用于VLSI的注入氮化物特性

本文描述了在VLSI研制中通过氮注入形成氮化硅层。在形成各种氮化物层的过程中,注入分子氮能量范围为5到60keV,随后在1000℃的氮中退火。描述在炉中退火前后所形成的氮化物层特性,在不同的IR、SIMS和椭圆对称测量情况中找出局部氧化掩模的有效注入条件。相对于整个注入能量范围,注入氮的最初IR峰值为815cm~(-1)。对于退火后的高能量注入来说该位置会漂移到一个较高的波长数,低能量注入峰值接近于830cm~(-1),上述均与LPCVD为氧化物峰值相比而言。此研究结果认为,低能氧化物的化学成分几乎是可用定量计算的。退火过程中浓度分布向着表面漂移,并将增高峰值区氧的浓度。从氮化物分布剖面看最大值是在表面,而在<10keV时消失。在1000℃的蒸汽中生长5300(?)氧化层进行测试这些氮化物掩模特性。剂量为5×10~(16)N_2~+/cm~(-2)离子的氮化物在注入能量低于40keV会形成有效的氧化掩模。在此实验条件下,在10keV下所形成的氮化层可认为是一个有效的氧化掩模,足以适应选择性地腐蚀SiO_2,减小“鸟嘴”尺寸为常规LOCOS的四分之一。     

谈个人微型计算机的总线技术

本文论述了个人微机的总线技术，对较流行的总线标准ISA总线，PISA癖线，MAC总线，VL总线，PCI总线，PCMCIA接口标准等进行了概括笥的介绍并做了相应的比较，这对微机的使用和维护是十分有意义的。     

为提高编制工艺规划的柔性跨出一步─—借助基于知识的方法,编制跨零件类别的工艺规划

开发一种模块式的跨零件类别的工艺规划模型是一项课题的目的，它包括各种不同的方法。自1991年5月起，德意志研究联合会开始资助该课题，课题实施单位是斯图加特的弗朗霍夫生产技术与自动化研究所（IPA）和Chemnitz－Zwickau工业大学的制造与生产信息科学研究所（IFP）。具体描述了如何能利用相融合的传统算法和基于知识的方法兼村回转体和棱柱体工件编制工艺规划。     

硅电炉技术

1988年在阿根廷门多萨Carbometal厂已经开始一项广泛的研究和发展程序。目的是要改善关于生产硅及其合金的操作成本和技术。一个金属收集器(副炉缸)与硅铁炉的炉膛结合成一体以及试验了一个独立电源用于出铁电极。根据由炼钢炉得到的计算机基本数据的研宂最近得到的理论研究了电气变量。最后在大、小炉子上安装了一个没有筋片的自焙电极,用于生产碳化钙、75％硅铁和金属硅。     

日本九州内特选的中、新生代沉积盆地地热史

<正> 1 前言 沉积盆地的地热史受沉积作用后一些地质和地球物理因素控制。最近已对沉积盆地的地热现象表示出特别兴趣,因为它对沉积盆地的起源、发育和构造史提供了有价值的信息。 以前对西南日本的沉积学和煤地质学的研究揭示了目前地表的区域性成岩程度。这些研究表明,沉积盆地之间的成岩程度和(或)变质作用相当不同。详细的反射率图(Aih-     

汽车电子稳定控制系统将全面升级

1 为什么必须强制安装电子稳定控制系统（ESC） 到2012年，美国出售的所有新型汽车将会安装上电子稳定控制系统。这项技术的应用预计每年将会挽救5000到10000人的生命，其总价值将超过九亿八千五百万美元。通用汽车公司截至2010年对汽车稳定控制性能实现全面升级，比规定早2年时间。