对等网络中的信息安全

近年来，对等网络得到迅速发展，其广泛应用促进了信息技术的发展，也带来了一系列的安全问题。介绍了对等网络中若干安全问题，并针对这些问题，分析并给出了相应的安全保障策略，最后对P2P中的信息安全问题的未来做了展望。     

七里北地区钻井工程地质特征及提高钻速的技术途径

七里北潜伏构造南邻渡口河、北邻铁山坡,这些构造均在飞仙关鲕滩钻获良好的天然气,具有很好的勘探前景。七里北1井钻探表明,该井在飞仙关地层获天然气80×104m3,但储层埋藏深度达5600m,且侏罗系地层的钻井工程地质条件与相邻构造有显著差异,钻井速度低和钻具事故多这两大问题突出,严重制约了探井钻井速度。认真分析了七里北1井的钻井工程地质特征,有针对性地提出提高飞仙关探井钻井速度的技术途径,有利于解决钻井工程面临的突出问题,对加快该地区飞仙关鲕滩气藏的勘探速度有着重要意义。     

没有SDC的(t，n)门限秘密共享方案

利用椭圆曲线离散问题对数问题的难解性,给出了基于椭圆曲线密码体制的(t,n)门限秘密共享方案。基于门限秘密共享方案一般分为需要SDC和不需要SDC两类,在分布式环境下,一个被所有成员信任的SDC并不存在,不需要SDC的门限秘密共享方案的安全性得到很大的提高,该方案中由组成员共同生成群公钥和私有密钥。并给出了当新成员加入时,无SDC下的周期密钥分片的更新方案。还给出了一个本方案数据实例,最后对本方案的安全性进行了分析。     

Simplification of the Plasma Load of Negative-Pulse-Bias Source Used in Arc Ion Plating

Based on the voltage and current fluctuating phenomenon in the arc plasma load under the negative-pulse-bias, usingthe plasma physics theory and analysis of computer simulation expatiates that the nature of plasma load in vacuumarc plasma is a capacitance     

运动饮料配方设计概论

运动中，人体生理发生一系列的变化，包括水分损失、血糖／糖原消耗、电解质损失等，导致运动中／后的疲劳和运动能力下降。以运动中人体生理特点为基础，通过讨论运动前／中／后补充水、碳水化合物及电解质的问题，论证了运动饮料配方设计的原理依据。     

介孔材料制备及研究进展

介孔材料是一类孔径分布在1．5～50nm之间的多孔材料，具有比表面积大，孔隙率高，孔径分布窄，孔排布有序的特点，在催化、分离等领域具有广阔的应用前景。综述了介孔材料近些年在制备、应用、机理等方面的最新进展与前景展望。     

新型高K栅介质ZrO2薄膜材料的制备及表征

采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm.     

一种CMOS静态双沿顺序脉冲发生器的设计

提出一种基于CMOS技术的静态双沿顺序脉冲发生器结构。他是由以基于CMOS二选一选择器的电平型触发器构成的记忆单元和一个与门阵列组成的转译单元构成的。与门阵列的转译单元使顺序脉冲发生器在时钟上升沿和下降沿处均能输出移位脉冲,从而形成双沿触发的功能。仿真验证其功能正确,且根据分析该结构不仅能够节省芯片面积,还可以大大减小芯片的功耗。     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。     

从PZT体系看无铅压电陶瓷的可能应用

总结了主要以(Bi0.5Na0.5)TiO3和NaNbO3为基的无铅压电陶瓷的性能，以Pb(Ti，Zr)TiO3基二元系、三元系压电陶瓷的性能与应用为参考，分析了无铅压电陶瓷可能的器件应用。此外，还对拓宽无铅压电陶瓷应用需要改进的性能提出了建议。