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Five-terminal silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs have been characterized to determine the threshold voltage at the front, back, and sidewall as a function of the body bias. The threshold voltage shift with the body bias at the front and back interfaces can be explained by the standard bulk body effect equation. However, the threshold voltage shift at the sidewall is smaller than predicted by this equation and saturates at large body biases. This anomalous behavior is explained by two-dimensional charge sharing between the sidewall and the front and back interfaces. An analytical model that accounts for this charge sharing by a simple trapezoidal approximation of the depletion regions and correctly predicts the sidewall threshold voltage shift and its saturation is discussed. The model makes it possible to measure the sidewall threshold even when it is larger than the front threshold voltage 相似文献
193.
郝永明古建园林绘画作品另辟蹊径,难能可贵。郝永明的画,不仅给我国美术宝库增加了一份积累,也给古建园林艺术增添了珍贵的资料。 相似文献
194.
McIntyre H. Wendell D. Lin K.J. Kaushik P. Seshadri S. Wang A. Sundararaman V. Ping Wang Song Kim Hsu W.-J. Hee-Choul Park Levinsky G. Jiejun Lu Chirania M. Heald R. Lazar P. Dharmasena S. 《Solid-State Circuits, IEEE Journal of》2005,40(1):52-59
A 4-MB L2 data cache was implemented for a 64-bit 1.6-GHz SPARC(r) RISC microprocessor. Static sense amplifiers were used in the SRAM arrays and for global data repeaters, resulting in robust and flexible timing operation. Elimination of the global clock grid over the SRAM array saves power, enabled by combining the clock information with array select signals. Redundancy was implemented flexibly, with shift circuits outside the main data array for area efficiency. The chip integrates 315 million transistors and uses an 8-metal-layer 90-nm CMOS process. 相似文献
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196.
文章通过对上海“新浦江城”首期项目的介绍,分析了意大利设计在该项目应用中的独特之处,同时指出了存在的一些问题。指出国外设计应结合中国国情,符合社会发展的需要。 相似文献
197.
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通过分析100t转炉冶炼工艺中存在的问题,对冶炼工艺进行优化,提高转炉过程控制能力和一倒炉命中率,结果表明:过程喷溅可降低至9%,冶炼终点命中率提高到63% 以上。[第一段] 相似文献
200.
针对梅山自产焦炭,利用梅山焦炭反应性试验设备,通过改变焦炭块数、CO2流量和温度等控制参数,讨论了这些参数对焦炭反应性和反应后强度检测值的影响,以及保证测定可靠性应采取的控制措施。 相似文献