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日本某半导体厂商表示:"对于65nm的逻辑芯片来说,如果仅依靠工艺技术的进步,无论怎样努力,也不可能将功耗降低到顾客满意的水平。因此,要降低功耗,只有从电路技术、结构技术等方面着手。"针对2007年量产的65nm逻辑芯片, 相似文献
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<正>由于市场规模的扩大,在2008年度(2008年4月~2009年3月),与去年相比,TDK计划大幅度增加中国地区通信市场的销售。目前由于季节性因素,供需比较均衡。在夏季之后的需求旺盛期,预计手机、MP3播放器以及平板电视等产品的生产将会增加,SMT(表面贴装技术)微型零部件的订单也会增多。 相似文献
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106.
107.
采用LD 泵浦技术, 实现了Nd:GdVO4、Cr4+:YAG 被动调Q 1.06 μm 激光运转。通过改变泵浦光束在激光晶体内的分布以及Cr4+:YAG 晶体在腔内的位置, 实现了LD 泵浦Nd:GdVO4 晶体Cr4+:YAG 被动调Q 激光器的脉宽控制。根据由ABCD 矩阵传输理论计算得出的腔内模式半径沿腔轴的变化关系, 考虑激活介质热效应以及泵浦光强和腔内振荡光强的空间高斯分布, 给出了LD 泵浦Nd:GdVO4 晶体Cr4+:YAG 被动调Q 激光的耦合速率方程组, 数值求解该方程组, 获得了脉冲宽度随饱和吸收体在激光腔内位置和泵浦光在激活介质内分布的变化关系, 理论计算与实验结果相符。 相似文献
108.
返回舱再入段雷达散射特性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
"神舟"飞船返回舱在再入过程中,由于产生等离子体鞘套和尾流,其雷达散射截面(RCS)出现剧烈变化,对地面测量雷达的跟踪产生影响。文中以C波段雷达的实测数据为依据,对返回舱RCS突增和缩减的机理进行了分析;重点阐述了厘米波雷达以反射式跟踪方式跟踪再入体时,会出现短时间目标丢失现象的必然性。 相似文献
109.
应用严格耦合波分析方法(RCWA),在本征硅片衬底表面设计并制作了一种圆柱形抗反射微结构元件。通过MATLAB软件模拟仿真确定其最优参数组合,使反射率设计值为3%。应用二元曝光技术和反应离子刻蚀技术制作了单面和双面的圆柱形微结构,根据结果得到射频功率、气体流量及工作气压对微结构侧壁陡直度及形貌具有很大影响。还分析比较了形状(t为实际柱顶面直径与底面直径之比)与反射率的关系。采用热场发射扫描电子显微镜对该结构进行形貌表征,综合显微成像红外光谱仪对反射率进行测量。实验结果:制作了单面、双面微结构与无结构本征硅片反射率做比较双面圆柱形微结构的抗反射效果最好,反射率达8%左右,基本达到抗反射设计要求。 相似文献
110.