纸张背衬不同衬底时的光反射率的研究

从理论上研究了纸张背衬不同衬底的光反射率，得出下列表达式：Ｒｂ＝Ｒｏ＋（Ｒ∞－Ｒｏ）×（１／Ｒ∞－Ｒｏ）／（１／Ｂ－Ｒｏ）（Ｂ为衬底的光反射率），该式简单实用且物理意义明确。利用上述公式，可将Ｔａｐｐｉ标准列出的Ｔａｐｐｉ不透明度Ｃ０．８９的换算公式简化，并可从理论上定性地讨论纸张不透明度与印刷透印性的关系。     

珠江口盆地惠州地区中新统地层岩性圈闭形成条件分析

区域地质背景反映珠江口盆地惠州地区中新统具有形成地层岩性圈闭的条件。研究惠州地区地层岩性圈闭的形成条件、控制因素和分布规律,对于该区油气勘探持续发展有重要意义。建立了惠州地区中新统高精度的层序地层格架,在此基础上分析不同类型层序的构型特点,研究不同类型坡折带的形成机制、分布范围及对沉积体系的控制作用。层序地层边界和坡折带是控制本区地层岩性圈闭形成的重要因素。惠州地区存在3种具有勘探前景的地层岩性圈闭,选择HZ27-3低位体钻探获得成功。     

New Environment-Friendly Approach for Bastnasite Metallurgic Treatment (I): Extraction of Tetravalent Cerium from Sulphuric Acid Medium with Di(2-ethylhexyl) Phosphoric Acid

Bastnasiteisamainsourceofrareearthproducts inwhichCeO2/REOisabout50%.Atpresent,a cidity leachingcombinedwithalkali conversion method[1]iscommonlyusedinthebastnasitetreat ment.Thismethodisunfriendlytotheenvironment becausetheradioactiveelementofthoriuman…     

疲劳裂纹的灰色残差预测

借助灰色理论，建立了预测疲劳裂纹扩展的灰色残差预测模型，并应用此模型预测了某不锈钢构件腐蚀疲劳裂纹的扩展，得到了较高精度的预测结果，为疲劳裂纹预测提供了一种简易而可靠的新途径。     

高炉炉渣流动性的实验研究

以宝钢高炉渣中的四大组元(CaO,SiO2,Al2O3,MgO)为基础,实验研究MgO,Al2O3含量及碱度对炉渣的熔化性温度和流动性的影响.结果表明,炉渣中Al2O3含量控制在16%,配制适量的MgO(9%～10%),在1 500℃以上的高温区域,炉渣仍能保持正常的流动性,适合炉缸温度充沛的高炉使用;MgO含量由6%增加到10%时,较明显地降低了炉渣粘度,粘度的递减值约为0.07～0.15 Pa.s.     

用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜

提出在单片微波集成电路(MMIC)中用多孔硅/氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜.研究了厚度为70μm的多孔硅/氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成,这层厚膜增加了衬底的电阻率,减少了微波的有效介质损耗.通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线(CPW)的微波特性.     

丁二烯装置的安全生产

丁二烯是生产顺丁橡胶的主要原料,它作为液化气的一种组成成分,具有闪点低、引燃能量小、爆炸下限低、爆炸范围大等特点,因此做好丁二烯在储运、生产过程中的安全生产工作至关重要.     

赛汉塔拉凹陷滑塌浊积岩的发现与勘探意义

通过研究二连盆地赛汉塔拉凹陷中洼槽陡坡带的含鲕粒块状细砂岩从岩性特征、沉积结构及构造特征、粒度特征、测井曲线特征、地震反射特征以及对其形成机理的分析,认为赛83x含油砂岩体为在半深湖一深湖环境形成的滑塌浊积扇沉积.这种类型的滑塌浊积扇具备分选、磨圆度、物性较好等条件,尤其是此类砂岩体往往被形成于深湖一半深湖相还原环境的深灰色、灰黑色泥岩--成熟烃源岩所包围,易形成岩性圈闭,有利于油气的运移和聚集成藏,是断陷湖盆陡坡带油气勘探的重要目标.     

单片机自控系统在NS0631型轨道起重机上的应用

单片机自控系统在大型工程机械中得到了越来越广泛的使用，从而使设备的安全性、可靠性大为提高。文章着重分析了NS0631型轨道起重机中自控系统的结构、使用中存在的问题，提出了解决的方法及今后的改进设想。     

Monte Carlo Simulations of High-Performance Implant Free In0.3Ga 0.7As Nano-MOSFETs for Low-Power CMOS Applications

The potential performance of implant free heterostructure In_0.3Ga_0.7As channel MOSFETs with gate lengths of 30, 20, and 15 nm is investigated using state-of-the-art Monte Carlo (MC) device simulations. The simulations are carefully calibrated against the electron mobility and sheet density measured on fabricated III-V MOSFET structures with a high-kappa dielectric. The MC simulations show that the 30 nm gate length implant free MOSFET can deliver a drive current of 2174 muA/mum at 0.7 V supply voltage. The drive current increases to 2542 muA/mum in the 20 nm gate length device, saturating at 2535 muA/mum in the 15 nm gate length one. When quantum confinement corrections are included into MC simulations, they have a negligible effect on the drive current in the 30 and 20 nm gate length transistors but lower the 15 nm gate length device drive current at 0.7 V supply voltage by 10%. When compared to equivalent Si based MOSFETs, the implant free heterostructure MOSFETs can deliver a very high performance at low supply voltage, making them suitable for low-power high-performance CMOS applications