全文获取类型
收费全文 | 229589篇 |
免费 | 17504篇 |
国内免费 | 9177篇 |
专业分类
电工技术 | 12498篇 |
技术理论 | 24篇 |
综合类 | 14185篇 |
化学工业 | 38864篇 |
金属工艺 | 13191篇 |
机械仪表 | 14576篇 |
建筑科学 | 17644篇 |
矿业工程 | 7553篇 |
能源动力 | 6438篇 |
轻工业 | 13487篇 |
水利工程 | 3610篇 |
石油天然气 | 16665篇 |
武器工业 | 1657篇 |
无线电 | 25217篇 |
一般工业技术 | 27409篇 |
冶金工业 | 12833篇 |
原子能技术 | 2257篇 |
自动化技术 | 28162篇 |
出版年
2024年 | 1000篇 |
2023年 | 3810篇 |
2022年 | 6526篇 |
2021年 | 9147篇 |
2020年 | 7125篇 |
2019年 | 6044篇 |
2018年 | 6758篇 |
2017年 | 7565篇 |
2016年 | 6760篇 |
2015年 | 8904篇 |
2014年 | 11287篇 |
2013年 | 13315篇 |
2012年 | 14276篇 |
2011年 | 15518篇 |
2010年 | 13460篇 |
2009年 | 12723篇 |
2008年 | 12378篇 |
2007年 | 11877篇 |
2006年 | 12365篇 |
2005年 | 10764篇 |
2004年 | 7277篇 |
2003年 | 6241篇 |
2002年 | 5476篇 |
2001年 | 4892篇 |
2000年 | 5433篇 |
1999年 | 6442篇 |
1998年 | 5435篇 |
1997年 | 4456篇 |
1996年 | 4198篇 |
1995年 | 3515篇 |
1994年 | 2817篇 |
1993年 | 1966篇 |
1992年 | 1538篇 |
1991年 | 1227篇 |
1990年 | 933篇 |
1989年 | 740篇 |
1988年 | 539篇 |
1987年 | 336篇 |
1986年 | 278篇 |
1985年 | 196篇 |
1984年 | 139篇 |
1983年 | 114篇 |
1982年 | 124篇 |
1981年 | 98篇 |
1980年 | 70篇 |
1979年 | 36篇 |
1978年 | 26篇 |
1977年 | 20篇 |
1976年 | 35篇 |
1973年 | 13篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
Shealy J.B. Hashemi M.M. Kiziloglu K. DenBaars S.P. Mishra U.K. Liu T.K. Brown J.J. Lui M. 《Electron Device Letters, IEEE》1993,14(12):545-547
A technology for increasing both the two-terminal gate-drain breakdown and subsequently the three-terminal-off-state breakdown of AlInAs/GaInAs high-electron-mobility transistors (HEMTs) to record values without substantial impact on other parameters is presented. The breakdown in these structures is dependent on the multiplication of electrons injected from the source (channel current) and the gate (gate leakage) into the channel. In addition, holes are generated by high fields at the drain and are injected back into the gate and source electrodes. These phenomena can be suppressed by increasing the gate barrier height and alleviating the fields at the drain. Both have been achieved by incorporating a p+-2DEG junction as the gate that modulates the 2DEG gas and by utilizing selective regrowth of the source and drain regions by MOCVD. The 1-μm-gate-length devices fabricated have two-terminal gate-drain and three-terminal-off-state breakdown voltages of 31 V and 28 V, respectively 相似文献
102.
PC/ABS合金的研制及其在汽车上的应用 总被引:6,自引:0,他引:6
对PC/ABS合金开发和研制及其在汽车上的应用作了评述。介绍了上海杰事公司在该领域的进展。 相似文献
103.
对1600圆盘式高速金属冷锯机进行了锯切功率的实验研究。对某厂四种有代表性的产品,用不同的进锯速度,实测每种条件下的锯切功率变化,和最大瞬时锯切功率与平均锯切功率之比。并以实测数据为基础,得出每种产品以进锯速度为自变量的平均锯切功率回归公式。这些工作,不仅可以为这种冷锯机锯切功率的理论研究提供依据,还可直接为使用和设计这种冷锯机给出具体参考数据。 相似文献
104.
研究了温度及气体压力对漂移室(工作于正比区)气体放大倍数的影响,温度和气体压力的变化范围分别是5 ̄40℃及90 ̄105kPa。用实验数据拟合得到了函数关系并测量了几种饱和度下函数中的参数值。 相似文献
105.
详细介绍了在改进红外焊缝检测仪的过程中实时信号的一种抗干扰方法--自相关方法。重点离自相关方法的数学模型,软件框图及设计思想,并给出了实验结果。 相似文献
106.
本文介绍了可编程增益放大器设计的方法。它主要由控制电路、放大电路、显示电路三大模块组成。该系统性能好、成本低、工作可靠,具有一定的工程应用价值,经测试表明,该设计基本上达到了设计的要求。 相似文献
107.
By using optical displacement-measuring techniques we obtain the crack tip fields in terms of crack tip strain, crack opening angle (COA) and crack tip opening angle (CTOA). Thin plates with different crack configurations made of six elastic-plastic materials with strain hardening exponent ranging from 3 to are studied. We find that the COA resistance curve assumes certain characteristics common to all the materials. The experimental results indicate that the critical value of COA may be used as a fracture toughness parameter for these materials.
Résumé En utilisant une technique de mesure optique des déplacements, on obtient les champs régnant à l'estrémité d'une entaille, qui s'experiment par la déformation d'extrémité d'entaille, l'angle d'ouverture de la crique (COA et l'angle d'ouverture de la pointe de la crique (CTOA). On étudie des feuillards présentant différentes configurations de fissures et réalisés en six matériaux élasto-plastiques dont les modules d'écrouissage s'échelonnent de 3 à l'infini.On trouve que la courbe de résistance COA suppose certaines caractéristiques communes à tous les matériaux. Les résultats expérimentaux indiquent que la valeur critique du COA peut être utilisée comme paramètre de ténacité à la rupture pour les matériaux étudiés.相似文献
108.
K. -H. Song H. K. Liu S. X. Dou C. C. Sorrell N. Savvides G. J. Bowden 《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》1990,1(1):30-33
Silver/superconductor composites containing 0 to 80 vol% silver have been prepared and their properties determined. Optimum heat treatment at sintering temperatures ( 800° C) under low oxygen pressures produces material with high critical current density and improves physical properties. Magnetic susceptibility measurements have been found to be consistent with resistivity results. In order to retain a single high-T
c phase with increasing silver content, decreased oxygen partial pressures are required. Using the normal-state resistivity of these composites, a percolation threshold at a silver volume fraction of 43% was observed, while zero resistivity measurements show that a continuous superconducting network can be obtained with up to 80 vol% silver. The critical current density of 21 vol% silver-doped samples was found to be 1520 A cm–2 at 77.3 K, compared to 260 A cm–2 for an undoped sample. 相似文献
109.
Luan Yu Shi Yuhang Wu Wanyin Liu Zhiyao Chang Hai Cheng Jun 《Knowledge and Information Systems》2021,63(10):2791-2814
Knowledge and Information Systems - In the past decade, human activity recognition (HAR) has grown in popularity due to its applications in security and entertainment. As recent years have... 相似文献
110.
Applied Intelligence - Personnel performance is a key factor to maintain core competitive advantages. Thus, predicting personnel future performance is a significant research domain in human... 相似文献