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为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的MOS—HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaN MOS—HFET器件栅长1μm,栅宽80μm,测得最大饱和输出电流为784mA/mm,最大跨导为44.25ms/mm,最高栅偏压+6V。 相似文献
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高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制 总被引:3,自引:4,他引:3
报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mm AlGaN/GaN HEMTs功率器件.为了提高微波功率器件性能,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度为0.784A/mm,跨导197mS/mm,击穿电压大于40V,截止态漏电较小,1mm栅宽器件的单位截止频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz,功率增益为11dB,功率密度为1.2W/mm,PAE为32%,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力. 相似文献
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红外光谱(IR)的研究表明,聚对苯二甲陵乙二醇酯/聚四溴双酚A苯基亚磷酸酯(PET/PTBPi)有一定的溶混性。PTBPi对聚酯有良好的热稳定性作用和良好的阻燃效果(限氧指数值LOI=27.1,添加量为10%,wt)。普通聚酯和阻燃聚酯的热氧化隆解基本上符合一级反应规律。不同阻燃元素之间的组合,会产生不同程度的阻燃效果。 相似文献
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本文在简要介绍提高ADC性能时所存在的困难及目前所采用的一些方法基础上,着重介绍了多斜原理以及基于该原理的高性能17bit模数转换器(以下简写为ADC)的构成。转换器中μC起中心控制及数据处理的作用。 相似文献