并行哈夫曼编码器的硬件设计与实现

文章设计了一种并行编码的哈夫曼硬件编码器，它采用了流水线和并行编码方法，使得在一个时钟周期内可以编码一个字节的数据，在编码时显著降低了工作频率。文章给出了关键部分的实现方案并分析了实验结果。     

可靠性试验样本量和截尾时间的计算

可靠性寿命试验中，一般都因受到费用和时间的限制，因此要用截尾试验获得信息，再据此对其可靠性进行统计推断，用非参数估计的方法探讨了进行可靠性试验的样本量或截尾时间的估计方法。     

风扇磨煤机ZGMn13冲击板的失效分析

ZGMn13冲击板的失效方式为不同角度的粒子撞击和冲刷，其表面可以分为三个典型的磨损区域：低角度撞击区、高角度撞击区和冲刷区。详细分析了该三个磨损区域的磨损机理。次表面分析的结果表明，在低负度撞击和冲刷条件下，高锰钢未能充分加工硬化，耐磨性提高有限。     

无掩模激光干涉光刻技术研究

介绍了一种不用掩模的光刻技术———激光干涉光刻技术的基本原理,给出了干涉光刻技术的主要特点及一些可能的应用,并对实验系统和初步实验结果进行了分析。研究表明,激光干涉光刻具有大视场和分辨率高和视场宽等优点。     

Development of the Chinese Scientometric Indicators (CSI)

We describe the Chinese Scientometric Indicators (CSI), an indicator database derived from the Chinese Science Citation Database (CSCD). Its design is supported by the Natural Sciences Foundation of China (NSFC). In this indicator database data of a statistical nature are organized and categorized leading to ranked lists and providing bases for comparisons among Chinese institutions and regions.     

行波热声驱动器的性能分析

在简单介绍行波热声驱动器的研究历史、工作机理及其与驻波型热声驱动器的区别之后，着重对环路部分的性能进行了预测分析，并给出一些有益的结论。     

连续工作型电子装备战备完好性预计

从战略完好性的实际内涵出发，考虑到装备实际工作中可能处于不同的工作状态，因而其战略完好性模型也应有所有同。对于处于连续工作状态的电子装备，即使工作中发生故障，只要执行下次任务前能修好，就不影响装备的战略完好性。基于此，得出了电子装备处于连续工作状态下的战略完好性预计模型，并在对应的条件下对此模型的得出进行了缜密的推理。     

ZnGa2O4纳米晶的制备和结构表征

采用喷射共沉淀法制备了ZnGa2O4 纳米晶，XRD、SEM和TEM结构分析结果表明，喷射共沉淀法制备的ZnGa2O4的纳米晶颗粒细小均匀，形状完整，与化学共沉淀法相比，粒子尺寸明显减小，小于10nm，同时ZnO杂相峰消失，分析了喷射共沉淀法的机理，并对实验结果进行了解释。     

长距离曲线顶管在杭州河坊街工程中的应用

对杭州市重点工程—杭州河坊街长距离曲线顶管进行了总结和介绍 ,可为同类工程借鉴和参考     

Improvement of RCA transistor using RTA annealing after theformation of interfacial oxide

A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm². The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively