装配条件对X80钢外根焊接头成分与性能的影响

摘要： X80钢管道铜衬垫外根焊全自动焊接过程中,装配条件的改变对铜衬垫熔化导致的Cu元素向焊缝扩散及接头的力学性能具有一定影响。系统地分析了不同对口间隙与错边量对X80钢管道铜衬垫外根焊全自动电弧焊接接头的Cu元素含量和力学性能的影响。通过能谱分析和化学成分分析对焊缝中的Cu元素含量进行表征,利用拉伸试验、常温冲击试验及背弯和侧弯试验测量不同装配条件下接头的力学性能。结果表明,对口间隙大于1.0 mm或错边量大于3.0 mm的装配条件下焊缝成形质量差;在保证获得良好焊缝成形的条件下,对口间隙和错边量的增大会导致根焊层底部Cu含量的增加,但不同条件下焊缝的Cu元素含量均低于0.5%(质量分数),铜衬垫的使用对焊缝Cu元素含量影响不大。接头的力学性能测试结果显示,不同装配条件下得到的接头抗拉强度和冲击韧性差异较小,且拉伸试样均断裂在母材位置,热影响区的冲击韧性优于焊缝,而对口间隙和错边量的增加会降低接头的弯曲性能。 创新点： 研究了不同装配条件对X80钢管道铜衬垫外根焊接头的Cu元素含量和力学性能的影响,发现对口间隙和错边量的增大会导致根焊层底部Cu元素含量的少量增加及接头弯曲性能的下降,而对接头的抗拉强度及冲击韧性无显著影响。     

过渡金属Fe、Co掺杂二维CuI的第一性原理计算

基于第一性原理计算,利用OTFG方法计算了本征2D CuI、Fe以及Co掺杂后2D CuI的几何结构以及光电特性.计算结果表明2D CuI的能带结构带隙值为1.61 eV;Co掺杂在2D CuI中引入了两条浅施主能级以及两条深施主能级,从而增加了载流子的浓度;Fe掺杂后引入了2条施主能级,这意味着Fe掺杂不影响2D C...     

采用近红外在线监控水性聚氨酯施胶过程中胶层水分

胶层所含水分是影响水性聚氨酯分散液(PUD)胶黏剂粘接效果的重要参数。为了对PUD胶层粘接时的水分进行在线监测,探索采用近红外(NIR)水分测试仪进行测量,并与称量法测试结果相对比,同时考察测量探头与胶层的距离、角度以及测量速度等因素对测量结果的影响。结果表明,当胶层为乳液状态时测量误差较大,当PUD干燥至胶膜状态时误差较小;探头的测量角度、距离对测量结果影响不大,在施胶量一致的前提下,可以用NIR水分测试仪在线检测胶层水分。     

混沌和DNA运算结合的图像加密算法仿真

提出了一种混沌和DNA运算结合的图像加密算法,为了实现密钥与明文关联,算法引入了哈希函数,借助哈希函数的单向性和雪崩效应,实现密钥与明文关联,增大密钥空间.通过哈希函数SHA-512计算明文图像和外部密钥的哈希摘要,并将其作为内部密钥.同时算法结合高维Chen氏超混沌系统和一维SPM映射进行设计,对明文图像进行分块处理,然后在Chen氏超混沌序列的选择下对各个明文图像块进行DNA加密运算,最后将加密得到的各密文块合成为密文图像.算法通过编程进行了仿真,结果表明提出的算法具备抗统计分析攻击和抗差分攻击等能力.     

根植地域传统文化凸显岭南水乡特色——南沙饮食城城市设计构思

通过调研总结出南沙地区地域文化特色:珠江口水系景观特色、珠三角桑基鱼塘特色、珠江上渔民(疍民)文化特色、出海口咸淡水交界处饮食文化特色,并将其融入规划构思.     

广州聚龙村清末民居群保护与利用研究

该文针对广州了矣龙村清末民居群的现状和保护工作的难点，提出要对我国历史建筑保护的现有理论与方法加以深化和创新，并就历史建筑保护与利用的关系和利用方式、保护资金的来源等问题，阐述了一些新的思路及其在保护规划和修复设计中的具体应用要点，强调保护与利用并重。     

基于神经网络理论的智能电梯联想学习功能设计

介绍了一种基于神经元网络理论的单部智能电梯联想学习的设计过程。通过调整网络输入权值使各输入之间产生内在的联系，达到乘梯者不输入目的层的情况下电梯也可以推测乘梯者的目的层，该方法适用于使用专用电梯的各种场合，给使用者带来了方便，减少了乘梯时间。     

4-二氰乙烯基-N，N-二甲基苯胺与不同表面活性剂的相互作用

用光谱法研究了荧光分子4-二氰乙烯基-N,N-二甲基苯胺(DCVA)与十二烷基硫酸钠(SDS)、聚氧乙烯(23)月桂醚(BRIJ35)、十二烷基三甲溴化铵(DTAB)胶束间的相互作用.与在水中相比,在上述3类表面活性剂溶液中探针的荧光强度分别增加到3.3、5.4和5.1倍;最大发射波长随表面活性剂浓度的增加分别蓝移了5、11和9nm.由此可知,DCVA在DTAB和BRIJ35胶束中所处微环境的极性相似,而在SDS胶束中DCVA所处微环境的极性较大.通过DCVA在3种表面活性剂溶液中的荧光强度,计算出了DCVA与其胶束的结合常数分别为1.7×103、1.4×103和8.8×102.     

Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs(001)表面形貌的热力学分析

采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上生长Al_(0.26)Ga_(0.74)As外延层,并在相同的退火条件下,分别退火0,10,20,40 min。利用扫描隧道显微镜对不同退火时间下Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs样品表面进行了扫描,得出不同退火时间Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs表面形貌特点。在40 min的热退火后,Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs表面完全熟化。本文采用基于热力学理论的半平台扩散理论模型估测获得平坦Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs薄膜表面所需退火时间,根据理论模型计算得到Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs平坦表面的退火时间和实验获得平坦表面所需退火时间一致。