航天InGaAs短波红外探测器步进应力加速寿命试验研究

随着航天应用InGaAs短波红外探测器的迅速发展,其可靠性问题日益突出。选择温度为加速应力,通过步进应力加速寿命试验方法对800×2双波段集成的InGaAs焦平面探测器进行了研究,获得了InGaAs焦平面模块失效机理保持不变的最大温度应力范围和失效模式,利用温度斜坡模型计算得到了样品的失效激活能,为进一步研究该器件的可靠性问题提供了依据。     

宽带无线接入技术WiMAX及其与Wi-Fi对比

本文介绍了下一代宽带无线接入技术WiMAX的技术特点，并将WiMAX技术与wi-Fi进行了对比，最后叙述了WiMAX发展面临的问题。     

光电系统对空目标探测距离评估方法研究

为估算光电系统的目标探测距离,研究了目标的红外辐射特性和在实验室内对系统灵敏度进行测试的方法。在系统设计阶段,可以利用系统设计参数估算光电系统目标探测距离;在系统样机研制完成后,可以利用系统灵敏度测试,对光电系统目标探测距离进行估算。经实际系统试飞试验表明目标探测距离评估方法是可行的。     

柔性线型聚能切割器的应用研究

从聚能射流形成及侵彻理论出发,总结了影响聚能射流穿深的因素,根据这些因素的分析及工程实际条件,设计并制造了一种铅质外壳柔性线型聚能切割器,对10 mm厚的45′钢板和斜支撑上截取的钢板进行聚能切割实验,发现线密度为158 9·m-1,炸高为2.4 mm的柔性线型聚能切割器完全贯穿45#钢板和斜支撑上截取的钢板;把此种柔...     

某于动态博弈的目标分配方法研究

以博弈论为基础,防空火力单元与攻击飞机多次对抗为作战背景,建立了基于动态博弈的防空火力单元目标分配模型.利用双矩阵博弈纳什均衡求解与数学规划的关系,建立了求解纳什均衡的二次规划,利用混合粒子群算法进行求解.仿真结果表明:用博弈论研究防空火力单元与攻击飞机多次对抗过程中的目标分配问题时,符合实际作战过程,真实性好,应用价...     

微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用

微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段,本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中InCaAs样品的少子寿命分布,结果表明,离子刻蚀使得样品少子寿命降低,非均匀性增大,而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤,损伤区域中心的少子寿命增大,寿命分布也更加均匀,硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命,却使寿命分布均匀性变差.可见,微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布,对工艺改进具有重要的指导意义.     

细分采样叠加技术对推扫方向MTF的影响分析

阐述了细分采样叠加技术的原理和应用.分析了采用细分采样叠加技术对推扫方向调制传递函数(MTF)产生的影响.并在此基础上研究了电路读出时间对细分采样叠加技术的影响.给出了不同采样倍数对应的MTF和电路读出时间所引起的MTF变化.     

WiMax与TDD-HSDPA的性能分析与比较

随着无线Internet用户的急剧增长和数据业务的快速增加，对下代无线网络系统提出了越来越高的要求。各运营商更是积极地部署各种宽带无线接入（BWA）技术；第三代无线移动通信技术（3G）就是其中的备选方案之一。同时，随着无限局域网（WLAN）802.11的成功商用，IEEE802.16以及对应的无线城域网（WMAN）空口也成为宽带无线接入技术的有利可选方案。在本文中，我们将对这两种技术提供详细的性能分析和比较。     

Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀AlGaN的研究

感应耦合等离子体（ICP）刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用。在对比了ICP与RIE，ECR等干法刻蚀技术优缺点的基础上，采用Ni作为掩膜，Cl2/Ar/BCl3作为刻蚀气体，对金属有机化学气相淀积生长的n-Al0.45Ga0.55N进行了ICP刻蚀研究。刻蚀速率随着ICP直流偏压的增加而增加，刻蚀速率随着ICP功率的增加先增加较快后增加缓慢。最后结合刻蚀表面的扫描电镜（SEM）分析和俄歇电子能谱（AES）深度分析对刻蚀结果进行了讨论。分析表明，在满足刻蚀表面形貌的同时，较低的直流偏压下刻蚀速率较慢，但损伤较小，这对于制备高性能的紫外探测器是有利的。     

温度对碲镉汞光伏芯片I-V特性的影响

对室温工作的短波碲镉汞光伏芯片进行了步进温度烘烤实验。烘烤温度从60 ℃开始，步长为5 ℃，到120 ℃结束，每个温度下的烘烤时间一般为24 h。实验结果显示当烘烤温度达到95 ℃以上时，I-V测试结果中反偏部分的电流有明显增大。通过理论分析得到扩散电流和产生复合电流是实验芯片的主要电流机制；较高温度的烘烤在势垒区内产生大量的缺陷，从而降低芯片的少子寿命，使扩散电流增大；同时芯片表面钝化层内的缺陷数目也在温度作用下增加，引起芯片表面复合速度增加。