18Cr_2Ni_4WA钢连续冷却过程中的粒状贝氏体及其回火转变

利用光学金相、电子金相、膨胀、磁性、X射线衍射、硬度等方法研究了18Cr_2Ni_4WA钢在连续冷却时粒状贝氏体的形成条件、组织形态及其影响因素,和回火转变的特点。结果表明,BF基体有二种形态-块状和条状。慢冷时为块状,快冷和提高奥氏体化温度有利于形成条状。M-A岛的随机分布和定向分布与此相对应。碳富集程度不同导致M-A岛的结构不同-碳偏低的、大而不规整的多为M岛,碳偏高的、小而规整的多为A岛。奥氏体成分的均匀化和冷却速度是影响粒贝组织形态和机械性能的二个最主要的因素,奥氏体成分的充分均匀化及随后快冷有利于粒贝组织和性能的改善。BF基体的回火抗力高于M-A中M的回火抗力。二次高温回火能有效地消除二次淬火M岛的脆化作用。与一次回火相比能显著改善强韧性、组织稳定性和软化效果。     

球墨铸铁测定洛氏硬度形成裂纹的研究

本文分析了淬火,等温淬火后球墨铸铁测定洛氏硬度出现的显微裂纹。这种显微裂纹,系由外加应力造成的应力裂纹,它与石墨球的结晶构造、淬火温度、等温温度和等温时间,都有一定的关系。     

热处理温度对超级双相钢UNS S32760管材组织性能的影响

采用6 300 t卧式挤压机生产超级双相钢UNS S32760无缝钢管,以不同温度对管材进行固溶处理,研究固溶温度对管材金相组织、力学性能和腐蚀性能的影响。结果表明:随着固溶温度的升高,UNS S32760铁素体相(α相)含量逐渐增多,奥氏体相(γ相)含量逐渐降低,抗拉强度、伸长率基本保持不变,屈服强度逐渐升高,冲击功整体呈上升趋势;在固溶温度1 100℃时,管材组织中α相和γ相比例约为1∶1,点腐蚀速率最低,耐点蚀性能最优,腐蚀速率为0.031 mm/a。     

具有双相低倍组织焊层的轧辊埋弧堆焊

用埋弧焊制造和修复轧辊的效益在很大程度上取决于堆焊金属的抗裂纹性,因此,必须研制出能在静负荷、疲劳负荷(热疲劳)和冲击负荷下阻止断裂的金属层堆焊工艺。保证堆焊层在裂纹扩展的途径上获得独特的阻碍物(屏障)的堆焊工艺证明是非常     

氮化镓基高亮度发光二极管材料外延和干法刻蚀技术

通过对氮化镓(Gallium nitride,GaN)基蓝色高亮度发光二极管(High brightness light emitting diode,HB-LED)材料金属有机气相外延(Metal organic vapor phase epitaxy,MOVPE)生长技术的研究和优化以及在有源区内引入新型InxGa1-xN/GaN多量子阱(Multiple quantum wells,MQWs)结构,获得了高性能的HB-LED外延片材料.高分辨率X射线衍射(High resolution X-ray diffraction,HR-XRD)和变温光致荧光谱(Temperature dependent photoluminescence spectra,TD-PL Spectra)测量表明外延材料的异质界面陡峭,单晶质量优异,并由变注入电致荧光谱(Injection dependent electroluminescence spectra,ID-EL spectra)测量获得:HB-LED芯片的峰值发光波长在注入电流为2 mA至120 mA变化下蓝移量小于1 nm,电致荧光谱的半高全宽值(Full width hlf maximum,FWHM)在注入电流为20 mA时仅为18 nm.此外,还介绍了GaN基材料感应耦合等离子体(Inductivelycoupled plasma,ICP)干法刻蚀技术.考虑实际需要,本文作者开发了AlGaN/GaN异质材料的非选择性刻蚀工艺,原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM)观察得到AlGaN/GaN刻蚀表面均方根粗糙度RMS仅为0.85nm,与外延片的表面平整度相当.还获得了AlGaN/GaN高选择比的刻蚀技术,GaN和AlGaN的刻蚀选择比为60.     

18Cr2Ni4WA钢粒状贝氏体组织的形变强化

18Cr2Ni4WA钢在淬火空冷条件下,对尺寸稍大的工件多为粒状贝氏体组织。由于获得粒状贝氏体组织工艺极为简单,而且具有一定的强韧性,在普通热处理条件下获得的粒状贝氏体,其强度相当于板条马氏体的高温回火组     

钛合金等温锻造进展

等温锻造是一种先进的加工工艺。本文从钛合金高温变形特性、等温锻造参数选择、模具设计、润滑剂摩擦特性等诸方面全面地介绍了这种先进的锻造工艺，它的应用前景及发展方向。     

稀土纳米磁致冷复合材料

采用急冷快淬，高能球磨及粉末包套包覆轧制方法制备出Ｇｄ－Ｙ，Ｇｄ－Ｚｎ和Ｇｄ－Ｔｈ的纳米固体复合磁致冷材料。实验测试结果表明：与大块状材料相比，纳米固体的居里温度明显降低，比热显著增加：Ｇｄ－Ｔｈ和Ｇｄ－Ｚｎ合金的磁热熵效应有所降低，但Ｇｄ－Ｙ系的磁热熵效应则显著增加。对制备工艺条件及若干影响磁质变熵效应的因素进行了较详细的分析。     

薄膜厚度对HfO2薄膜残余应力的影响

HfO2薄膜是用电子束蒸发方法制备的，利用ZYGO干涉仪测量了基片镀膜前后曲率半径的变化，计算了薄膜应力。对样品进行了XRD测试，讨论了膜厚对薄膜残余应力的影响。结果发现不同厚度HfO2薄膜的残余应力均为张应力，应力值随薄膜厚度的增加而减小，当薄膜厚度达到一定值后，应力值趋于稳定。从微观结构变化对实验结果进行了分析，发现微结构演变引起的本征应力变化是引起薄膜残余应力改变的主要因素。