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采用非均相沉淀法在3 mol%氧化钇稳定的氧化锆粉体表面包覆0.5%~1.5% (质量分数) 的Al2O3,研究了包覆Al2O3对3Y-TZP陶瓷的致密化及时效敏感性的影响。实验采用热膨胀仪测定氧化锆生坯的致密化过程,生坯经1450 ℃烧结致密化后,测试烧结体的密度、平均晶粒直径和机械性能。采用XRD、SEM表征材料的显微组织。结果表明:相比于传统的共沉淀法,通过表面包覆的方式向氧化锆中加入少量的Al2O3更能促进3Y-TZP陶瓷的烧结致密化。表面包覆少量Al2O3的3Y-TZP可在1350~1400 ℃烧结致密化。此外,表面包覆Al2O3能显著降低3Y-TZP陶瓷的时效敏感性,这与大量Al3+ 在3Y-TZP陶瓷晶界的偏聚有关 相似文献
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用溶胶-凝胶法和浸渍-提拉工艺在载波片上制备了均匀、透明的WO^3+掺杂的纳米TiO2薄膜.用XRD、紫外-可见分光光度计分析了样品的晶相和光吸收性能,研究了WO^3+的掺杂、掺杂量及热处理温度对薄膜可见光致亲水性的影响,并考察了薄膜在停止光照后,其亲水性能的变化.结果表明,与纯TiO2薄膜相比,掺WO^3+的TiO2薄膜对可见光的吸收有所增强,并有一定的红移现象,且在可见光照射下,亲水性能都有提高,WO^3+的最佳掺杂量为3%(物质的量比);薄膜的最佳煅烧温度为773K;停止光照后,掺WO3+的TiO2薄膜亲水性能持续的更久. 相似文献
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采用溶胶凝胶法在白云母沿(001)方向的解理表面制备VO2/TiO2热致相变复合薄膜。利用X射线衍射仪(XRD),X射线光电子能谱仪(XPS),原子力显微镜(AFM)等手段分析了薄膜的微观结构和表面形貌,通过原位傅里叶变换红外光谱(in-situ FTIR)分析复合薄膜在不同温度下的红外透过率,研究其热致相变特性。结果表明,复合薄膜在云母解理面表面呈VO2(011)/TiO2(101)取向生长,表面致密平整。复合薄膜在金属-半导体相变前后表现出优异的光学开关效应,相变过程中的红外光(波长为4 m)透过率变化(Tr)为75.5%;相变过程陡然,透过率变化率(-dTr/dT)达15.7%/℃,滞回温宽减小到8 ℃。 相似文献
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钨掺杂二氧化钒薄膜的THz波段相变性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过溶胶–凝胶法制备纯的VO2和W掺杂的VO2薄膜, 并且进行了XPS、AFM和XRD的分析与表征, 并观察了其微观形貌和结构. 同时研究了VO2和W掺杂VO2在红外光谱(λ=4 μm)和THz(0.3~1.0 THz)区域的金属–绝缘转变性能. 结果表明: 室温下W掺杂的VO2薄膜在红外和THz区域的初始透过率都比纯的VO2薄膜低. 在THz波段, W掺杂的VO2表现出更低的相变温度. 同时在VO2和W掺杂VO2相变过程中, 观察到了金属–绝缘转变和结构转变的现象, W掺杂VO2具有明显的峰位偏移现象. 相似文献
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为了提高VO2薄膜的热致相变性能,采用复合结构与掺杂相结合的方法,首先通过溶胶–凝胶法在云母基底上制备锐钛型TiO2薄膜,再在光致亲水性处理的TiO2/云母基底上涂覆V2O5以及掺钨V2O5水溶胶,然后经热处理获得VO2/TiO2及VxW1-xO2/TiO2复合薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)研究薄膜的物相、表面形貌以及热致相变特性.结果表明,VO2/TiO2复合薄膜晶体生长为(011)面择优取向;VxW1-xO2/TiO2复合薄膜产生多种取向。TiO2中间层有助于使VO2薄膜生长致密,相变温度降低,更使VxW1-xO2/TiO2复合薄膜滞后温宽降至约4℃。 相似文献
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采用溶胶凝胶及后退火工艺制备云母基底的二氧化钒薄膜,采用XRD、SEM、FTIR及色差研究薄膜的性能。FTIR结果表明:在金属-半导体相变过程中,薄膜在红外光区的透过率变化为77%;变色性能显示相变时薄膜从低温的黄褐色变为高温黄绿色,色差E*随温度的变化规律与光学开关性能类似,色差E*在相变过程中的最大值为11.31。 相似文献
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采用AgCuTi钎料实现了Al2O3陶瓷与Fe-Co-Ni合金的钎焊连接,并调查了不同钛含量的钎料对Al2O3/AgCuTi/Fe-Ni-Co钎焊接头机械性能和微观组织结构的影响。扫描电子显微镜(SEM), X射线能量色散光谱仪(EDS), X射线衍射仪(XRD)及电子万能试验机用于分析钎焊接头的机械性能和微观组织结构,结果表明:钛含量的增加明显提高AgCuTi钎料与Al2O3陶瓷的相互作用,在Al2O3/Ag-Cu-Ti界面生成一层由Ti-Al 和 Ti-O化合物组成的反应层。Al2O3/AgCuTi/Fe-Ni-Co钎焊接头的抗拉强度随钛含量的增加而增加,当钛含量提高到8wt.%时,抗拉强度达到最大值78Mpa。通过微观组织结构分析发现,采用AgCu4Ti在890℃保温5min的条件下可以获得较好的钎焊接头,典型接头的微观组织结构为Al2O3/TiAl+Ti3O5/NiTi+Cu3Ti+Ag(s,s)/Ag(s,s)+Cu(s,s)+(Cu,Ni)/Fe-Ni-Co。采用AgCu8Ti获得的钎焊接头的界面反应层与AgCu4Ti差异不大,但反应层稍微增厚,并伴有TiO和Ti3Al在Al2O3/Ag-Cu-Ti界面生成。 相似文献