琼东南盆地深水区储层分布规律

琼东南盆地深水区经历了断陷、断拗和拗陷3大构造演化和沉积充填阶段,主要发育4种沉积体系,相应地形成了4类主要储层:1)陵三段扇三角洲或滨海相砂岩储层;2)三亚、梅山组滨浅海相砂岩储层;3)三亚—莺黄组低位体储层;4)梅山组台地边缘礁滩灰岩储层。平面上,储层发育具有明显的分带性,可划分为:北部浅水陆架滨岸砂岩、三角洲砂岩储层发育带;中央坳陷低位体储层发育带;南部永乐隆起区碳酸盐岩储层发育带。深水区主要位于后2个带,每个带储层发育的控制因素不同,可以进一步划分为多个储层发育区。每个储层发育区存在多套储盖组合,每套储盖组合在多个储层区中发育。其中台地灰岩储层可能成为南部隆起区具有重要意义的勘探层系。      

聚合物熔体的非等温平板收缩流动的数值模拟

用有限元法模拟了Carreau流体在4：1平板收缩口模中的非等温挤出流动，采用3节点的三角形单元对速度、压力和温度进行等阶插值，运用特殊的罚函数处理流体的不可压缩条件，解决了压力场的数值振荡问题，并用改进的Newton迭代法对非线性方程进行求解，成功地计算了Carreau流体在平板收缩流动中的速度、压力、粘度以及应力的分布，同时得到温度场的分布，计算的应力分布与实验的结果及Renardy的分析结构相符。     

一种PDMS薄膜型微阀的制备与性能分析

通过厚胶光刻工艺在硅片上制备SU-8胶模板，利用该模板制备了高分子聚合物PDMS(Polvdimethvlsiloxane，聚二甲基硅氧烷)微流道和薄膜结构。通过对不同结构的两层PDMS的不可逆粘接得到一种简单的阀结构，在外加气源压力作用下薄膜产生变形实现对微流道的控制。实验测量了微阀的控制气源压力与被控制液体流量之间的关系，说明膜阀的开闭性能良好。根据弹性薄膜的变形理论，对影响微阀性能的参数进行了分析，并提出了几种可行的用于薄膜微阀控制的方法。     

Recovery of gold cyanide using inherently conducting polymers

Removal of gold from basic solutions containing [Au(CN)₂]^? has been demonstrated using the inherently conducting polymer polypyrrole. Polymers containing sulfonated aromatic dopants have been found to display a significant ability to remove gold from such solutions. Experiments performed in solutions containing both gold and copper cyanide complexes indicate that the recovery process is not highly selective. However, the polypyrroles used display significantly faster rates of gold recovery than activated carbon. © 2003 Society of Chemical Industry     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。     

高压气体流量测量中流量计的选择和应用

结合高压气体流量测量的实际使用情况,根据使用对象和范围,对几种适合工作要求的流量计的特点进行了分析比较,重点介绍了热式质量流量计和Coriolis力质量流量计的原理,以及它们在研制工作中的应用情况和需要注意的问题.     

基于C6711处理器cdma2000 1X系统前向信道信号的处理

在cdma20001x前向信道中,要对一段信号进行传送,一般选用QPSK调制,因为QPSK调制比QAM更适合噪音环境。采用TI6000系列的TMS320C6711芯片处理前向信道信号,可以对复杂性和实时性较高的信号做采集、量化、编码、调制等实时处理,主要功能通过软件编程实现,从而使系统具有结构灵活、可靠性高、可扩展等优点。     

基于手写笔的多功能电子白板系统的实现

该文针对当前电子白板系统对个性化支持的不足,引入手写笔作为输入设备,充分利用其功能参数,设计开发了具有模拟毛笔、钢笔、铅笔等真实笔特征的多笔型功能的电子白板系统。     

High-performance MIM capacitor using ALD high-k HfO/sub 2/-Al/sub 2/O/sub 3/ laminate dielectrics

For the first time, we successfully fabricated and demonstrated high performance metal-insulator-metal (MIM) capacitors with HfO/sub 2/-Al/sub 2/O/sub 3/ laminate dielectric using atomic layer deposition (ALD) technique. Our data indicates that the laminate MIM capacitor can provide high capacitance density of 12.8 fF//spl mu/m/sup 2/ from 10 kHz up to 20 GHz, very low leakage current of 3.2 /spl times/ 10/sup -8/ A/cm/sup 2/ at 3.3 V, small linear voltage coefficient of capacitance of 240 ppm/V together with quadratic one of 1830 ppm/V/sup 2/, temperature coefficient of capacitance of 182 ppm//spl deg/C, and high breakdown field of /spl sim/6 MV/cm as well as promising reliability. As a result, the HfO/sub 2/-Al/sub 2/O/sub 3/ laminate is a very promising candidate for next generation MIM capacitor for radio frequency and mixed signal integrated circuit applications.