高衬底温度下溅射淀积二硅化钛膜

我们在室温和600℃下用复合的二硅化钛靶在〈111〉向的裸硅片上溅射淀积了二硅化铁膜。室温下淀积的二硅化钛膜需要在900℃下进行烧结,以使其电阻率降低。而600℃下淀积的二硅化钛膜已经反应充分形成颗粒较大的没有氧沾污的多晶状,而且该膜抗氧化。将该膜在900℃下进行进一步退火,发现其晶体结构、成分、电阻率即晶粒大小没有变化。     

运用现代CFD方法设计高效率的汽轮机(续前期)

论述了运用现代计算流体动力学(ComputationalFluidDynamics,CFD)技术设计高效率汽轮机的方法,典型应用的实例有全三维叶片级流场、叶片汽封和排汽蜗壳计算。计算结果和实际是相符的。进一步对结构性单元和非结构单元程序的计算结果进行了比较,已证明,非结构单元CFD程序用于复杂形状的流场计算时,结果与实际相当一致,并具有独特的功能。     

医药技术的维新时代

按照惯例，医药设备生产企业总能给纽伦堡TechnoPharm展会的检测技术展厅中带来非常活跃的气氛。在本年度的展会期间，德国的医药产品生产企业同样也期待着这种繁荣活跃的气氛。医药产品设备生产制造商和仪器仪表生产商将在展会期间展示灵活方便的集成式产品。[编者按]     

纪念声表面波器件的奠基人——英国物理学家瑞利发现瑞利波100周年声表面波器件的最新进展(二)

四、带通滤波器由本文第二部分可知,SAW带通滤波器设计的主要问题是推导合适的脉冲函数h(t),h(t)通过傅里叶变换与滤波器频率响应H(f)联系起来.通常,h(t)为无限值,所以必须对它截断,带通滤波器的实现.有限脉冲响应函数(其傅里叶变换给所需的“理想”频率响应以最佳近似值)的推导过程曾经是七十年代的主要研究课题.根据研究,几种非常有用的计算机辅助设计程序在目前已普遍采     

设计作为一种探寻约束的过程

我们想了解作为建筑师是如何思考设计问题的,我们有一两个想法。我们建议将设计过程编成计算机程序,如果计算机能模仿建筑师,哪怕只有一点,这一实验也就成功了。我们的理论就成活了,这一程序也就值得作进一步深入完善的推敲。设计程序是一种理论同时也是一种实验。作为实验,它有清晰明了、便于控制的优点;作为理论,又有不够简洁的缺点。优缺点兼而有之。设计是一个解决问题的过程,解决途径往往不止一个。简略地说,建筑这类设计的结果即使错一般也不会全错。多数是可以满足要求的,部分等而次之,少数绝妙高明,但     

中等直径炮孔中炸药的爆炸特性

南非各采石场普遍采用直径为64毫米和80毫米的两种炮孔,使用的炸药为散装铵油炸药和包装代拿买特和浆状炸药。目前的法规要求是,露天矿超过3米的炮孔,要敷设导爆索。因此,中等直径的药包大多数都是侧面起爆。借助64毫米和80毫米两种直径的双钢管,试验研究了炸药在钢管中的爆炸特性。上部管为壁厚约3毫米的低碳钢蒸汽管。选     

石油科技研究的未来发展方向

最近20年来，由于油价波动引发的公司重组、兼并和裁员，使得许多研究机构关闭，油公司对科研项目的支持也有所降低．长期研究项目的减少造成创新思维的不足，很多研究工作仅仪为了满足降低成本的需要而进行技术改进。在新的形     

用于VLSI的注入氮化物特性

本文描述了在VLSI研制中通过氮注入形成氮化硅层。在形成各种氮化物层的过程中,注入分子氮能量范围为5到60keV,随后在1000℃的氮中退火。描述在炉中退火前后所形成的氮化物层特性,在不同的IR、SIMS和椭圆对称测量情况中找出局部氧化掩模的有效注入条件。相对于整个注入能量范围,注入氮的最初IR峰值为815cm~(-1)。对于退火后的高能量注入来说该位置会漂移到一个较高的波长数,低能量注入峰值接近于830cm~(-1),上述均与LPCVD为氧化物峰值相比而言。此研究结果认为,低能氧化物的化学成分几乎是可用定量计算的。退火过程中浓度分布向着表面漂移,并将增高峰值区氧的浓度。从氮化物分布剖面看最大值是在表面,而在<10keV时消失。在1000℃的蒸汽中生长5300(?)氧化层进行测试这些氮化物掩模特性。剂量为5×10~(16)N_2~+/cm~(-2)离子的氮化物在注入能量低于40keV会形成有效的氧化掩模。在此实验条件下,在10keV下所形成的氮化层可认为是一个有效的氧化掩模,足以适应选择性地腐蚀SiO_2,减小“鸟嘴”尺寸为常规LOCOS的四分之一。