4H-SiC MESFET的反应离子刻蚀和牺牲氧化工艺研究

对于栅挖槽的4H-SiCMESFET,栅肖特基接触的界面经过反应离子刻蚀,界面特性对于肖特基特性和器件性能至关重要。反应离子刻蚀的SiC表面平滑度不是很好,刻蚀损伤严重。选择合适的RIE刻蚀条件减小刻蚀对半导体表面的损伤;利用牺牲氧化改善刻蚀后的表面形貌,进一步减小表面的刻蚀损伤。工艺优化后栅的肖特基特性有了明显改善,理想因子接近于1。制成的4H-SiCMESFET直流夹断特性良好,饱和电流密度达到350mAmm。     

裂缝性底水油藏基质储量动用程度研究

裂缝性底水油藏的储层类型为双重孔隙介质,分为裂缝和基岩两部分,目前国内外一般都是对整个油藏的采出程度进行研究,对裂缝性油藏裂缝系统和基质系统采出程度分别研究的极少,这类油藏由于裂缝发育、底水能量强,容易造成底水沿裂缝的快速锥进,油井含水上升快,产量递减幅度大,因此准确认识基质系统储量的动用程度对于该类型油藏的开发具有一定指导意义。利用物质平衡方法分别建立了基质、裂缝系统的物质平衡方程,结合Leverett函数,通过实例分别计算出了某裂缝性底水油藏基质系统和裂缝系统储量的动用程度,并预测了最终基质系统储量的采出程度;将该结果与同类裂缝性油藏开发效果对比表明,该裂缝性底水油藏裂缝系统和基质系统的动用程度都较好。     

下二门油田边水气顶油藏开发特征及调整对策

下二门油田Ⅰ断块核二段边水气顶油藏自1978年投入开发,已进入高含水开发期,早期开发气窜,边水能量较强,油气水界面的差异及开采过程中的变化,使得油气水分布状况异常复杂,井网适应性变差,储量控制程度降低,针对后期剩余油的分布状况,为提高储量控制程度,控制含水、改善开发效果,通过对油井开采特征研究,分析影响开发效果的主要因素,提出了重构开发单元、井网调整,充分发挥水平井在提高储量控制程度、增加单井产量的技术思路,并在应用中取得了很好的开发效果。     

一种求取二维地震测线交点的方法

主要采用"窗口剪切"、建立直线方程、求二元一次方程组及判别落点范围和排序等处理手段,用计算机来解决科研人员对二维地震测线数据的收集、整理、计算、编制报表等繁琐工作,大大提高了工作效率,对今后的科研生产有着积极的推动作用。     

SiC MESFET微波功率器件的研制

利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC微波功率器件的研究.通过对欧姆接触和干法刻槽工艺的优化,研制出高性能的SiC MESFET.利用1mm栅宽SiC MESFET制成的微波功率放大器在2GHz 64V工作时,连续波输出功率达4.09W,功率增益为9.3dB,PAE为31.3%.文中还给出了SiC功率放大器在微波大信号工作时的稳定性的初步测试结果.     

一种减小数字阵雷达非线性相关的方法

对非线性阵列相关问题进行分析,提出了一种新的非线性去相关技术来提高数字阵瞬时动态范围。该方法主要在接收机中利用了方向相反的两级相移,第一级在接收机前端,第二级在数字部分。理论分析表明利用该方法能有效地去相关杂散、互调失真等各种非线性,从而最大限度地提高系统的瞬时动态范围。仿真结果验证了该方法的有效性。     

FP腔半导体激光器的腔内损耗和准费米能级差的测量

利用一种拟合方法测量FP腔半导体激光器的腔内损耗和准费米能级差.从放大的自发发射谱,利用Cassidy方法得到用于拟合过程的增益谱和单程放大的自发发射谱.利用上述方法,测出的15 5 0nmInGaAsP量子阱脊型波导结构激光器的腔内损耗大约为2 4cm-1.     

企业档案数字化建设的探索与实践

本文从核电秦山联营有限公司档案数字化建设的探索与实践，提出了企业档案数字化建设过程中应当关注的问题。     

浅谈建立石油勘探开发可视化信息管理系统

石油勘探开发及综合处理信息是石油勘探开发的第一财富,是油田赖以生存的基础。本文简要介绍了河南油田勘探开发数据库发展状况,以及建立可视化信息管理系统的必要性、可行性及系统应具有的性能。通过近几年的系统工作,从数据整理、录入、校验、入库、数据库管理、数据库应用软件开发及数据库应用等方面均已步入正轨,并取得了一批成果,为科研生产和决策奠定了较好的基础。     

一种斜视SAR成像算法

该文详细分析了斜视SAR的成像原理,研究了大斜视SAR与正侧视SAR回波信号的差异,在此基础上,提出了一种高运算效率的成像方法,实现了大斜视SAR成像,并获得较好的图像分辨力。