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101.
利用引进的制造技术和设备,制作出了 APT(STLRI)—1.78型系列化光纤连接器。 相似文献
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103.
以自行研制的一种复合酶为软化剂 ,研究了 p H值、反应温度、反应时间、酶用量以及铬含量对猪蓝湿皮软化效果的影响 ,其软化效果以软化液中羟脯氨酸的浓度增量来表征。研究结果表明 :通过蓝湿皮软化来改善成品革的质量是可行的 ,而且有明显的效果 ;以软化液中羟脯氨酸的浓度来表征软化效果是一个有效的方法 ;当用该复合酶软化猪蓝湿皮时 ,最适 p H值范围为 6 .0 - 6 .5 ;反应温度在 4 0 - 6 5℃之间时 ,软化效果随温度的升高而增大 ;在 5 5℃条件下 ,该酶有很好的热稳定性 ,能长时间保持活力不衰减 ;最适酶用量为 30 0 U/ g试样 ;蓝湿皮的铬含量对软化效果有影响 ,用该方法处理的蓝湿皮 ,其铬离子质量含量一般应≤ 2 .5 %。 相似文献
104.
A photochromic nanocomposite based on Keggin structure phosphomolybdic acid (PMoA) well dispersed in polyethyleneglycol (PEG) was fabricated. TEM image showed that PMoA nanoparticles with narrow size distribution were finely dispersed in polymer matrix. FT-IR results showed that the Keggin geometry of polyoxometalates was still preserved inside the composites and strong coulombic interaction was built between PMoA and polymer matrix. Under UV irradiation, the film was reduced photochemically to yield a blue species, which was in accordance with a charge-transfer mechanism. 相似文献
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108.
Enhanced light output in nitride-based light-emitting diodes by roughening the mesa sidewall 总被引:1,自引:0,他引:1
Chia-Feng Lin Zhong-Jie Yang Jing-Hui Zheng Jing-Jie Dai 《Photonics Technology Letters, IEEE》2005,17(10):2038-2040
In this letter, we will report on a nitride-based light emitting diode with a mesa sidewall roughening process that increases light output power. The fabricated GaN-based light-emitting diode (LED) wafers were first treated through a photoelectrochemical (PEC) process. The Ga/sub 2/O/sub 3/ layers then formed around the GaN : Si n-type mesa sidewalls and the bottoms mesa etching regions. Selective wet oxidation occurred at the mesa sidewall between the p- and the n-type GaN interface. The light output power of the PEC treated LED was seen to increase by about 82% which was caused by a reduced index reflectance of GaN-Ga/sub 2/O/sub 3/-air layers, by a rough Ga/sub 2/O/sub 3/ surface, by a microroughening of the GaN sidewall surface, and by a selective oxidation step profile of the mesa sidewall that increases the light-extraction efficiency from the mesa sidewall direction. Consequently, this wet PEC treated process is suitable for high powered nitride-based LEDs lighting applications. 相似文献
109.
110.
超声波流量计计量系统性能的主要影响因素 总被引:3,自引:1,他引:2
随着我国天然气工业的发展,已有大量超声波流量计用于高压、大流量的天然气计量。尽管我国已于2001年颁布并实施了气体超声波流量计使用方面的国家标准GB/T18604-2001,但是随着超声波流量计越来越广泛的使用,国内外对超声波流量计计量性能的影响因素已有了进一步的研究;而且,目前我国超声波流量计在天然气计量中的应用效果也还需要进一步改善。因此,根据目前国、内外最新研究成果,对噪声、脏污、压力及温度测量对超声波流量计计量系统性能的主要影响因素以及控制对策进行了分析探讨,以期改变虽经实验室检定合格、但用于现场却不能达到预期计量性能效果的情况,使超声波流量计在现场能够得到更好的应用。 相似文献