实时远程控制的多机灭火协同作业关键技术

为应对生产和生活中出现的各种突发火情,提出通过利用红外探测捕捉火源特征并联动多台自动控制的消防器械进行协同灭火的技术,通过来自于监控机位的红外传感器获取火源位置和火势信息,并结合物联网上传到控制终端调动相应的智能灭火器械进行协同作业。在无人值守的情况下,通过远程控制手段实时监控环境信息,实现低程度火情的早期扑灭,对于提升消防安全,保障生产生活安全有十分重要的实用意义。     

用于生物阻抗测量的同步多通道高精度恒流源

针对生物电阻抗测量和成像系统的激励源须满足两路以上同步输出、高频率精度、各路相位独立可调、输出为恒流性质等特殊要求,本文分析了多极共用时钟的DDS芯片作为生物电阻抗测量和成像系统激励源的应用优势,设计了以AD9959为核心的用于生物阻抗测量或成像系统的恒流驱动信号源.设计的信号源四通道输出同步,频率精度为0.0058Hz,各通道相位分别可调且最小步长为0.022°,幅值分辨率可达9.8μA,控制方便,电路简单.     

基于SDN和NFV技术的新型电力CDN

电力CDN在智能电网发展及电力信息网应用扩展过程中扮演着网络加速、流量负载、安全防护的重要角色,同时,业务需求对其灵活布置也提出了更高的要求。此外,电力CDN加速节点的扩容面临着运维复杂、资源利用率低的问题。传统的电力CDN架构亟待改革,而能够支撑电力CDN改革需求的是SDN和NFV技术。SDN技术将业务控制从网络数据和传送中抽取出来,更有利于多种业务的快速扩展以及对CDN节点的集中管控。而NFV能基于业务发展对CDN节点进行扩容和资源调度,大大减少资本支出、运营成本、空间和功耗。     

基于 SE-Workbench-IR 的红外图像仿真

可见光图像仿真生成红外基准图,对提高红外成像制导武器命中精度具有重要意义。针对实地获取红外基准图成本高、难度大的问题,借助 SE-Workbench-IR 平台,实现了由可见光图像到红外基准图的仿真。首先通过 Photoshop 软件对图像进行分层,并在 SE-CLASSIFICATION 模块对各图层的地物分别赋予对应的材质,实现纹理分类;之后,在红外可视化面板设定生成红外图像的环境参数,运行软件获得红外仿真图像。仿真之后,用红外仿真基准图进行模板匹配,并通过匹配误差、均方根误差和交叉熵来评价仿真效果。实验结果证明：指定背景环境下的红外成像仿真的效果很好。     

BaCO3基低温共烧陶瓷基板工艺及性能分析

对用于封装的BaCO3基低温共烧陶瓷基板LTCC材料进行了研究,包括组分配制以及陶瓷制备工艺研究。对烧结后陶瓷的部分热性能以及力学性能进行了测试。结果表明:BaCO3基低温共烧陶瓷较为致密的密度在3.8～4.2g/cm3,在900℃烧结的陶瓷机械形变较小。     

基于FPGA的高速AD转换

在雷达设计中,需要对接收到的信号首先进行模数转换,其转换速度和准确性直接决定了之后FFT等运算的准确性,最终影响雷达测量精度。介绍了一种基于FPGA,利用芯片ADS7890实现一种快速14位串行AD转换,对系统的软件和硬件做了说明。硬件部分主要为ADS7890的基本外围电路以及芯片EP2C35F672C与其的控制连接,软件部分利用Quartus Ⅱ 8.0编程。     

一种基于追踪算法的干扰对消技术

无人机等小型平台上的雷达干扰机的收发隔离问题会严重影响其侦察与接收同时工作。假设真实耦合路径稀疏的环境下,基础的系统辨识最小方差无偏估计量算法在解决收发隔离问题时,对系统传递函数的辨识精度不够,隔离效果不够理想。针对此问题提出了一种基于系统辨识理论与稀疏理论相结合的追踪算法。该算法利用了干扰机接收天线与发射天线之间干扰耦合路径的稀疏性,可以对耦合路径实现精确辨识,并且算法的鲁棒性较好。理论分析和仿真结果表明:稀疏时不变的耦合环境下,该方法能够取得较理想的隔离度,可以很好地解决小型平台上雷达干扰机的收发隔离问题。     

半导体设备真空与检漏

基于实际应用,介绍了半导体设备真空结构和真空室常用部件,讲述了He质谱检漏仪的使用方法.总结了真空检漏的经验,阐述了微漏难检的现状.分析了磁控溅射台和ICP真空故障,采用静压检漏法和He质谱检漏仪检漏法,给出了零部件微漏导致这些设备抽不上高真空的结论.指出今后的发展方向是真空部件小型化,以及根据设备特点来提高真空部件的可靠性.结果表明,先排除干扰因素,再细心检漏,可大大提高检漏效率,使设备尽快恢复正常.     

基于拉曼散射原理的分布式光纤测温系统研究

在研究拉曼散射原理及其应用技术的基础上,开发了一种分布式结构的光纤测温系统。通过对光纤的拉曼散射光谱信息进行解调处理,实现了全光纤的分布式温度检测。系统达到的温度分辨率为0.3℃,空间分辨率为3m,最大测量距离为6 000m。相关的实验室和野外试验结果表明,该系统的主要性能指标能够满足实际工程的使用要求。     

快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响

利用PECVD在硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,将沉积膜后的样品放在N2气氛中进行快速热处理(RTP),研究了不同快速热处理对PECVD氮化硅薄膜件能的影响.采用原子力显微镜(AFM)检测薄膜的表面形貌,利用椭圆偏振仪测量样品膜厚和折射率,利用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测鼋样品的少子寿命.实验结果表明随着RTP温度的升高,薄膜厚度迅速减小,折射率迅速增大;低于500℃热处理时,少子寿命基本不变;高于500℃热处理时,随着温度的升高,少子寿命急剧下降.氮化硅薄膜经热处理后反射率基本不变.