基于高速DDS芯片的宽带低杂散信号产生器的设计与实现

介绍了在现代雷达接收领域中的一种高性能信号产生器的设计方法。利用高性能直接数字频率合成器(DDS)芯片及单片机构成频率、幅度及相位可控的宽带低杂散信号产生器。实验证明该设计应用于雷达系统中的可行性。     

基于虚拟分割机制的多服务交换路由器的研究

本文提出了一处基于虚拟分割机制的可编程多服务器由器实现结构：PVSMR，并对它的三个层面的主要构成及其关键技术进行了深入研究。PVSMR基于一种有效而灵活的资源虚拟分割算法，它能够提供与多类应用相适应的、灵活的报文处理和转发控制能力。     

非平稳信号的快速傅里叶变换与小波分析的比较

在对通信系统信号进行分析时,非平稳信号是经常遇到的。采用快速傅里叶变换和小波变换对通信系统信号进行分析,比较了分析结果,证明小波分析更适合于突发信号的分析。最后给出了Matlab实验结果。     

SiC单晶生长及其晶片加工技术的进展

回顾了SiC单晶的发展历史，总结了目前的发展状况，同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺，最后介绍了SiC单晶的加工技术. 通过模拟计算与具体实验相结合的方法，调整坩埚在系统中的位置及优化坩埚设计可以得到理想温场. 近平微凸的温场有利于晶体小面的扩展，进而有利于减少缺陷提高晶体的质量. 由于SiC硬度非常高，对单晶后续的加工造成很多困难，包括切割和磨抛. 研究发现利用金刚石线锯切割大尺寸SiC晶体，可以得到低翘曲度、低表面粗糙度的晶片；采用化学机械抛光法，可以有效地去除SiC表面的划痕和研磨引入的加工变质层，加工后的SiC晶片粗糙度可小于1nm.     

龙伯透镜天线及其应用

伯透镜天线（Luneberg Lens）由R．K．龙伯（R. K．Luneberg）于1944年提出．距今已有超过60年的历史。经过工程技术人员的不断更新和改良，现在这项电介质透镜天线技术被广泛用来制造低成本、高增益和易于操作的微波天线，主要应用于移动接收站对卫星的跟踪等方面。     

一种低温漂BiCMOS带隙基准电压源的设计

文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源.基于特许半导体(Chartered)0.35 μm BiCMOS工艺,采用Brokaw带隙基准电压源结构,通过一级温度补偿技术,设计得到了一种在-40℃到 85℃的温度变化范围内温度系数为15.2×10-6/℃,输出电压为2.5 V±0.002 V的带隙基准电压源电路.±20%的电源电压变化情况下,输出电压变化为2.2 mV,电源电压抑制比为60 dB.5 V电源电压下功耗为1.19 mW.具有良好的电源抑制能力.     

籽晶粘接工艺对SiC单晶生长质量的影响

空洞等缺陷是SiC晶体生长中常见的缺陷之一。通过改进SiC籽晶粘接工艺,在SiC籽晶和籽晶托之间形成致密层,有效抑制了空洞缺陷的产生,改善了SiC晶体的结晶质量。采用该工艺生长的SiC晶体内已观察不到空洞缺陷,微管密度也得到抑制,晶体半峰宽40″,结晶质量良好。     

新型代油燃料——水煤浆

新型代油燃料———水煤浆□湖南省经贸委／黄学工□湖南省冶金规划设计院／刘庄民１前言水煤浆是由６５％—７０％的经过洗选磨细的煤、３０％—３５％的水以及１％左右的添加剂混合而成的一种煤基流体燃料,它是由于世界范围内的石油危机而产生的一种石油替代燃料。之所...     

再调锅炉负压气力除灰系统

３３０ＭＷ机组锅炉负压气力除灰装置,按照本办法,一次调试成功,达到了设计要求。     

大冶有色金属公司诺兰达炉真空缓冷贫化包子冷却炉渣选矿工艺研究

对诺兰达炉包子冷却炉渣的工艺矿物特性进行了研究 ,采用粗磨粗选 ,粗选尾矿扫选抛尾 ,粗精矿再磨精选的流程 ,可以得到铜品位为 2 1 5 5 % ,回收率为 78 2 8% ,尾矿品位为 0 2 0 %的好指标 ;选铜尾矿磁选 ,可以得到铁品位为 5 9 67%的铁精矿 ,回收率为 3 1 90 % ,达到了攻关目标