一种低功耗10位流水线结构的CMOS A/D转换器的设计

本文设计了一种可满足视频速度应用的低电压低功耗10位流水线结构的CMOS A/D转换器.该转换器由9个低功耗运算放大器和19个比较器组成,采用1.5位/级共9级流水线结构,级间增益为2并带有数字校正逻辑.为了提高其抗噪声能力及降低二阶谐波失真,该A/D转换器采用了全差分结构.全芯片模拟结果表明,在3V工作电压下,以20MHz的速度对2MHz的输入信号进行采样时,其信噪失调比达到53dB,功率消耗为28.7mW.最后,基于0.6μm CMOS工艺得到该A/D转换器核的芯片面积为1.55mm2.     

低信噪比条件下的调制方式识别

传统的调制方式识别方法通常假设接收信号是平稳随机过程,一般要在信噪比不低于10dB时才能取得较高的识别率。本文根据模拟调制信号的谱特性和谱相关特性,给出了低信噪比下的调制方式识别算法,理论分析和仿真结果表明,本文提出的算法,在低信噪比(3dB)条件下,仍然具有很高的识别率。     

并联型有源电力滤波器的间接电流控制技术

对并联型电力有源滤波器建立了数学模型,详细地分析了在全数字控制下,谐波指令的生成和电流控制器的设计。提出了在d,q轴上运用矢量控制,通过控制变换器桥臂中点输出电压矢量达到控制电流的目的,并运用仿真给出了电压矢量和电流指令矢量的运动轨迹。仿真和初步并网实验的结果对理论分析进行了验证。     

智能井盖的钹式压电发电装置研究

智能井盖的应用减小了人工巡查的难度,降低了人们的生命财产安全风险.该文研究了一种钹式压电能量收集器,有效地提高了智能井盖无线监测节点电池的续航能力,降低了人工巡查的成本.分析了收集器的工作原理,采用ANSYS Workbench软件进行仿真优化,研究了对钹式压电能量收集器输出性能影响的关键因素.加工组装了钹式发电装置样...     

一种增强型PTP光纤级联精细时频同步方法

该文提出了一种增强型PTP光纤级联精细时频同步方法,该方法以PTP同步技术为基础,结合同步以太网时钟传递技术和基于数字双混频时差法的多级级联精细时钟同步技术,对PTP技术进行改进和增强,然后基于该方法,通过多级时频设备光纤级联的形式实现多节点、大跨度、网络化的时频信号传递与同步输出,并解决多级级联情况下同步精度会逐级恶化的问题,实现ns量级的系统时间同步精度,保证系统各环节在高度统一的时间尺度下进行高效同步与联动工作。通过设计、试验,验证了该方法的可行性和有效性。     

基于深度神经网络的正交频分复用波形外辐射源雷达参考信号重构

针对正交频分复用(OFDM)波形外辐射源雷达的参考信号获取问题,基于"解调-再调制"的重构方法结合了波形优势,能获得更为纯净的参考信号.该文在此基础上提出一种联合OFDM解调、信道估计、信道均衡和星座点逆映射的深度神经网络(DNN)重构方法,建立了基于DNN的参考信号重构方案,通过网络学习自适应深度挖掘从时域接收符号到传输码元之间的映射关系、隐式地估计信道响应,从而提高解调精度和重构性能.该文首先研究了仿真数据集的获取问题、DNN的搭建和训练问题,接着对基于DNN方法在导频数目减少、循环前缀的移除、存在符号定时偏差、存在载波频偏、对高峰值平均功率比信号进行时域加窗滤波等情况下的参考信号重构性能进行了仿真分析,仿真结果表明该方法对参考信号重构的有效性.     

连续切片三维重构技术在细胞超微结构研究中的应用

目的:探究三维重构技术在细胞超微结构研究中的重要性.方法:收集Hela细胞,样品经OTO制样方法处理后进行连续切片,并通过扫描电镜收集序列切片背散射电子信号.通过Amira软件对图片集进行对中、分割处理及三维展示.结果:获得细胞三维重构图,对线粒体长度、宽度和厚度进行了测定和统计,着重对线粒体内质网偶联三维结构进行了观...     

一种探测巡航导弹的雷达能力评估方法

根据巡航导弹航迹规划特点和作战环境实际,估算面分布无源杂波的雷达散射截面（RCS,radarcrosssection）;然后计算某巡航导弹各方位角的RCS值,从而得出探测强杂波中巡航导弹所需的改善因子。通过比较雷达性能指标,优选适合探测巡航导弹的雷达,为装备部署雷达网和改进雷达参数提供评估依据。     

全相位FFT在SFAP抗干扰算法中的应用

介绍了一阶空频自适应处理(SFAP)算法的实现方式,指出SFAP中截断FFT操作会造成频谱泄露,分析了频谱泄露对SFAP算法抗干扰性能的影响。本文中采用加窗处理抑制频谱泄露,并提出将全相位FFT(apFFT)应用到SFAP算法,对加窗处理后的SFAP抗干扰性能进行了仿真研究。仿真结果表明,截断FFT会造成频谱泄露,加入不同的窗函数能够有效抑制截断FFT造成的频谱泄露,从而不同程度地提升输出信干比(SIR)。相比传统的窗函数,全相位窗能够更好地抑制频谱泄露,更大程度地提升SFAP处理后的SIR。     

具有界面依赖光致发光的双层WS2/Ga2O3异质结的能带工程(英文)

利用垂直WS₂/Ga₂O₃异质结构中异质界面诱导了反常的光致发光(PL)发射。垂直堆栈的WS₂/Ga₂O₃异质界面使其形成了II型能带结构,导致与Ga₂O₃层接触的底层WS₂的PL强度下降。而异质界面的强耦合作用也影响了双层WS₂中的同质层间相互作用,使得上层WS₂出现反常的PL增强。这种堆栈新型二维异质结构为定制目标能带结构并控制其光子和电子行为提供一种新的手段。