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随着云计算在学术界和工业界的兴起,云计算也不可避免的带来了一些安全问题.本文对云计算的安全需求进行了总结,指出云计算不仅在机密性、数据完整性、访问控制和身份认证等传统安全性上存在需求,而且在可信性、配置安全性、虚拟机安全性等方面具有新的安全需求.我们对云计算的两个典型产品Amazon Web Services和Windows Azure的安全状况进行了总结,并阐述了针对云计算的拒绝服务攻击和旁通道攻击.基于云计算的安全需求和面临的攻击,对现有安全机制进行了优缺点分析,系统的总结了现有的安全机制. 相似文献
82.
随着我国教育体制改革的不断进步,各大中小学在各个学科的教学过程中也取得了重要的成就。中小学阶段作为整个人生教育的初级阶段,对学生的今后成长和发展具有重要的影响。伴随着媒体信息技术的发展为我国中小学的教学提供了多种多样的教学工具。体育课程的开设对中小学生的体质塑造和发展发挥了重要的作用。因此,笔者在文中针对我国中小学阶段体育教学中存在的问题进行了简单地阐述,并对媒体信息技术在教学中的优势以及应用进行了详细地探讨,希望为我国中小学体育教学提供一定的指导意义和借鉴意义。 相似文献
83.
84.
85.
由于LED信息显示屏快速发展的需要,一种新颖的LED发光矩阵测试系统已研制成功。它采用微机技术和具有CIE标准观察者曲线光谱响应的多通道光电检测系统。能测试各种LED发光矩阵每个发光元的发光强度,正向压降和反向电流。测试数据显示在计算机显示屏和存在计算机内存中。 相似文献
86.
87.
Fracture propagation mechanisms in coalbed methane (CBM) reservoirs are very complex due to the development of the internal cleat system. In this paper, the characteristics of initiation and propagation of hydraulic fractures in coal specimens at different angles between the face cleat and the maximum horizontal principal stress were investigated with hydraulic fracturing tests. The results indicate that the interactions between the hydraulic fractures and the cleat system have a major effect on fracture networks. “Step-like” fractures were formed in most experiments due to the existence of discontinuous butt cleats. The hydraulic fractures were more likely to divert or propagate along the butt cleat with an increase in the angles and a decrease in the horizontal principal stress difference. An increase in the injection rate and a decrease in the fracturing fluid viscosity were more conducive to fracture networks. In addition, the influence on fracture propagation of the residual coal fines in the wellbore was also studied. The existence of coal fines was an obstacle in fracturing, and no effective connection can be formed between fractures. The experimental investigation revealed the fracture propagation mechanisms and can provide guidance for hydraulic fracturing design of CBM reservoirs. 相似文献
88.
Chi Wan Sung Wing Shing Wong 《Vehicular Technology, IEEE Transactions on》1997,46(3):676-686
Generally, the channel-assignment problem (CAP) for mobile cellular systems is solved by graph-coloring algorithms. These algorithms, though sometimes can yield an optimal solution, do not supply any information on whether an optimal solution has been found or bow far away it is from the optimum. In view of these undesirable features, two relevant results are presented. First, a lower bound for the minimum number of channels required to satisfy a given call-traffic demand is derived. This lower bound is tighter than the existing ones under certain conditions and can be used as a supplement for other approximate algorithms. Second, we propose an efficient heuristic algorithm to solve this problem. Although the CAP is nondeterministic polynomial (NP) complete in general, our algorithm provides an optimal solution for a special class of network topologies. For the general case, promising results are obtained, and numerical examples show that our algorithm has a better performance than many existing algorithms 相似文献
89.
A. Edwards Mulpuri V. Rao B. Molnar A. E. Wickenden W. Holland P. H. Chi 《Journal of Electronic Materials》1997,26(3):334-339
Doping by ion implantation using Si, O, Mg, and Ca has been studied in single crystal semi-insulating and n-type GaN grown
on a-sapphire substrates. The n-and p-type dopants used in this study are Si and O; Mg and Ca, respectively. Room temperature
activation of Si and O donors has been achieved after 1150°C annealing for 120 s. The activation of Mg and Ca acceptors is
too low to measure at both room temperature and 300°C. Using higher doses to achieve a measurable p-type conduction increases
the amount of damage created by the implantation. Rutherford back scattering measurements on this material indicate that the
damage is still present even after the maximum possible heat treatment. Secondary ion mass spectrometry measurements have
indicated a redistribution in the measured profiles of Mg due to annealing. 相似文献
90.
用X射线衍射,扫描电子显微镜和透射电镜/能谱仪分析了Al2O3/TiB2和Al2O3/TiB2/SiCW陶瓷材料在1300℃氧化30小时后氧化层的相组成及显著结构。 相似文献