埋地管道三层PE外覆盖层及其检测方法研究

文章介绍了埋地管道三层PE外覆盖层系统的构造参数和性能特点,论述了两种用于埋地钢质管道外覆盖层状况检测的方法,一种是多频管中电流法,另一种是DCVG/CIPS组合检测技术。分别介绍了两种方法的工作原理、操作方法和设备,并结合工程实例进行了说明。这些方法和设备可分别或同时用于管道不开挖检测防腐层破损点的位置以及漏点大小。     

大庆油田三类油层聚合物驱注入速度研究

注入速度是影响聚合物驱开发效果的重要指标,而由于假设条件的局限性,数值模拟方法无法体现聚合物溶液弹性对注入速度的影响。为了确定大庆油田三类油层合理注入速度,通过不同注入速度条件下的天然岩心驱油试验,对水驱和聚合物驱驱油效率进行了研究,结果表明,聚合物驱驱油效率提高值随驱替速度的变化可由二次多项式来表示。依据此关系式,由势的叠加理论得到的流体在油层中的渗流速度的基础上,建立了该类油层合理注入速度模型,并给出大庆油田三类油层在100 m注采井距下的合理注入速度为0.288 PV年/,该方法对现场开发方案编制有重要指导意义。     

一种新的混合相位反褶积方法

在地震资料处理中,常用预测反褶积方法提高地震资料的分辨率,它具有两个基本的假设条件:①地震子波是最小相位;②反射系数序列是随机过程。上述假设条件与实际地震子波的混合相位存在较大差别。为此,笔者在借鉴前人研究的基础上,提出了一种新的混合相位反褶积方法。其实现过程为:①根据地震记录的自相关和地震子波自相关之间的关系,由最小二乘法拟合出地震子波的振幅谱,进而计算出地震子波的自相关;②利用计算出来的地震子波自相关设计一个最小相位滤波器,然后加一个延迟量于自相关函数的主对角线上,将最小相位反滤波器分解为一个长度很短的滤波器,再与一个长度较长的滤波器进行褶积,可得到一系列的混合相位子波和混合相位滤波器;③将得到的混合相位滤波器和原始地震道进行褶积,选取一定的判别准则,以选出最佳的混合相位滤波器以及相应的混合相位子波。通过模型试算和实际资料处理可知,分时窗反褶积的效果要好于单时窗反褶积,混合相位反褶积效果好于最小相位反褶积。在分时窗求取地震子波时,为了得到更好的反褶积效果,要注意时窗宽度与算子长度之间的关系。     

复杂结构井的过套管测井技术应用

过套管测井是在已下套管井中完成的用以解决油气层识别、储层物性参数计算为目的的测井系列,在复杂井中用来代替常规的裸眼测井,以便减少在大斜度井中的测井事故,缩短测井周期。本文介绍了几种常用的过套管测井技术,并将其应用于大港油田的庄海401井。结果表明,过套管测井不仅解决了油气层判别的问题,也提供了较准确的物性参数,同时降低了施工作业的难度,缩短了占井周期,这一点对海上钻井尤为重要。     

超市收费排队系统的性能比较及其进一步优化

详细统计了超市顾客的到达速率和顾客能接受的最大排队队长及最长等待时间,并了解了超市针对市场竞争采取的排队规定和措施,利用排队论的有关知识分析超市收银系统的特点,建立超市收银系统的数学模型,通过求解数学模型,得到模型的最优解决方案,最后针对超市收银系统的不足,对超市收银系统进行了改进。     

无线网状网技术与应用

无线网状网(WMNs)由网状路由器节点和客户机节点组成,其中的网状路由器节点组成了无线网状网的网络骨干,其移动性很小。他们一起为无线网状网和其他常规无线网络的客户机节点提供网络的无线接入。WMNs技术结合了中心式控制的蜂窝网与分布式控制的无线自组织网的优点,可有效克服这两种技术的缺陷并显著提高无线网络的性能,已经成为下一代无线通信网络的研究热点之一。WMNs可为无线个域网、局域网、校园网、城域网的一系列应用提供高速无线宽带接入服务。虽然目前WMNs技术发展很快,但其协议栈各层仍存在许多有待研究的课题。首先简要介绍了无线网状网的结构与特点;随后重点分析了其主要的几个应用领域;最后探讨了WMNs各协议层的研究现状与关键技术,并分析了该技术存在的问题及未来的研究方向。     

左江水利枢纽工程施工导流设计的优化

导流工程在施工条件改变时,应根据工程的实际情况进行相应的调整及优化,以达到节省导流工程投资、满足主体工程施工要求的目的;介绍了左江水利枢纽工程施工导流设计的优化情况。     

HART协议物理层设备的测试（II）

本文介绍HART协议物理层设备的测试要求、测试设备、测试方法及测试时的一些特别说明。     

电信服务营销渠道转型的必要性

分析了电信企业服务营销渠道的特点、旧有的服务营销渠道模式和存在的问题以及今后电信业和市场等方面发展的新需求，对电信服务营销渠道转型的必要性进行了探讨和研究,同时提供了一个可供参考的服务营销渠道价值评估体系架构,从量化服务营销渠道对电信企业贡献价值的角度论述了服务营销渠道转型的必要性。     

Properties of Quaternary Alloy Magnetic Semiconductor (InGaMn)As Grown on InP

We have studied properties of quaternary alloy magnetic semiconductor (InGaMn)As grown on InP substrates by low-temperature molecular-beam epitaxy (LT-MBE). A large MCD peak whose intensity is larger than 500 mdeg for (InGaMn)As was observed. This peak intensity was about three times larger than that of typical (GaMn)As films. Relatively high Curie temperature of 83 K of [(In_0.53Ga_0.47)_0.88Mn_0.12]As was observed by Hall measurements. The carrier concentration of [(In_0.53Ga_0.47)_0.88Mn_0.12]As was estimated to be more than 1.0 × 10²¹ cm^–3 by using the Curie–Weiss fitting of the Hall coefficient R _H, indicating that more than 40% of Mn atoms are activated. This means that (InGaMn)As has a higher activation ratio of Mn as acceptors than (GaMn)As.