首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   54448篇
  免费   5167篇
  国内免费   3327篇
电工技术   3552篇
技术理论   3篇
综合类   4480篇
化学工业   8474篇
金属工艺   2981篇
机械仪表   2980篇
建筑科学   4640篇
矿业工程   1530篇
能源动力   1650篇
轻工业   4305篇
水利工程   1091篇
石油天然气   2622篇
武器工业   413篇
无线电   6169篇
一般工业技术   5841篇
冶金工业   3514篇
原子能技术   733篇
自动化技术   7964篇
  2024年   278篇
  2023年   991篇
  2022年   1659篇
  2021年   2314篇
  2020年   1795篇
  2019年   1699篇
  2018年   1724篇
  2017年   1879篇
  2016年   1593篇
  2015年   2222篇
  2014年   2649篇
  2013年   3057篇
  2012年   3245篇
  2011年   3402篇
  2010年   3179篇
  2009年   2902篇
  2008年   2876篇
  2007年   2717篇
  2006年   2646篇
  2005年   2139篇
  2004年   1895篇
  2003年   2390篇
  2002年   3270篇
  2001年   2740篇
  2000年   1471篇
  1999年   1176篇
  1998年   1044篇
  1997年   816篇
  1996年   724篇
  1995年   527篇
  1994年   440篇
  1993年   353篇
  1992年   236篇
  1991年   151篇
  1990年   125篇
  1989年   100篇
  1988年   89篇
  1987年   60篇
  1986年   48篇
  1985年   48篇
  1984年   24篇
  1983年   16篇
  1982年   16篇
  1981年   21篇
  1980年   32篇
  1979年   6篇
  1977年   31篇
  1976年   98篇
  1975年   5篇
  1959年   5篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
991.
从语音信号的复子波谱图着手,采用形态学图像处理方法提取语谱图中的语音形态。仿真实验取得了良好的效果,谱图中的语音形态较稳健地表征了汉语音节的韵音特征。语音形态的提取对于进一步的语音识别提供了一种新的途径。  相似文献   
992.
茅晓泉  胡光锐  唐斌 《电子学报》2002,30(1):148-150
隐马尔柯夫模型(HMM)作为描述语音信号的一个工具,按输出概率分布的不同,可分为连续HMM(CHMM)和离散HMM(DHMM).经典的训练方法Baum-Welch算法虽然收敛迅速,但是这类基于爬山的算法只能取得局部最优解,从而影响了系统的识别率.对于CHMM,借助于分类K平均方法可以取得可靠的初始点以保证迅速准确的收敛.而对于DHMM,该方法收益不大,最终所得的仍是局部最优解.由于进化计算一个最重要的特点便是全局搜索,这样可得全局最优解或次优解.本文将进化计算应用到DHMM的训练中,提出了一个把传统算法和进化计算相结合的混合算法.实验结果表明该方法既保证了全局搜索又实现了快速收敛,最终所得的模型优于传统方法和简单进化计算方法.  相似文献   
993.
3.4nm超薄SiO2栅介质的特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为3.4nm的MOS电容样品,通过对样品进行I-V特性和恒流应力下V-t特性的测试,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响.实验结果表明,制备出的3.4nm SiO2栅介质的平均击穿场强为16.7MV/cm,在恒流应力下发生软击穿,平均击穿电荷为2.7C/cm2.栅介质厚度相同的情况下,P+栅样品的击穿场强和软击穿电荷都低于N+栅样品.  相似文献   
994.
基于三层结构(馈电缝、耦合缝、辐射缝)平面缝隙阵天线设计的需要,用场分析法对由耦合纵缝馈电的两端短路波导宽边直线纵缝阵进行了分析和综合。该法考虑了所有的互耦、高次模及波导壁厚的影响,得到了耦合纵缝馈电的两端短路波民宽边纵缝直线阵在辐射缝偏心距相同和缝长相同时直线缝阵口径分布等幅同相的结论。利用所得结论并结合泰勒线阵综合法提出了适合于对文中系统进行综合的有效方法。  相似文献   
995.
烧伤后的皮肤,可视为烧伤层和健康组织层,本文研究了探测点位于样品表面时背散射光强相对涨落与模拟烧伤层厚度之间的关系,结果表明背散射光强的相对涨落随模拟烧伤厚度的增加而增加,。  相似文献   
996.
文章给出了计算OXC级联信噪比的一般解析模型,并针对“信号功率均衡”和“总功率均衡”两种方案进行了研究,分析了在这两种特定情况下系统的信噪比特性。同时还给出了OXC中输入EDFA和输出EDFA特性对系统信噪比的不同影响,得出了在设计OXC时对输入EDFA和输出EDFA优化设计的原则。  相似文献   
997.
红外诱饵技术的现状与发展   总被引:4,自引:2,他引:4  
综述了红外诱饵的发展及装备现状,并介绍了几种新型的红外诱饵.  相似文献   
998.
利用XSAFS(X-射线吸收精细结构)方法研究六方的纳为晶和晶体GaN在78K和300K温度下Ga原子的局域配位环境结构,对于第一近邻Ga-N配位,纳米晶GaN的平均增长R、配位数N、热无序度σT和结构无序度σs与晶体GaN的相近,分别为0.194nm、4.0、0.0052nm、0.0007nm;当温度从78K增加到300K,GaN样品中Ga-N配位的σT增加不多,小于0.0005nm,表明第一近邻Ga-N配位的共价键作用力较强,几乎不受温度和晶体状态的影响。对于第二近邻Ga-Ga配位,R为0.318nm,纳米晶GaN的σs(0.0057NM)比晶体GaN的(0.001nm )大0.0047nm;在78K和300K时,纳米晶GsA样品的Ga-Ga位位的σT分别为0.0053nm和0.0085nm,这一结果表明Ga-Ga配位的σT受温度变化产生很大影响,纳米晶GaN中Ga原子的局域配位环境与晶体GaN的差别主要表现在第二近邻Ga-Ga配位的σs相对较大,可能是由于纳米晶GaN内部缺陷及存在较多的表面不饱和配位原子所致。  相似文献   
999.
用PL谱测试研究了GaAs和不同In组份InxGa1-xAs(x=0.1,0.2,0.3)覆盖层对分子外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性的影响,用InxGa1-xAs外延层覆盖InAs/GaAs量子点,比用GaAs做 其发光峰能量向低有端移动,发光峰半高度变窄,量子点发光峰能量随温度的红移幅度较小,理论计算证实这是由于覆盖层InxGa1-xAs减小了InAs表面应力导致发光峰红移,而In元素有效抑制了InAs/GaAs界面组份的混杂,量子点的均匀性得到改善,PL谱半高宽变窄,用InGaAs覆盖的In0.5Ga0.5As/GaAs自组织量子点实现了1.3μm发光,室温下PL谱半高宽为19.2meV,是目前最好的实验结果。  相似文献   
1000.
RBF网络在多光谱测温中的应用研究   总被引:6,自引:1,他引:6  
介绍了一种人工神经网络在多光谱测温数据处理中的应用。利用人工神经网络,结合多种发射训练样本模型,可以自动辨识被测目标的发射率模型,从而得到目标的真温和光谱发射率。应用二次细分的方法进一步提高了测量精度,并分析了各种测量误差对测温精度的影响。仿真结果表明此方法是获知真温与发射率的一种较好的方法。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号