环隙式离心萃取器快速提取钚的应用研究

以小型环隙式离心萃取器为核心器件,设计了一套用于钚元素的环隙式离心萃取系统。该系统在2000 8000 r/min离心转速和1/3-1两相流比(o/a)范围内,水力学性能表现良好,无明显夹相;以0.1 mol/L TOPO/环己烷为萃取体系,0.01 mol/L草酸溶液为反萃体系,在短时间内完成6 mol/L HNO3溶液中Pu(IV)的萃取分离操作,其中两级萃取率大于90%,单级反萃率超过96%,显示出该系统萃取速度快、效率高的特点,可用于钚元素的快速提取。     

多种带电检测技术在一起35kV开关柜缺陷诊断中的综合应用

近年来,随着对开关柜供电可靠性要求的提高和带电检测技术的发展,带电检测技术已成为开关柜局部放电缺陷查找的重要手段。以一起35kV开关柜例行带电试验异常现象为例,通过暂态地电波、紫外成像、特高频、超声波等方法对其进行了全面的分析,发现该站35kV 301开关柜正面上部静触头C相棱角的尖端放电和背面C相底部接地螺丝松动引起的悬浮放电。通过对301开关柜正面上部静触头C相棱角打磨和绝缘护套积污处理,背面C相底部接地螺丝紧固,消除了301开关柜的缺陷,为类似开关柜缺陷的消除提供经验。     

一类新型 PWM 可逆整流器

针对传统的桥式ＰＷＭ可逆整流器直流侧工作电压要求较高的限制,提出一种新型ＰＷＭ可逆整流器拓扑,运用状态空间平均法进行了建模和稳态理论分析,并给出该变流器的参数选择方法。ＭＡＴＬＡＢ数值仿真与样机实验结果证实了该拓扑、模型及理论的正确性。     

变形介质的变形机理及物性特征研究

变形介质气藏在开发过程中，孔隙压力随流体的流出而下降，使储层内外压差增大，孔隙受到压缩而体积缩小，孔隙度和渗透率随之降低，极大地影响到此类气藏的开采。主要阐述了多孔介质发生变形的类型，并从多孔介质的微观物理特性(包括物质组成，单元体类型及它们之间的接触关系、排列方式和胶结方式)来分析对其发生变形的影响。还通过实验，分析了变形介质的孔隙体积、孔隙度和渗透率随压力而发生的变化规律。实验表明，随着净围压的升高，孔隙体积缩小，孔隙度和渗透率降低。与孔隙度相比较，渗透率受压力变化的影响更明显。因而，在变形介质气藏的开采过程中，保持气藏内部的原始压力对稳产、高产及延长气藏的开采时间有重要意义。     

一种静态环境下的空间索引结构

R树作为目前最流行的动态空间数据索引结构,被广泛应用于原型研究和商用空间数据库系统中.R树的变体很多,但大多数应用于动态环境下,对于静态空间数据环境(指不更新或更新少的空间数据),R树及其变体虽然适用,但效率不高.本文在已有空间数据索引结构的基础上,根据静态空间数据的特点,提出一种新的适用于该环境的空间索引结构,该方法可减少I/O访问次数,提高空间查询效率.     

星敏感器杂光抑制分析

本文介绍了蒙特卡洛法应用于杂光分析的基本思想、数学模型以及表面热辐射概率模型，对某型号卫星星敏感器的杂光传递进行了模拟。在复杂的杂光环境下，建立杂光跟踪模型，获得了星敏感器杂光环境的定量杂光贡献，并对大衰减比遮光罩及光学系统内杂光传递进行了跟踪，给出了遮光罩的消杂光能力。     

Restful Web Services在校园信息集成中的应用*

针对目前校园网中异构信息集成过于复杂的问题,本文提出基于REST架构的Web Services的校园异构信息系统集成方案。该方法根据REST设计原则,采用轻量的方式实现校园网异构信息的集成。实验结果表明,该方案相对于传统基于SOAP的Web Services,具有简单易用、伸缩性强的优势,具有良好的应用前景。     

支撑矢量机的改进算法研究

该文介绍了支撑矢量机(SVM)的有关概念、学习算法。并且详细介绍了一种改进算法LSVM,对于机器学习算法的研究具有启迪作用。     

异构数据库加解密系统的关键技术研究与实现

对数据进行加密是保护信息机密性的一种有效途径,针对一般加解密系统的异构数据库兼容性差以及密文查询方式单一的问题,提出了一种新的数据库加密方式：以领域元数据为支撑,采用对象关系映射模型屏蔽异构数据库,通过构建密文索引来实现灵活多样的密文查询;设计并实现了异构数据库加解密系统。实验结果和理论分析表明：系统能够支持多种类型数据库的加解密,提供多种方式的密文查询,并提高了数据库加密的安全性。     

磁控溅射CuCrMo薄膜耐126kV 20kA电弧烧蚀性能

提升真空断路器CuCr触头的抗电弧烧蚀能力是决定其能否应用于高压真空灭弧室的核心关键,尚未见有效触头材料或表面涂层改性技术使CuCr触头应用于126kV以上真空灭弧室的报道。基于CuCrMo薄膜的优异电气性能,对沉积CuCrMo薄膜的真空灭弧室触头进行126kV下的抗电弧烧蚀研究,并进行开断寿命的工程验证。采用磁控溅射技术在CuCr50真空触头片表面沉积5μm厚的CuCrMo薄膜,对其进行126kV 20kA电流下23次的电寿命试验。利用XRD、SEM和3D共聚焦显微镜研究电弧烧蚀后表面形貌。研究结果表明：沉积CuCrMo薄膜的触头片,在纵向磁场和126kV 20kA条件下可有效分散电弧,较未镀膜触头片有更小电弧电流密度;经过23次电寿命试验后,表面烧蚀程度比未镀膜的触头片轻,表面粗糙度降低,提高了触头的开断寿命。为表面改性真空断路器CuCr触头在高电压大电流真空灭弧室的应用提供了有效工程依据。