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181.
根据延迟焦化流程的特点,分析了延迟焦化装置扩大生产能力的瓶颈,探讨了基于能量综合优化的装置扩能解除瓶颈的策略方法,基于过程能量综合优化,运用流程模拟技术,通过配套的加热炉优化,分馏塔操作优化,换热网络柔性设计等手段,实现了装置扩大生产能力的目的,并运用所提出的策略对某延迟焦化装置进行了基于能量系统优化的扩能改造,在原流程与设备的基础上,装置处理量增大18.2%,装置物耗,能耗大幅度降低,改造设备投资少,说明能量综合优化对工艺装置扩能改造具有重要意义。  相似文献   
182.
川西马进地区下白垩统含气性识别在测井解释上 ,主要在于储层含气水差异分辨较困难 ,气和水在测井曲线上的响应比较接近 ,过去解释的部分气层经测试却产水 ,常规的测井解释方法很难将二者区分开。以钻井录井显示和测试结果为依据 ,利用交会图分析技术 ,成功地对储层含气、水性质进行了识别 ;利用模糊聚类分析技术对含气性差异与含水性差异进行了判别。在此基础上 ,对含气性进行评价。  相似文献   
183.
Computer-aided software engineering (CASE) tools are currently being used by IS professionals rather than by users. No matter how effective these tools may be, however, they will not be able to assist in the reduction of application backlogs without supporting user-driven applications. This article examines characteristics of a CASE environment from the various perspectives of decision support, identifies the advantages and limitations of end-user computing in this environment, and suggests how IS managers can realize the potentials of CASE for user applications.  相似文献   
184.
In this paper we propose a novel built-in self-test (BIST) design for embedded SRAM cores. Our contribution includes a compact and efficient BIST circuit with diagnosis support and an automatic diagnostic system. The diagnosis module of our BIST circuit can capture the error syndromes as well as fault locations for the purposes of repair and fault/failure analysis. In addition, our design provides programmability for custom March algorithms with lower hardware cost. The combination of the on-line programming mode and diagnostic system dramatically reduces the effort in design debugging and yield enhancement. We have designed and implemented test chips with our BIST design. Experimental results show that the area overhead of the proposed BIST design is only 2.4% for a 128 KB SRAM, and 0.65% for a 2 MB one.  相似文献   
185.
中国电子商务思考   总被引:1,自引:0,他引:1  
林殿辚 《世界电信》2002,15(12):34-36
网络经济持续走低,但电子商务的发展大方向是不会改变的。在中国,目前的主要问题是宽带网的重复建设、认证机构建设缺乏有效监管、电子商务立法滞后、物流配送系统不完善、标准化问题成为电子商务发展的障碍等,当前应做的主要是:政策的宏观引导、示范推广、加强对宽带网和认证机构建设的监管等。  相似文献   
186.
The direct integral equation is formulated for describing the current on the multiple perfectly conducting strips in cylindrical geometries for an E-polarization plane wave of normal incidence. By using the Galerkin's method, the surface currents on the conducting strips are expanded in the form of a series of Chebyshev polynomials of the first kind, while the unknown expanding coefficients are solved by a set of matrix equations of finite order with a fast convergence rate and a high accuracy. Furthermore, numerical results are presented to demonstrate the variation of the penetrated near-zone field in the presence of one, two, three, four and six cylindrical apertures, and the hybrid effects of both aperture number and aperture angular widths on the penetrated fields are investigated in detail  相似文献   
187.
In this paper, a localized MEI method (L-MEI) is developed and combined with the domain decomposition method (DDM) for the simulation of scattering by a concave cylinder. In the L-MEI, the whole domain is decomposed into many subdomains. Different from the conventional MEI method, the MEI coefficients of the L-MEI method in each subdomain are only dependent on the localized metrons that are defined in the subdomain. The localization of metrons has the following advantages: (1) speeding up the calculation of MEI coefficients and saving memory, (2) making the MEI method available for concave structures, and (3) obtaining a band sparse matrix directly without any modification  相似文献   
188.
激光晶体Nd:YVO4的形貌及生长缺陷   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文报道了应用环境扫描电镜(ESEM)和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的(001)面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.  相似文献   
189.
赵邑新  尹霞  吴建平 《高技术通讯》2002,12(2):10-15,20
在分析路由协议的特性及其测试需求的基础上,提出利用窗口黑盒来描述被测协议,利用多通道测试方法扩展对被测实现的控制和观察,通过扩充参考实现增强系统的测试能力。将这些理论,技术应用于系统中,对路由协议开展了有效的测试活动,为国产高性能路由器的开发提供了有力的支持,也进一步增强了PITS系统的功能和适用性。  相似文献   
190.
Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光,在50kV加速电压下,其曝光剂量为50-100μC/cm^2,曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍,分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT:一种用Ⅰ线光致抗蚀剂,对源、漏及栅全部都采用电子束曝光,制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT;另一种将源、漏及栅分割成两部分,其中精细部分由电子束曝光,其余部分由光学系统曝光,用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ  相似文献   
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