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介绍了一种基于0.35μmGeSi-BiCMOS工艺的1GSPS采样/保持电路。该电路采用全差分开环结构,使用局部反馈提高开环缓冲放大器的线性度;采用增益、失调数字校正电路补偿高频输入信号衰减和工艺匹配误差造成的失调。在1GS/s采样率、484.375MHz输入信号频率、3.3V电源电压下进行仿真。结果显示,电路的SFDR达到75.6dB,THD为-74.9dB,功耗87mW。将该采样/保持电路用于一个8位1GSPSA/D转换器。流片测试结果表明,在1GSPS采样率,240.123MHz和5.123MHz输入信号下,8位A/D转换器的SNR为41.39dB和43.19dB。 相似文献
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基于单介质层结构,设计了一款双频宽带全球卫星导航系统(GNSS)测量型天线,天线采用单层高性能轻质复合材料作为双频微带天线共用的辐射介质基板。双频辐射贴片单元采用共面齿轮结构设计,并在天线单元外围设置一系列短路销钉来有效改善天线轴比带宽、低仰角辐射增益等参数,四馈点馈电技术和宽带耦合相移馈电网络的应用保证了天线相位中心稳定度更加可靠。设计结果表明,该双频天线单元大于等于5 d Bi的辐射增益带宽均大于245 MHz,高低频3 d B轴比带宽分别为-76°~76°和-116°~116°,低仰角90°增益滑落均小于11.5 d B,经实物样机对比测试分析,实测结果与仿真结果基本吻合。实测频谱显示,该天线工作频段覆盖目前在运行的四大导航系统全部工作频点,较好满足GNSS精确测量与定位系统终端设备应用需求。 相似文献
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制作了一种新型的结合了AlGaN材料结构和Poly(vinylidene fluoride)(PVDF)热释电材料的日盲紫外探测器。当紫外光从AlGaN一侧背照射至器件上时,测量PVDF两端的热释电响应光谱,测得峰值响应在入射光波长为260 nm处,响应电压高达129.6 mV(此时辐射功率为39.8 nW)。器件响应机理为:紫外光被i-Al0.35Ga0.65层吸收,产生光生载流子并复合生热,热量通过AlGaN材料传导给PVDF结构的电极,温度升高,PVDF对温度变化产生响应。为了进一步验证,制作了对比器件,即在AlGaN结构和PVDF结构之间加了一层多孔SiO2隔热层,测得的响应光谱中有两个峰值,一个在260 nm,另外一个在300 nm。与参考器件相比,在260 nm处的响应电压大大减小,说明了利用热效应探测的可行性。另外,测量了不同频率下的器件响应并对其进行理论拟合,深入研究300 nm处的响应机理。 相似文献
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分析电容器C的初始充电过程电压型逆变器工有源滤波器的稳定工作状态,提出四个用于判定该种有源滤波器工作和有助于该有源滤波器设计的参数。对充电过程的分析结果表明,此种有源滤波器无需附加设备就能自动完成充电过程。除此之外,作为稳态分析的结果,给出确定电压型逆变器式有源滤波器元件参数的原则。 相似文献
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