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SnO2纳米粒子的溶剂热制备及光致发光性质 总被引:1,自引:0,他引:1
以SnCl4·5H2O为原料,乙二胺为溶剂,用溶剂热法在180℃合成了SnO2纳米粒子,用XRD和TEM对其结构和形貌进行了表征,对SnO2纳米粒子的红外谱图、漫反射谱图以及光致发光性能进行了分析,探讨了乙二胺辅助合成SnO2纳米粒子的化学原理和生长机制。结果表明,用乙二胺辅助成长法合成的SnO2纳米粒子的粒径在40nm左右,粒径分布均匀,分散性较好。SnO2纳米粒子光致发光在340、432和672nm处有3个强峰,在472和540nm处有2个弱峰,其中340nm处的峰为紫外近带边激子发射峰,432、472和540nm处的峰是由氧缺陷引起的,672nm处的峰归因于表面态的氧缺陷引起的能带中深能级跃迁。 相似文献
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针对齿轮故障诊断问题,利用数理统计特征提取方法、深度学习神经网络、粒子群算法和支持向量机等技术,提出了一种基于深度学习特征提取和粒子群支持向量机状态识别相结合的智能诊断模型。该模型利用深度学习自适应提取的频谱特征与数理统计方法提取的时域特征相结合组成联合特征向量,然后利用粒子群支持向量机对联合特征向量进行故障诊断。该模型在对多级齿轮传动系统试验台的故障诊断中实现了中速轴大齿轮不同故障类型的可靠识别,获得了满意的诊断结果。应用结果也验证了基于深度学习自适应提取频谱特征的有效性。 相似文献
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亚稳态分子间复合物(MIC)阵列由于具有高能量密度、小尺寸条件下能自持反应的优点,在集成化火工品方面具有潜在的应用价值。采用火焰法在硅基底上原位制备了高度有序的MoO3纳米片阵列,探讨了基底材料、纳米阵列生长时间、火焰源因素对生成MoO3形貌的影响,得到了 MoO3纳米片阵列的优化制备工艺条件: 以硅片为基底,生长时间为5 min和甲烷为火焰源。制备的纳米片厚度为100~200 nm,宽度约5 μm,长度达到十几个微米。分别采用磁控溅射和热蒸发在MoO3纳米片阵列表面镀铝得到Al/MoO3 MIC阵列,在铝膜厚度相同的情况下,采用热蒸发镀铝方式优于磁控溅射。热蒸发铝膜厚度为900 nm时,所获得的Al/MoO3 MIC阵列具有较高的放热量,达到3276 J·g-1。 相似文献