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991.
基于TMS320DM642的实时语音处理系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
设计了一种基于DSP的实时音频处理系统,介绍了音频解码芯片TLV320AIC23B的基本特点和使用方法,详细描述了该芯片与DM642的McASP接口的连接方式,使用了2个ping-pong缓存实现了输入和输出的匹配.该系统具有良好的通用性,可以广泛应用干各种音频处理应用.  相似文献   
992.
基于层次-灰色分析法的软件质量评价方法研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了基于层次-灰色分析法的软件质量评价方法,给出了使用该方法的步骤,即通过工程化方法来筛选软件质量评价因子,采用层次分析法来确定因子权重值,利用灰色分析得到各因子的灰色评价矩阵,并给出了应用实例。  相似文献   
993.
阐述了迭代函数系统IFS(Iterated Function System)的基本理论,分析了IFS系统在表达植物形态方面的可行性,探讨了IFS对植物形态模拟的实现方法,并在实现的过程中连续地变换某一参数,有效的实现了对IFS生成植物的动态模拟,使对植物的模拟过程更加逼真.  相似文献   
994.
简单利用插值恢复丢失宏块的运动矢量一般存在较大误差,运动补偿后边界存在明显痕迹.文章针对H.264/AVC的特点,提出了一种自适应时域错误隐藏方法.首先利用丢失宏块周围4×4块的运动矢量寻找视频内容分裂处,划分运动矢量相似区,再根据运动矢量相似区的划分自适应的进行错误隐藏,因此对丢失宏块有更好的恢复效果.实验结果验证了该方法的优越性.  相似文献   
995.
杨晶  朱宗玖  王帅  韩向锋 《通信技术》2009,42(3):239-241
文中介绍了光纤电压传感器的工作原理。并以小波变换为核心,为了改进滤波效果,提高去噪质量,在常规小波阈值去噪方法基础上,提出了基于小波变换的改进阈值函数去噪方法。与传统的硬阈值和软阈值比,该函数不仅易于计算,而且具有优越的数学特性和清晰的物理意义。利用小波变换对所检测到的电压信号进行分析,通过对理论模型进行仿真,证明该方法有很好的去噪效果。  相似文献   
996.
韩宾  黄玉清  梁靓 《通信技术》2009,42(4):90-92
网络测试是及时了解网络运行状态、检测网络拥塞、提供接入控制参考依据以及保证网络服务质量的基础和必要手段。带宽测量属于网络的系统测试范畴,其相关测量算法一直是网络测试领域的研究热点和难题。文章在重点讨论可用带宽测量技术的基础上,对可用带宽测量工具Pathload进行了改进,实际测量结果表明改进算法在测量准确性等方面改善了测量效果。  相似文献   
997.
文中针对传统串行匹配滤波器在捕获较长伪码时需要消耗大量的硬件资源这一缺陷,对其提出了一种改进方法,并进行了仿真。仿真结果表明该方法在保证平均捕获时间的前提下,极大地降低了对系统资源的占用,同时还有效地减小了接收机的虚警概率,提高了捕获性能。  相似文献   
998.
基于XML的异构数据集成模式的研究   总被引:4,自引:1,他引:4  
随着信息技术的发展,任何一个独立单位都有可能成为一个异构的数据源.为实现企业异构数据库问信息的共享和集成,对数据集成的原理以及主要技术进行了研究,重点分析了XML与数据库之间的映射、XML文档存储模式、将XML查询转化为SQL的查询转换问题以及如何将关系数据发布为XML文档,并提出了相应的解决方法.该方案简单易行,保证了各系统仍然按照原来的方式运行,只需要进行信息交换时通过转换接口把本地数据库数据转换成XML文档即可.  相似文献   
999.
李雪  赵萌  韩波  高建军 《电子器件》2009,32(3):574-578
对于一种基于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的分布式放大器的设计原理做了较为详细的阐述.从增益单元的设计、匹配网络和低噪声特性的改进三个不同的方面,介绍了MOSFET基分布式放大器的研究进展并展望了MOS-FET基分布式放大器的发展趋势.  相似文献   
1000.
研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积从微晶相向非晶相相变的过渡区p层,并将其作为电池的窗口层应用到高速沉积的非晶硅薄膜电池中。通过调整p层的沉积参数,获得不同p层的暗电导率从1.0E-8S/cm变化到1.0E-1S/cm,并获得了从微晶相向非晶相转变的过渡区p层。实验发现,电池的开路电压Voc随p层SiH4浓度的增加先增加后降低,当p层处在过渡区时达到最大;p层处在过渡区时电池的短路电流Isc和填充因子FF都得到了不同程度的提高。在p/i界面引入buffer层后,能进一步显著提高电池的FF和Voc。在过渡区p层作为电池窗口层,没有背反射电极,本征层沉积速率为1.5nm/s情况下获得效率达8.65%(Voc=0.89V,Jsc=12.90mA/cm2,FF=0.753)的高速非晶硅薄膜电池。比较了过渡区P层与P-a-SiC:H分别作为电池窗口层对于电池性能特别是FF的影响,由于存在结构演变的原因,FF对于过渡区P层厚度的依赖大于后者。  相似文献   
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