MBE MD AlGaAs/GaAs调制反射谱及其与2DEG浓度的关系(英文)

The two-dimensional electron gas concentration dependence of photore-flectance of n-AlGaAs/GaAs heterostructures is reported and explained by analysing the physical process induced by photo-modulation. Comparison of the experimental results and energy level calculations based on a triangular potential well approximation shows good agreement.     

Al_xGa_(1-x)As-GaAs多层量子阱结构的流体静压光荧光研究

本文对Al_xGa_(1-x)As-GaAs多层量子阱结构的子带间跃迁能的压力关系做了77K低温下的光荧光光谱研究.实验结果表明,未掺杂的量子阱的非本征发光主要来自缺陷的束缚激子d~ox.d~ox束缚激子态在量子阱中的压力系数(5meV/kbar)与体材料中的压力系数(2.7meV/kbar)的比较表明,在量子阱中深中心发生了浅化.通过对不同子带间跃迁能的压力关系测量给出了GaAs Γ谷相应能量点的压力系数,结果表明Γ谷并不是以同一压力系数移动的刚性球.最后测量了量子阱的发光强度随压力的变化.     

GaN压电效应对载流子浓度的影响

在ＮＨ３源ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＮ中观察到较大的双轴张应变．随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Ｈａｌ测试得到的背景电子浓度增大．本文应用ＧａＮ的压电效应对此进行了解释．     

推进水利工程管理现代化的思考

党的十九大开启了全面建设社会主义现代化国家新征程,标志着我国现代化进程进入了新阶段。水利现代化作为中国特色社会主义现代化的组成部分,水利工程管理现代化则是水利现代化的重要体现。文章系统梳理分析了十九大以来水利工程管理面临的新形势新要求,以及典型地区在水利工程管理现代化方面的有益探索,从现代化的目标、行业发展、市场化、技术应用等方面对如何推动水利工程管理现代化进行了讨论。     

多孔射油器的全三维数值理论设计

对某多孔射油器进行了全三维数值理论计算分析,为汽轮机润滑油系统的设计和故障诊断提供了理论依据。     

发动机曲轴系统动力学数值模拟研究

通过研究曲轴系多体动力学,不仅可以预测曲轴系的振动、强度、疲劳及润滑特性等,还为研究发动机表面振动特性,并进而为预测发动机结构声特性提供了重要激励。本文采用子结构有限元模型,在考虑流体动力润滑的基础上,建立曲轴系统多体动力学数值分析模型。完成了某型发动机曲轴系统动力学的模拟计算,根据计算结果对曲轴强度和润滑特性进行了分析。结果表明：这种方法可用于曲轴系的设计和改进。     

水利市场信用评价管理体系建设思考——以北京市为例

基于我国全面建设社会信用体系背景,按照水利行业强监管的总体思路,在阐述水利市场构成及信用管理体系建设内涵的基础上,以北京市建设市场信用管理体系为例,阐述其建设情况及取得成效,总结管理体系对货物和服务采购有监管短板、信用评价没有强制性、沟通和联合奖惩机制不完善等问题,并提出建立行业信用管理体系、从推行行业资质到信用修复的...     

封装设计中传输线损耗的理论计算

针对高速信号设计中反射引起的信号完整性问题,推导了单一网络中散射参数关于阻抗分布的数学表达式,明确了传输结构中阻抗失配程度与分布长度对回波损耗的影响。基于该表达式,进一步阐述了时域、频域中反射计算的差异性。结合常见的频域现象和仿真预测,解释了回波损耗高频恶化、回波损耗不对称的原因,提出了适用于特定频率范围的反常规阻抗匹配设计思路,为初涉信号完整性设计领域的人员深入浅出地理解阻抗匹配提供了参考。     

RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子气浓度为9.6×1012cm-2的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm)的室温非本征跨导为186mS/mm,最大漏极饱和电流密度为925mA/mm,特征频率为18.8GHz.     

RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为10 35 cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为1.0×10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为2 6 5 3cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为9.6×10 1 2 cm- 2 的Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm )的室温非本征跨导为186 m S/m m,最大漏极饱和电流密度为92 5 m A/m m,特征频率为18.8GHz.