加工工艺对马铃薯全粉面条品质影响的研究

本文研究了马铃薯全粉添加量、和面时间、醒发温度和醒发时间对马铃薯全粉面条品质的影响。结果表明:当马铃薯全粉添加量为15%、和面时间15 min,醒发温度20℃,醒发时间40 min时,制作的马铃薯全粉面条的干物质损失率为8.97%,最大拉伸力17.48 g,剪切硬度170.36 g,感官评分达95分,面条的质构品质和感官品质最佳。     

In0.53Ga0.47As/InP(001)薄膜表面重构的研究

通过扫描隧道显微镜(STM)以及反射式高能电子衍射(RHEED)对在不同As4等效束流压强(As4BEP)下生长的In0.53 Ga0.47 As薄膜表面重构进行研究.研究发现在两种As4 BEP条件下,样品表面重构都以(4×3)/(n×3)为主,并存在c(6×4)、β2(2×4)以及α2(2×4)三种重构类型.和低As4 BEP条件相比,高As4 BEP条件下反射式高能电子衍射仪图像更加清晰,高分辨率的STM扫描图片也能够分辨出各种重构类型.对高分辨率的STM扫描图像进行进一步分析得到,随着As4 BEP的升高,β2(2×4)重构类型明显减少,这是由于高As4 BEP减少In偏析,从而抑制β2(2×4)重构的产生.     

不同In组分对In_xGa_(1-x)As物理性质影响的研究

对InxGa1-xAs在x从0~1变化时的晶格常数、原子弛豫情况、分波态密度进行计算,结果表明当In组分增大时,晶格常数增大规律与Vegard定理吻合。体系弛豫后,Ga—As键长变小程度会随In组分增多而变大,In—As键长变小程度基本不随In组分变化;In—As—In键角会变小,当In组分超过0.625时,其变小程度非常微弱;Ga—As—Ga键角和Ga—As—In键角有不同程度地变大,且Ga—As—In键角的变化幅度在In组分为0.5时最严重;体系分波态密度的计算结果表明,In掺杂会严重影响GaAs材料的物理性质。     

广东咨议局旧址

广东咨议局旧址是晚清宪政改革的重要史迹,是广州重要的历史建筑。本文论述了其历史价值和建筑特色,并介绍了恢复其南入口头门的设计方案。     

16原子GaAs超胞中In替位式掺杂模型研究

对16原子GaAs超胞中In替位式掺杂的模型进行深入研究,发现当In掺杂比例从0~1变化时,具有256种掺杂方式,共计13种对称属性。研究还发现在相同掺杂比例下模型具有不同对称属性,同一对称属性对应不同掺杂比例。论文还对其中4种情况的态密度进行计算,计算结果显示In掺杂的比例是影响GaAs超胞物理性质的重要因素,而对称性对物理性质的影响可以忽略不计。     

InAs(001)表面金属化的转变

论述了利用分子束外延方法在InAs(001)基片上生长InAs时,样品表面由富As的(2×4)向富In的(4×2)转变的现象。通过控制生长参数生长出了较好的富As(2×4)表面。在As压不足的情况下,轻微的提升样品衬底温度,样品表面逐渐转向富In表面的(4×2)结构,呈现出(3×1)混合相。通过实验分析及软件模拟确定表面(4×2)结构区域已覆盖多达90%,表明样品表面大部分已金属化。