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62.
华兴寺是深圳东部华侨城旅游区建设的一组佛教文化景点,它不同于传统的寺庙,在功能配置、空间格局、建筑形态处理等多方面有所突破和创新。本文回顾了该项目的设计过程,并从功能布局和建筑形态两方面分析了该项目的设计特点。  相似文献   
63.
核级不锈钢与镍基合金异种金属环接头在焊接过程中发生裂纹是主要缺陷。从合金元素、打底焊工艺、焊接热输入、约束状态等方面对异种金属环接头焊接裂纹开展成因分析与控制,通过接头射线检验、金相检验、残余应力分析等手段对接头开展性能评价,有效消除了不锈钢与镍基合金异种金属环接头焊接裂纹,降低了焊接接头的残余应力水平。该研究结果对不锈钢与镍基合金异种金属环接头焊接裂纹的控制具有重要的参考意义和实用价值。  相似文献   
64.
通过改变衬底降温速率的方法利用分子束外延(MBE)和扫描隧道显微镜(STM)联合系统制备了不同形貌的GaAs(001)表面。采用SPIP软件测量统计和Bauer定则理论分析,研究了粗糙GaAs(001)表面对In015Ga085As薄膜生长的影响。结果表明粗糙GaAs(001)表面存在大量的岛和坑,表面能增加,易于In015Ga085As薄膜层状生长形成平整表面。经计算,面积为100×100 nm2的粗糙GaAs(001)表面相对平坦GaAs(001)表面,其表面能增加了4.6×103 eV,大于生长厚度为15 ML的In015Ga085As薄膜应变能(2.3×103 eV),说明In015Ga085As薄膜在粗糙GaAs(001)表面的外延生长模式为层状生长。  相似文献   
65.
气缸在任意中间位置定位的控制是既有广泛实际需求,又有很大技术难度的一个难题。采用气动伺服阀、高速开关阀等控制方式虽然可以实现较高精度的气缸定位,但伴随而来的是成本显著增加或运行速率的降低。为此,研究采用一种集成式数字阀用于气缸的位置控制,以期在低成本的前提下,能高速率地实现较高精度的气缸位置控制。首先通过理论分析和数值仿真设计了一种结构紧凑的集成式数字阀,该阀可以高效地控制输出流量,进而在高速大流量和低速小流量的控制需求上切换。在此基础上,研究了基于这种集成式数字阀的位置控制策略。试验结果表明:采用PID+模糊混合控制策略时,系统在目标点附近保持稳定,重复定位精度可达0.3 mm,响应时间小于1.2 s,具有良好的应用前景。  相似文献   
66.
离心泵具有性能范围广、流量均匀、结构简单、运转可靠和维修方便等诸多优点,因此离心泵在工业生产中应用最为广泛。本文阐述了离心泵的工作原理,分析了离心泵常见故障的原因,并提出相应的处理方法。  相似文献   
67.
本文分析了现有几种常用的锅炉给水除氧方法,如物理除氧、化学除氧、电化学除氧,并指出这些方法各自不同的适用范围。在此基础上,找出它们的优缺点,提出了锅炉给水除氧方法选用的建议性意见。  相似文献   
68.
基于海洋石油工程施工现场,总结了现有有色金属管道焊接背部充氩常用的整体充氩和局部充氩方法,整体充氩方式生产效率低、氩气消耗量大、施工成本高,且不利于绿色节能环保,而现有局部充氩的水溶纸方式暂无统一标准,且使用条件有严格限制,对管道试压介质有严格要求,另外常用的海绵塞子局部充氩的方式密封性能一般、操作效率低、易磨损,重复使用率低,基于此改进设计了气缸式自动膨胀充氩保护装置,主要由气缸、橡胶塞子、传动轴等构成。本装置重量轻,充氩之前将充氩装置放置到位,再启动气缸带动橡胶塞通过挤压膨胀,该装置密封性强,塞子自身放置到位过程与管内壁无摩擦,达到重复使用损耗较小的目的,保证装置自身使用寿命。经过施工现场实际应用,发现对于150 mm管道焊接,使用本改进的气缸式自动膨胀充氩保护装置进行管道背部充氩保护,可有效减少焊接过程的氩气使用量75%以上。  相似文献   
69.
利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控InGaAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长In0.86Ga0.14As,在GaAs(001)基片上生长In0.14Ga0.86As(厚度均为20原子层)单晶薄膜。采用扫描隧道显微镜对原位退火后的InGaAs样品进行扫描,发现不同组分的InGaAs呈现不同的表面形貌。虽然生长的初始表面都是原子级平坦,但是由于晶格常数差异触发不同类型的表面应力,促使In0.14Ga0.86As/GaAs薄膜中台阶边缘平滑扭曲,而在In0.86Ga0.14As/InAs薄膜表面台阶却呈锯齿状;同时,由于不同类型表面应力的作用,低In组分薄膜形成更多的二维(2D)岛。  相似文献   
70.
针对目前海洋钢结构制造过程中,管线加工量大,工期紧张,人工统计管线工作量容易出错等问题,根据生产需求,设计一套软件系统,使用条码自动记录生产状态,统一公司统计模板,为生产和项目管理服务。  相似文献   
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