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991.
992.
隐马尔柯夫模型(HMM)作为描述语音信号的一个工具,按输出概率分布的不同,可分为连续HMM(CHMM)和离散HMM(DHMM).经典的训练方法Baum-Welch算法虽然收敛迅速,但是这类基于爬山的算法只能取得局部最优解,从而影响了系统的识别率.对于CHMM,借助于分类K平均方法可以取得可靠的初始点以保证迅速准确的收敛.而对于DHMM,该方法收益不大,最终所得的仍是局部最优解.由于进化计算一个最重要的特点便是全局搜索,这样可得全局最优解或次优解.本文将进化计算应用到DHMM的训练中,提出了一个把传统算法和进化计算相结合的混合算法.实验结果表明该方法既保证了全局搜索又实现了快速收敛,最终所得的模型优于传统方法和简单进化计算方法. 相似文献
993.
994.
995.
烧伤后的皮肤,可视为烧伤层和健康组织层,本文研究了探测点位于样品表面时背散射光强相对涨落与模拟烧伤层厚度之间的关系,结果表明背散射光强的相对涨落随模拟烧伤厚度的增加而增加,。 相似文献
996.
997.
998.
利用XSAFS(X-射线吸收精细结构)方法研究六方的纳为晶和晶体GaN在78K和300K温度下Ga原子的局域配位环境结构,对于第一近邻Ga-N配位,纳米晶GaN的平均增长R、配位数N、热无序度σT和结构无序度σs与晶体GaN的相近,分别为0.194nm、4.0、0.0052nm、0.0007nm;当温度从78K增加到300K,GaN样品中Ga-N配位的σT增加不多,小于0.0005nm,表明第一近邻Ga-N配位的共价键作用力较强,几乎不受温度和晶体状态的影响。对于第二近邻Ga-Ga配位,R为0.318nm,纳米晶GaN的σs(0.0057NM)比晶体GaN的(0.001nm )大0.0047nm;在78K和300K时,纳米晶GsA样品的Ga-Ga位位的σT分别为0.0053nm和0.0085nm,这一结果表明Ga-Ga配位的σT受温度变化产生很大影响,纳米晶GaN中Ga原子的局域配位环境与晶体GaN的差别主要表现在第二近邻Ga-Ga配位的σs相对较大,可能是由于纳米晶GaN内部缺陷及存在较多的表面不饱和配位原子所致。 相似文献
999.
用PL谱测试研究了GaAs和不同In组份InxGa1-xAs(x=0.1,0.2,0.3)覆盖层对分子外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性的影响,用InxGa1-xAs外延层覆盖InAs/GaAs量子点,比用GaAs做 其发光峰能量向低有端移动,发光峰半高度变窄,量子点发光峰能量随温度的红移幅度较小,理论计算证实这是由于覆盖层InxGa1-xAs减小了InAs表面应力导致发光峰红移,而In元素有效抑制了InAs/GaAs界面组份的混杂,量子点的均匀性得到改善,PL谱半高宽变窄,用InGaAs覆盖的In0.5Ga0.5As/GaAs自组织量子点实现了1.3μm发光,室温下PL谱半高宽为19.2meV,是目前最好的实验结果。 相似文献
1000.
RBF网络在多光谱测温中的应用研究 总被引:6,自引:1,他引:6
介绍了一种人工神经网络在多光谱测温数据处理中的应用。利用人工神经网络,结合多种发射训练样本模型,可以自动辨识被测目标的发射率模型,从而得到目标的真温和光谱发射率。应用二次细分的方法进一步提高了测量精度,并分析了各种测量误差对测温精度的影响。仿真结果表明此方法是获知真温与发射率的一种较好的方法。 相似文献