中国对废纸的需求威胁北美企业

2006年2月6日,浆纸产品理事会(PPPC,Pulpand Paper Products Council)国际会议在蒙特利尔召开。会上,有专家指出:为了满足快速发展的造纸工业的需要,中国对北美废纸需求很大,这一点应引起北美方面的注意;另外,中国经济的增长速度也是一个不容忽视的问题。在PPPC废纸回用开放论坛中,ACDEG集团董事长兼首席执行官David Fung指出,中国正在增强远洋货运能力,此举将降低跨太平洋运输的费用,与现有价格相比,每吨货物的运输费用将降低100美元,同时,中国将全面关注北美的废纸市场,并试图购进大部分北美废纸。中远集团贸易部执行副总裁称,在…     

试行“片管”效果好

河南省许昌市城管支队一大队对重点、难点管理路段尝试实行“片管”制度．及时、详细了解管理动态．使管理关口前移，不仅把握住了管理的主动权．而且得到管理对象和市民群众的一致认可，管理成效十分显．     

薄膜晶体Si太阳电池的潜力

如果效率和成本这两个“目标”能够达到，薄膜晶体Si太阳电池有可能替代目前在光伏市场上占主导的多晶Si太阳电池。[第一段]     

半导体的“闪光面”

半导体工业中的绝大多数活动都是围绕着硅开展的；但也没有忽视其它的半导体。美国西北大学量子器件中心（CQD）主任MRazeghi教授指出：“化合物半导体类似于食物中的盐”，它们中的每一种材料都具有其它材料所不具备的重要性。[第一段]     

锗：从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片

锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来，在新型晶体管和光电应用方面，Ge又引起了人们的重视。     

在Si衬底上生长高性能Ⅲ-V族器件

日本NTT公司和台湾国立交通大学合作利用si衬底研制出一种AiGaSb／InAs HEMT结构，其迁移率高达27300cm^2／V．s，该种结构将用于逻辑电路，它把Ⅲ一V族结构的高迁移率和si衬底的低成本、高硬度和大直径结合起来了。[第一段]     

聚苯醚磺酸锂／共聚醚复合物的离子导电性研究

合成了３种不同磺化度的聚苯醚磺酸锂（ＳＰＰＯＬｉ）与Ｐ（ＭＥＯ１６－ＡＭ）／ＳＰＰＯＬｉ复合物。研究了复合物的离子导电性与磺化度，组成比及增塑剂含量的关系。含４０％（ｍａｓｓ）增塑剂的复合物具有单离子导电特征，锂离子迁移数高达０．９７，室温电导率达２×１０－５Ｓ／ｃｍ。     

接通率与经济效益的关系

利用基本呼叫模型，从分析重复试呼入手，定量分析了接通率与经济效益的关系。     

带有色观测噪声系统最优和自校正状态估计器

带有色观测噪声系统最优和自校正状态估计器黑龙江大学应用数学研究所邓自立，马灵洁基于ＡＲＭＡ新息模型，通过计算白噪声估值器和输出预报器，提出一种带有色观测噪声系统的新的最优和自校正状态估计器，可统一处理滤波、平滑和预报问题，可处理未知的非平稳有色观测噪...