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射频连接器是射频和微波系统中必不可少的器件。在射频连接器装配过程中,装配位移的变化会导致接触状态变化,进而影响传输信号完整性。针对互连射频连接器的装配位移变化影响传输电性能这一问题,通过搭建射频连接器的装配位移与散射参数测量实验平台,研究装配位移对电信号的影响。基于微波网络理论分析,引入接触区域的等效电路,将接触区域等效电路转化为端口网络与射频连接器端口网络级联,构建装配位移影响下互连射频连接器的场路耦合模型。根据该模型搭建实验平台,测量射频连接器不同装配位移下的散射参数,由实验数据拟合装配位移和接触区域阻抗的映射关系,最后构建出射频连接器装配位移的机电耦合模型。通过搭建装配位移实验平台,验证了耦合模型的有效性。 相似文献
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针对目前业界对弹性材料火安全性能的重视,从弹性材料的结构特征出发,综述了不同橡胶及弹性体的阻燃改性特点和近期研究现状,提出了现有阻燃技术面临的不足以及未来的发展趋势,为弹性体的新型阻燃技术和阻燃剂的开发提供了借鉴。 相似文献
43.
44.
45.
以岩心、测井曲线和薄片等为基础,结合前人的研究成果,对四川盆地中部磨溪-高石梯地区微生物碳酸盐岩沉积特征进行了研究,结果表明:(1)研究区灯影组四段微生物岩以藻纹层状云岩、叠层石云岩和凝块石云岩为主。(2)研究区灯影组四段属于局限台地相与台地边缘相交互沉积,微生物岩发育于台内丘和台缘丘亚相;由于微生物岩岩性的变化,垂向上可以识别出完整的丘基-丘核-丘盖、滩间海-台缘丘-台缘滩、潟湖-台内丘-台内滩等3种典型的沉积序列,横向上微生物丘主要发育于台地边缘相和局限台地相的相对隆起区。(3)微生物岩的分布主要受海平面升降和古地貌变化的共同影响,海平面的变化控制了微生物岩的垂向特征,而古地貌的变化则决定了微生物碳酸盐岩的横向分布。 相似文献
46.
高凝原油由于含蜡量高、凝固点高,井筒结蜡严重,开采效果差。根据传热学基本原理,建立了高凝原油井筒温度场数学模型,并选取了潍北油田的4口生产井,对影响井筒温度场的因素进行了分析。结果表明,油井产液量、体积含水率、油管导热系数和电热杆加热功率对井筒温度影响较大,生产时间对井筒温度的影响较小;油井产液量、油管导热热阻和电热杆加热功率的增加对改善井筒结蜡状况有利,而体积含水率(乳化水)的增加对井筒结蜡具有恶化作用,井筒电热杆加热存在最优的加热参数;采取增产(如提液、压裂、注水等)、原油破乳、保温油管以及井筒电热杆加热等措施,可有效改善高凝原油的流动性,实现高凝原油的正常举升。 相似文献
47.
48.
2000年德国机床产销连续第6年创下新高,主要有利因素有:欧元走低,亚洲市场需求大增,该行业在欧元地区不断加大投资设厂以及美国经济持续增长.德国机床协会(VDW )的资料显示,2000年德国机床产值达到180亿马克,同比增长9%,超过了1991年创下的172 亿马克的记录;出口达到97亿马克(出口率为56%),同比增长13%,接近1991年98亿马克的记录;所接订单增长37%,达到213亿马克,其中海外订单增幅高达38%,价值119亿马克,预计2001年订单将比产量多出约30亿马克.2000年德国机床产值中,切削机床产值达127亿马克,占70%,其余30%为成型机床(53亿马克). 日本和德国从20世纪80年代起主导了全球机床市场,2000年日本机床产值占全球机床产值的比重从1999年的22.4%增加到24%,位居榜首,德国从21.5%降至19.9%,以下依次为美国(11.4%)、意大利(10.6%)和中国大陆(6.3%). 相似文献
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德国西门子公司研制的电机式和电子式起动器 结构紧凑 带AS-接口 是两种具有通信能力的电动机起动器。两种起动器均可在无开关柜的情况下起动电动机。这样 既节省了装配时间 又节约了安装材料。这种结构紧凑的电机起动器 工作在V负载电压下 《微电机》2001,34(1):57
德国西门子公司研制的电机式和电子式起动器,结构紧凑,带AS-接口,是两种具有通信能力的电动机起动器。两种起动器均可在无开关柜的情况下起动电动机。这样,既节省了装配时间,又节约了安装材料。这种结构紧凑的电机起动器,工作在500V负载电压下(电动机功率2.2kW)扩展了功能。两个独立的输入端设置在机壳内,机壳上排列有M-12插孔。附加的T型转接器在标准的AS-接口布局上呈Y形分布。带两排M-12插孔。电子式起动器的结构中,组合了电子过载保护器件和电子式开关装置。特别令人信服的是每小时进行高达1800次换向操作的高开关率。许多情况下,允许固定周期(节拍时间)为2s,明显提高了该装置中输入输出信息的通过量。扩展的功能还包括遥控复位和过负荷时的应急操作。该电动机起动器在严酷的环境下(例如低至-25℃的环境温度)仍能正常工作。
(摘译自《Elektrische Maschinen》1999,10) 相似文献
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Daimlar ChryslerResearch Center Umiversity of Ulm首先报道了在GaAs衬底上生长应变In . Ga. As PIN二极管 并可用作开关MMIC。由于其底的开启电压和低的开启电阻 InP基InGaAs PIN二极管胜过GaAs开关电路 同时还具有低的DC功率以及极高的隔离度。为了避免InP衬底的有关工艺问题 采用MBE方法把应变层InGaAs二极管生长在GaAs上 采用线性InAAs应变缓冲层 其结果是消除%的应力。 已报道的SPST隔离度高达dB .dB低的插入损耗 在GHz下 直流损耗仅为.mWSPDT在GHz下已取得—dB的隔离和-.dB的插 《微电子技术》2001,29(3):22
DaimlarChryslerResearchCenterandUmiversityofUlm首先报道了在GaAs衬底上生长应变In 0 52Ga 0 4 8AsPIN二极管 ,并可用作开关MMIC。由于其底的开启电压和低的开启电阻 ,InP基InGaAsPIN二极管胜过GaAs开关电路 ,同时还具有低的DC功率以及极高的隔离度。为了避免InP衬底的有关工艺问题 ,采用MBE方法把应变层InGaAs二极管生长在GaAs上 ,采用线性InA1As应变缓冲层 ,其结果是消除 94 %的应力。已报道的SPST隔离度高达 4 5dB … 相似文献