在片传输线等效电路模型的传递函数分析

提出了一种通过传递函数分析来确定在片传输线等效电路模型拓扑结构的新方法。通过这种方法,可分析得出由不同1-π单元组成的等效电路的拟合能力。通过对测量S参数的有理逼近构建了一个宽带宏模型。通过对比等效电路模型与宏模型的传递函数的零点和极点,开发出一种可靠且高效的确定传递函数等效电路结构的方法。分析发现复极点决定了模型的宽带拟合能力。共面传输线到50 GHz的测量S参数证明了本文提出的方法非常有助于寻找满足精度要求且最简单的拓扑。     

2.5-10Gb/s光发射机驱动电路HEMT IC中器件模型参数

对高速调制器驱动电路HEMTIC中器件参数进行了研究,着重讨论了HEMT器件直流参数、交流参数对外调制驱动电路特性的影响,给出了满足电路性能要求的器件参数范围;对2.5-10Gb/sPHEMTIC光驱动电路进行了计算机仿真,眼图模拟结果表明满足2.5-10Gb/s高速光纤通信系统需要.     

远程空空导弹制导与控制技术

远程空空导弹采用复合制导技术,使用组合导航系统、数据链和多种导引头,以及包括气动控制舵在内的多种控制技术。讨论了远程空空导弹制导与控制技术,列举了有代表性的中远距空空导弹使用的制导与控制技术。     

一种改进的深亚微米MOSFET噪声模型

提出一种基于小信号的噪声模型,在精确提取0.13 μm MOSFET的小信号参数后,结合Pospieszalsik和pucel模型,运用噪声相关矩阵转换技术提取出所有噪声参数。利用ADS建立噪声模型,在2～20 GHz频率范围内,仿真结果与测量结果吻合良好,验证了模型的准确性。     

基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术

STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻。在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性。晶体管采用中芯国际的0.13μm RF CMOS工艺制作。     

GaAs IC CAD及其在通信电路中的应用技术

介绍了自主开发的多个完整实用的 Ga As IC CAD软件 ,包括微波无源元件建模、微波有源器件测试建模、微波毫米波 IC CAD、光电集成电路 CAD、 Ga As VHSIC CAD、微波高速 MCM CAD等 ,并简要介绍了针对 Ga As工艺线的建库工作。以上软件和库已用于多个通信电路的设计。     

用改进的差分进化算法提取HEMT小信号模型的参数

高电子迁移率晶体管(HEMT)以其噪声低和频带宽等特点在微波毫米波领域得到了广泛的应用,本文在传统优化方法的基础上,对差分进化算法进行了改进,并基于该算法对HEMT小信号等效电路模型进行了模型参数提取。实验结果表明,2×20μm GaAs HEMT器件S参数模拟结果和测试结果在40 GHz频率范围内吻合很好,误差在2%以内。     

10～40Gb/s OEIC光接收机前端的最新研究进展

基于OEIC光接收机前端的集成方式和前放电路形式介绍了OEIC光接收机前端的最新研究进展.     

MOSFET基分布式放大器的研究进展

对于一种基于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的分布式放大器的设计原理做了较为详细的阐述.从增益单元的设计、匹配网络和低噪声特性的改进三个不同的方面,介绍了MOSFET基分布式放大器的研究进展并展望了MOS-FET基分布式放大器的发展趋势.     

增强信贷管理渗透力开创银企双赢新局面

２００１年国务院下发了关于进一步深化棉花流通体制改革的意见。根据文件精神：政策性金融将逐步退出商品棉经营领域。为平稳过渡，２００１年度棉花收购资金仍由农发行按现行办法供应和管理。这是一个特殊的过渡时期，对于农发行的信贷管理工作无疑提出了更高的要求。农发行灌云县支行认真贯彻执行国务院及总、分行的有关文件精神，在进一步强化封闭管理的基础上，按照商业化管理的要求，强化风险管理意识，延伸信贷监管链条，增强信贷管理的渗透力，取得了良好效果。在２０００棉花年度投放的６３４２万元收购贷款顺利实现结零的基础上，…