对于单一Al涂层提高了57.9%,Pt元素阻碍了内硫化的快速发生,保证Al2O3膜的完整性。 相似文献
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简述了常用探雷技术,提出了一种利用气体电子倍增器进行热中子地雷探测的技术方案。采用钻孔电路板制作厚气体电子倍增器,镀10B膜作为中子转换体,多层级联提高热中子探测效率,实现对地雷中爆炸物的检测。转换体10B膜存在最佳厚度,通过GEANT4软件模拟得到。介绍了镀膜工艺PLD等主流方法,并分析了各种方法的利弊。 相似文献
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VB4.0的数据控件中只能使用Recordset数据集对象来访问数据库,虽然VB3.0中的Table、Dynaset、Snapshot数据集对象仍可以使用,但它们在VB4.0中只是作为Record-set的不同类型来使用的,而不再作为独立的对象,这就为我们在不同窗体之间进行数据控件的绑定提供了方便。 相似文献
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