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71.
Sm掺杂对Ca3Co4O9+δ基化合物高温热电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
用溶胶-凝胶法合成了Ca3-xSmxCo4O9+5(x=0,0.15,0.3和0.45)化合物粉体,并用SPS(Spark Plasma Sintering)烧结方法制备出相对密度>95%的块体材料.研究了Sm掺杂对其高温热电性能的影响.结果表明在Ca位用Sm替代后材料的Seebeck系数和电阻率都增大,热导率降低.当Sm的掺杂量为10%(即x=0.3)时可获得最佳的热电性能,1000K时它的ZT值可达0.3. 相似文献
72.
对具有电脉冲诱发电阻可逆变化(EPIR)特性的多晶La0.9Ca0.1MnO3在相同条件下经氩气和氧气退火后样品的磁矩和比热进行了研究.实验结果表明,经氧气退火后的磁矩和比热分别比氩气退火后的磁矩和比热增大.对氧气退火后的比热和氩气退火后的比热做差处理后发现,两种气氛退火后的比热差与T3/2成线性关系.经氧气和氩气退火后的区别在于氧离子浓度的变化.经氧气退火后,氧离子浓度增加,导致样品中铁磁区域的增大,引起磁矩和比热增大.退火后磁矩和比热的变化与EPIR效应中磁矩和比热随电阻状态的变化趋势一致,表明EPIR效应与氧含量的变化有关. 相似文献
73.
采用熔融法合成了Skutterudite化合物Co4-xNixSb12,并研究了Ni掺杂对该化合物的高温热电性能的影响.实验结果表明:由于Ni向Skutterudite结构中提供电子。导致化合物的载流子浓度和电导率随Ni置换量的增加而增加,Seebeck系数为负值,Seebeck系数的峰值温度随Ni置换量的增加向高温方向移动;Ni置换引入了电子-声子散射,导致晶格热导率降低.对于Skutterudite化合物Co4-xNixSb12,得到的最大热电性能指数ZT约为0.55. 相似文献
74.
75.
76.
77.
通过第一性原理与热力学结合的方法,研究了Ga,In等掺杂的Co Sb3基方钴矿化合物中的复杂缺陷问题。详细计算了Ga,In在Co Sb3中填充,Co,Sb位置替换以及填充-替换同时共存等缺陷的形成能。研究结果表明,缺陷形成能与费米能级、化学势等相关。Ga,In等在方钴矿中不是单纯的填充,而是填充和Sb位置替换同时共存的复杂缺陷。Ga掺杂以填充-替换比例2∶1的缺陷为主,而In掺杂,根据不同的条件可形成填充,替换,以及不同比例的填充替换复合缺陷,其中尤其以4∶2和2∶1最多。根据巨正则系宗,研究了Ga,In掺杂系统的载流子浓度和各缺陷的浓度。发现Ga,In掺杂的方钴矿由于填充和替换电荷的自补偿效应,其载流子浓度较低,尤其是Ga填充,具有类似本征半导体的低载流子浓度,且得到实验证实。In掺杂系统由于填充替换的比例偏离2∶1,填充位置的In比Ga的稍高一些,因此具有比Ga掺杂更高的载流子浓度。 相似文献
78.
79.
采用熔融法结合放电等离子烧结技术制备了Eu填充式方钴矿化合物EuyCO4Sb12,研究了退火时间对Eu填充量及化合物热电性能的影响.采用X射线衍射和电子探针表征了化合物的相组成及成分.在300~850 K,测试了化合物的电导率、热导率和Seebeck系数,结果表明:随着退火时间的延长,Eu在CO4Sb12中的填充量增加,电导率增加,晶格热导率降低,Seebeck系数降低;当退火时间为96h时,Eu填充量达到0.43,与名义组分相同经168 h退火所得化合物的Eu填充量相近. 相似文献
80.