太阳能电池续流储能间歇式供电系统实验研究

基于持续收集能量、间歇式供电的目的。本文介绍了超级电容特性参数,给出了超级电容、太阳能电池的选择方法,设计了太阳能电池续流储能间歇式供电系统,通过实验验证了续流储能的可行性。     

自适应智能化谐波电流检测方法

有源电力滤波器检测谐波电流的实时性、精确性对电能质量的提高至关重要,文中提出了基于非线性最小二乘法与自适应人工神经网络结合的检测方法。非线性最小二乘法用于检测基波电压的频率,自适应人工神经网络用于检测基波电压的初始相位和基波电流的幅值,由基波电压的频率和初始相位获得单位幅值的基波电流。文中方法在0.02 s内可准确检测出基波和谐波电流,检测精度较传统方法有显著提高,通过仿真验证了该方法的有效性和优越性。     

锁相式频率合成器相位噪声分析与仿真

相位噪声是影响频率合成器性能的重要指标,首先分析了锁相式频率合成器各个组成部分的相位噪声,然后根据相位噪声传输函数,建立了频率合成器相位噪声的精确仿真预测模型.为了验证仿真方法的可靠性,设计了一个输出频率为2GHz的频率源,实验测得的相位噪声曲线和仿真结果非常吻合.     

基于ρ域线性率失真模型的H.264帧级码率控制算法1

本文基于ρ域线性率失真模型提出一种适用于H.264的帧级码率控制算法.先验证线性率失真函数对H.264编码算法的适用性,再通过使用混合自适应估计方法精确地估计出该模型惟一的参数θ,实现线性率失真函数在H.264码率控制中的应用.仿真结果表明,与JVT-H017算法相比,新算法不仅获得更精确的码率控制,而且获得更平稳的输出码率和PSNR,同时实现简单,适用于实时视频通信.     

浅论雷达组网

本文通过对限制雷达发挥效能的各种因素的分析,提出了雷达组网对解决雷达所面临的多种问题、提高雷达的使用效能的解决途径,介绍了雷达组网的关键技术,说明雷达组网将是雷达发展的主要趋势。     

基于微光机电系统的微感知技术

微光机电系统技术是在微机电系统技术基础之上发展起来的具有多种学科交叉融合特征的前沿高新技术,在该技术上建立的微感知技术是未来微系统技术的核心技术之一.由于微感知技术具有微型化、集成化和智能化的特点,未来在国防军工、精密仪器、特殊工业,以及环境检测等领域将有广泛的应用前景.首先描述了微感知技术的技术特征,同时对当前国内外的微感知技术研究情况进行了介绍,总结了微光机电系统的几个亟待突破的技术问题,并指出了微感知技术面临的挑战.通过对发展微感知技术需要关注问题的思考,对我国微感知技术的发展提出了建议.     

PLC接收模拟量输入信号的通用计算表达式

本文针对PLC接收模拟量输入信号量值转换的计算问题,推导出PLC模拟量输入模块的模拟值与传感器测量物理量之间关系的通用计算表达式,并就具体实例情况进行了演绎。笔者得出的通用计算表达式,对于使用PLC处理模拟量的量值转换计算,对教学具有指导意义。     

开关磁阻电机转速调节器参数模糊自整定的研究

开关磁阻电机(SRM)具有较强的非线性,很难建立其准确的数学模型,在传统PID调速控制中难以获得整个调速范围内Kp、KI、KD 3个参数的最优组合。而固定参数的传统PID调节器,不利于系统调速的精准性与抗干扰性。通过分析传统PID调节器3个参数的控制特点,主要针对起动、调速、负载扰动等若干状态下,建立适当的、通用的模糊控制规则,将模糊控制和PID控制相结合,构成SRM的模糊PID转速调节器,实现Kp、KI、KD 3个控制参数的自适应调节,从而获得在整个调速范围内不同负载下较好的调速特性。仿真试验表明,所提出方法避免了固定参数转速调节器的比例积分环节导致的低速、轻载工况下的转速超调与振荡,克服了单纯模糊控制所导致的调速误差。     

基于矢量误差修正的实时负载牵引测量模型方法

提出了一种新型基于矢量误差修正的负载牵引测量模型方法。相比于传统负载牵引测量系统,该方法从8-term矢量误差模型入手,建立接收机与被测件端口处电压波的函数关系,通过对矢量网络分析仪进行矢量校准和对内部接收机进行一次绝对功率校准,可实时测量被测件的输入/负载反射系数,输入/输出功率及功率增益、效率等。按照模型方法搭建了相应的硬件系统,与商用Focus的类似系统进行了比较验证,实验结果表明具有良好的效果,证明了所提方法的准确性。     

微波组件激光封焊的温度场仿真

基于高斯面热源加三维锥体热源的组合热源模型和ANSYS有限元软件,建立了高硅铝合金微波组件壳体的激光焊接数值分析模型。使用三角周期函数实现热源功率的循环加载。通过激光焊接过程的热仿真,分析了密封焊接过程中,微波壳体四条边的温度分布规律以及温度变化趋势。仿真结果表明,焊缝中心的温度随着焊接过程的持续进行而不断升高,焊接速度的提高也导致焊缝中心温度增加。此外,焊接过程中,铝硅壳体温度也持续上升,第4道焊缝收弧时,该点附近底板温度已经达到210 ℃,会损害底板上电子元器件的性能。