Eu(Ⅲ)与PNIPAM接枝核壳纳米微球相互作用的研究

利用透射电镜、X射线光电子能谱、动态激光光散射和荧光光谱技术对Eu（Ⅲ）与聚N-异丙基丙烯酰胺（PNIPAM）接枝核壳纳米微球PNIPAM-g-P（NIPAM-co-St）（PNNS）的相互作用进行了研究.结果表明：Eu（Ⅲ）和热敏性的核壳纳米微球PNNS有显著的相互作用.其一,Eu（Ⅲ）可与PNNS中酰胺基团上的氧原子配位形成微球配合物Eu（Ⅲ）-PNNS;其二,Eu（Ⅲ）-PNNS微球配合物兼具热敏性;其三,该配合物在614 nm处的荧光强度较Eu（Ⅲ）增大了33倍,Eu（Ⅲ）与PNNS之间能量传递达到55%.     

Fe-66.7%Si合金液滴落管实验的动力学和传热学计算

从动力学和传热学角度对Fe-66.7%Si（原子分数）合金液滴在充入不同种类和压力保护气体的落管中下落的运动过程和温度变化情况进行了计算分析.从重力水平和熔体冷却速率等方面对该合金液滴落管凝固实验的保护气体种类和压力选择进行了讨论.     

低频脉冲电流退火对CoFeSiB非晶薄带巨磁阻抗效应的影响

研究了经不同低频脉冲电流密度退火的Co66.3Fe3．7Si12B18非晶薄带的巨磁阻抗（GMI）效应。结果表明，在低频脉冲电流下，巨磁阻抗效应的大小与退火电流密度密切相关。非晶带的GMI变化率△Z／Z先随退火电流密度的增加而增强，当电流密度为104A／mm^2时，△Z／Z达到最大值53．8％，此后随电流密度增大，GMI变化率开始减小。对脉冲电流退火影响巨磁阻抗效应的机制作了定性分析。并分析了由脉冲电流退火在材料内感生的横向各向异性场凤对GMI效应的影响，发现HK有利于提高GMI效应的峰值，但同时存在一个临界值，当超过这个值时，GMI效应的峰值减弱。     

原位模板法在铝基底上制备TiO2纳米管阵列薄膜

采用液相沉积法，将铝基多孔阳极氧化铝（AAO）模板浸入到（NH4）2TiF6溶液中，制备出高度有序的TiO2纳米管阵列薄膜，并在不同的温度下进行了热处理。用场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X射线衍射仪等手段对试样的微观形貌、结构及物相进行了表征。结果表明，TiO2纳米管的形貌依赖于AAO的特征，薄膜是由外径大约200nm，壁厚约40nm的TiO2纳米管阵列组成，薄膜厚度约25μm。原位模板法制备的TiO2纳米管阵列薄膜为非晶态，在400℃空气中焙烧2h转变为锐钛矿相TiO2。经过650℃焙烧仍保持纳米管结构，表现出较好的热稳定性。     

2004年起中国将启用新的金属废料分类目录及报关方法

在交流条件硅酸钠溶液中利用微等离子体氧化技术合成了陶瓷涂层。通过XRD，EPMA分析了所得陶瓷涂层在不同层面上的相组成、微观结构及元素分布。由陶瓷涂层截面的背散射图看出陶瓷涂层较致密、与基体结合强度高。XRD分析结果显示，陶瓷涂层的最外层由莫来石及γ-Al2O3相组成，随着向陶瓷涂层内部的移动，莫来石的含量逐渐减少，α-Al2O3，γ-A12O3相的含量逐渐提高，而且陶瓷涂层的颜色由白色逐渐变为黑色。硅元素在陶瓷涂层的外侧及陶瓷涂层与基体的交界处陶瓷涂层一侧含量较多，在陶瓷涂层中间含量少。而陶瓷涂层的硬度变化也出现了中间高，两侧低的分布情况。     

记忆式焊缝跟踪系统

介绍了新近研制的一种可用于多层焊缝的自动焊接记忆跟踪系统，此系统在焊接第一层焊缝时能实时跟踪焊缝，同时记忆焊缝跟踪数据，此后，系统依据此记忆数据进行各层焊缝的自动跟踪工作，本系统具有新颖的二维焊缝跟踪机构及传感器，其实跟踪精度及重复跟踪精度都满足了焊接工艺的要求。     

锂离子电池硅基负极材料研究进展

本文主要介绍近年来硅及含硅材料作为锂离子电池负极材料的研究进展，包括硅单质、硅的氧化物以及硅的金属化合物和其它硅基多元化合物；分析了硅基材料作为锂离子电池负极材料存在的问题；阐述了硅基材料作为锂离子电池负极材料的研究前景。     

高速切削机床主轴轴承的研究与发展

基于高速切削中高速机床主轴用轴承的运动机理，本文着重从润滑、密封、预紧等方面阐述了滚动轴承的研究与发展，并明确了其与工程应用的关系。     

AN INVESTIGATION OF THE PLASTIC ZONE IN THE VICINITY OF THE CRACK-TIP BY POSITRON ANNIHILATION TECHNIQUE

<正> 正电子湮灭技术对材料的空位、位错等缺陷均十分灵敏,已广泛用于研究点阵缺陷及有关问题。由于塑性区内部塑性变形不均匀,故其内部缺陷密度分布亦是不均匀的,可能导致不均匀的正电子湮灭效应。本文尝试用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性     

热压快速凝固Fe0.92Mn0.08Six半导体的热电性能

采用快速凝固和热压的方法制备了p型热电材料Fe0.92Mn0.08Six(x=1.9, 2.0, 2.1, 2.3, 2.5).X射线衍射分析表明,热压试样退火24 h后,完全转变为β半导体相.所有试样的致密度均高于90%.测量试样的电学性能发现,原料配比为Fe0.92Mn0.08Si2.1的试样在整个测量温度范围内的功率因子最大,550℃时达到了400 μW·m-1·K-1以上.