基于中智理论的交流永磁同步电机PID参数自整定控制器

实际控制应用中,交流永磁同步电机需要工作在不同的响应特性下,为了满足这种需求,基于中智理论设计了一个能够实现不同响应特性的交流永磁同步电机转速控制器。根据不同的响应特性,构建了中智成员函数;然后结合余弦测量定理设计了PID参数自整定控制器,以实现基于响应需求对控制器参数的调整;最后,基于MATLAB平台设计了两种具有典型系统响应特性的控制器,并验证了所设计控制器的有效性。     

计及用户决策的异质性与不完全理性的电网-充电运营商协同运行

随着电动汽车和快速充电站的快速发展，电力网络与交通网络之间的耦合日渐增强。作为激励信号，充电价格是引导车辆用户的路径与充电选择的有效手段。为挖掘电动汽车充电负荷的空间灵活性，提出一种电网-充电运营商协同优化架构。首先，基于离散选择模型，对电力-交通融合网络进行建模，完成计及用户决策的异质性与不完全理性的充电负荷计算。之后，通过电网调度与充电运营商的合作，实现充电价格与充电容量的协同优化，对车辆用户的行为模式进行引导，以发掘电动汽车充电负荷的空间可平移潜力。最后，计及充电运营商在合作中的收益损失，基于纳什谈判机制对合作中产生的净收益进行合理分配。算例表明，所提协同运行架构有效地降低了电网的供电成本，同时从个体理性角度保证了合作联盟的稳定性。     

硝酸氧化乙醛制乙二醛新工艺

研究了以高碳氧化叔胺作为硝酸氧化乙醛制乙二醛的催化剂，保护醛基，提高硝酸氧化乙醛甲基的选择性；并探讨了反应温度、催化剂用量及物料配比对乙二醛收率的影响，获得了较适宜的工艺条件。     

R290替代R22的解决方案综述及展望

作为一种兼顾环保、节能的制冷剂,R290与R22的标准沸点、凝固点、临界点等基本物理性质非常接近,具备替代R22的基本条件,拥有广阔的应用前景和市场价值。但由于其与空气混合能形成易燃易爆混合物,存在重大安全隐患,抑制了R290制冷产品的推广和应用。本文通过总结国内外学者对改善R290制冷系统所做的研究,分析了R290替代R22存在的弊端,对提高R290系统安全性的解决方案进行综述,并根据最新研究,分别从减少制冷剂灌注量、间接使用R290以及加入阻燃剂方面对今后的研究方向作出展望,以期推广R290在制冷产品中的使用。     

主动式头枕装置的机构设计与运动仿真

汽车主动式头枕能够在汽车追尾碰撞过程中有效地减小头枕和头部的间距,从而实现对车内乘员头颈部的保护作用。针对现有汽车主动式头枕装置的设计缺陷与不足,基于模块化设计方法,对主动式头枕机构进行创新设计,对该机构建立相应的运动学模型,并用UG/Motion模块对机构运动状态进行分析。结果表明机构运动轨迹符合设计要求,运动过程无干涉发生,最后通过实物样机验证了本机构设计的可行性与正确性。     

磺酰肼类发泡剂的合成与应用研究进展

磺酰肼发泡剂因其无毒、无味、发泡量大,在塑料、橡胶等发泡材料加工过程中有着重要的作用,其合成与改性研究也因此受到人们的广泛关注。本文对苯磺酰肼、对甲基苯磺酰肼、双苯磺酰肼等磺酰肼类发泡剂的合成方法及应用进行了评述,讨论了不同发泡剂合成工艺路线的优缺点,并对适合工业化生产的工艺路线进行了对比分析。     

化工储罐泄漏防控实训平台开发

随着化学工业的蓬勃发展,化工储罐类火灾事故时 有发生,应急管理和消防救援部门高度重视危化品事故应急救援 能力的训练工作。通过开发储罐泄漏防控实训平台,设置3 种不 同的储罐泄漏形式,每种泄漏形式根据不同的泄漏孔径和泄漏时 间分为21 个子场景,共设置109 个泄漏子场景,利用火焰发生装 置模拟真实火灾状态,构建不同火灾情景,依据实训难易程度设置 4 个考核等级,满足了化工储罐泄漏全方位火灾防控综合能力训 练的要求。     

高效且易用的数字电源

数字电源作为一个新技术近年来常常见诸于各种技术媒体,然而,从我们的推广情况来看,对于很多电源设计工程师来说,它依然只是一个新概念,似乎离他们的产品设计还比较遥远.     

聚丙烯降解母粒的制备及应用

采用粉体造粒技术制备聚丙烯降解母粒,使降解母粒能均匀分散在聚丙烯粉料中,防止粉末状或液态降解剂形成架桥或出现黏壁造成产品波动,能在聚丙烯装置使用化学降解法生产高熔体流动速率的聚丙烯,使熔体流动速率波动范围控制为±3g/10min。     

GaAs单片二极管双平衡混频器

采用0.25μm的GaAs工艺制作了一款单片二极管双平衡混频器。基于环形二极管双平衡混频器的基本工作原理,提出了LO巴伦与RF巴伦的区别所在,并以Marchand巴伦为LO巴伦,以triformer巴伦作为RF巴伦。在优化了局部电路后,再与环形二极管组成整体电路,并对整体电路进行了优化。最后对版图进行EM仿真,并稍作调整以改善EM仿真结果。当本振功率在13dBm时,实测得转换损耗在低本振和高本振下约为11.5dB和10.5dB,LO端口到IF端口和RF端口隔离度分别为30dB和35dB,LO端口和RF端口驻波分别小于2和3.5,实测结果与仿真结果基本一致。