Ga液滴在不同溶蚀时间下的形貌演变分析北大核心CSCD

采用分子束外延技术在Ga As缓冲层上沉积Ga液滴,探究溶蚀时间对Ga液滴形貌的影响。实验中溶蚀阶段的衬底温度为340℃,沉积6单原子层Ga液滴,在无As环境下分别溶蚀5、10和12. 5 min,待达到溶蚀时间后打开As阀,快速晶化Ga液滴。实验发现在低温、低沉积量的情况下,在溶蚀阶段Ga液滴并没有表现出在高温条件下的熟化现象而是进行一种原位的扩散。随着溶蚀时间的增加,液滴形貌逐渐由环盘结构向孔洞结构转变,内环的生长也表现出各向异性,倾向于沿[110]方向生长。随着溶蚀时间的延长内环的生长将集中于[110]方向的一边上,其高度明显高于其余三边。[110]方向上内环的高度差随溶蚀时间的增加而增加,但增速变缓。本文分析了这些现象的原因,并提出了Ga液滴在溶蚀阶段形貌演变的模型。     

中文搜索引擎概念检索初探

搜索引擎传统的关键词匹配检索模式存在很多问题,概念检索是解决这些问题的关键技术之一。该文简要介绍了概念检索的主要内容,针对中文搜索引擎,探索出了一种基于概念语义网络知识库的概念检索模型。在此基础上,针对计算机这一特定领域,创建了一个含有500多个概念节点,包括概念层次关系和近300种概念相关关系的语义网络,初步实现了计算机领域文档的概念检索。实验结果表明,该模型对于提高中文搜索引擎的智能水平是非常有效的。     

计及功率耦合影响的虚拟同步机有功传输特性分析

虚拟同步机(virtual synchronous generator,VSG)因能够提高新能源发电系统主动支撑电网的能力,得到了广泛应用。然而,随着新能源比例的升高,电网强度逐渐降低,系统的稳定性可能因VSG传输的有功功率超过其有功传输极限而受到不利影响。忽略功率耦合因素影响将给VSG的有功传输极限分析带来一定的误差。为了解决这一问题,首先建立了VSG的基本模型,并基于所建模型再次强调了有功传输极限与功角稳定性的关系。然后针对不考虑和考虑功率耦合影响2种场景,分别分析了线路阻抗角、功率因数角对VSG有功传输极限的影响规律,分析结果表明：不考虑功率耦合时,增大线路中阻性成分可以提高VSG的有功传输极限,而考虑功率耦合时,VSG发出一定的无功功率可以增大其有功传输极限,若VSG吸收无功功率则会起到相反的效果。最后通过Matlab/Simulink仿真验证了理论分析的正确性。     

如何调整磨机传动齿轮的齿顶间隙

矿山机械磨机的传动齿轮转速低、受力大，模数大而且齿面宽，因此，对载荷分布均匀性的要求较高。另外，为了补偿受力后轮齿发生的弹性变形和用来提供正常的润滑所必须的储油间隙，也要求有较大的传动侧隙。     

油库设备技术鉴定存在的问题及对策

在油库中搞好设备技术鉴定是提高油库科学管理的重要手段,是确定设备更新淘汰、修理维护的技术支撑。从设备技术鉴定在油库设备管理的作用出发,分析了当前油库设备技术鉴定中存在的问题,并针对性地提出加强和改进的措施。     

特种动物绒毛有髓纤维比例的研究

采用光学显微镜,选取狐狸绒、貉子绒和兔毛等为试样,对这几类纤维中有髓纤维所占比例进行了测量和比较.结果表明,狐狸绒有髓纤维比例均达到了90％以上,兔毛在75％左右,貉子绒在50％ ～ 70％之间.狐狸针毛有髓纤维比例最大,接近100％,貉子针毛有髓纤维比例超过了90％,山羊粗毛有髓纤维比例接近90％.通过测量有髓纤维比例来鉴别狐狸绒纤维具有一定的可行性.     

油库设备技术鉴定存在的问题及对策

从设备技术鉴定在油库设备管理中的作用出发,指出了当前油库设备技术鉴定工作中存在的问题,并有针对性地提出了加强和改进的措施。     

GaAs(001)薄膜表面形貌相变过程

采用STM以及RHEED技术对于GaAs(001)的表面形貌相变过程(有序平坦→无序平坦→粗糙)进行了深入研究。通过GaAs(001)在不同As BEP、不同温度的表面形貌相变过程的研究发现,As BEP和温度的变化是促使表面形貌相变发生的主要原因,高温引起原子重组致使表面重构的演变是GaAs(001)薄膜发生表面形貌相变的主要内在机制。单一表面重构或某一重构占绝对优势的表面形貌处于有序平坦状态;多种重构的非等量混合表面是无序平坦状态的主要表面形式;当表面重构难以辨别时,表面形貌也将进入岛上高岛、坑中深坑的粗糙状态。研究还观察到,当As BEP和温度足够高时,GaAs(001)表面形貌相变将不会出现无序平坦状态,表面将直接从平坦转变为粗糙状态。     

RHEED实时监控下MBE生长不同In组分的InGaAs薄膜

利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在GaAs（001）基片上外延生长了不同In组分（39%、29%、19%）的InGaAs薄膜。比较RHEED强度振荡以及RHEED衍射图像,发现随着In组分的增加In-GaAs的生长将很快进入三维粗糙表面生长模式,并指出In0.19Ga0.81As和In0.29Ga0.71As薄膜处于（2×3）表面重构相。In0.19Ga0.81As样品进行退火处理后完成STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的In-GaAs薄膜。