3D封装与硅通孔(TSV)工艺技术

在IC制造技术受到物理极限挑战的今天,3D封装技术越来越成为了微电子行业关注的热点。对3D封装技术结构特点、主流多层基板技术分类及其常见键合技术的发展作了论述,对过去几年国际上硅通孔（TSV）技术发展动态给与了重点的关注。尤其就硅通孔关键工艺技术如硅片减薄技术、通孔制造技术和键合技术等做了较详细介绍。同时展望了在强大需求牵引下2015年前后国际硅通孔技术进步的蓝图。     

基于样本紧密度的雷达高分辨距离像识别方法研究

模板库是基于高分辨距离像(HRRP)进行雷达自动目标识别的关键。由于真实目标复杂的电磁散射特性及背景杂波的存在,基于传统平均HRRP模板库的目标识别方法的实用性能有限。该文分析了雷达目标HRRP样本集在单位超球面上的空间分布特征,构建了类心+紧密度球特征模板库,定义了基于紧密度球的距离度量方法,最后提出基于样本紧密度的HRRP识别方法。基于公共MSTAR数据的实验结果表明该方法具有良好的工程实用性能。     

Influence of window layer thickness on double layer antireflection coating for triple junction solar cells

The optimization of a SiO₂/TiO₂,SiO₂/ZnS double layer antireflection coating（ARC）on Ga_0.5In_0.5P/In_0.02Ga_0.98As/Ge solar cells for terrestrial application is discussed.The Al_0.5In_0.5P window layer thickness is also taken into consideration.It is shown that the optimal parameters of double layer ARC vary with the thickness of the window layer.     

低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响

利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜. 双晶X射线衍射证明其为闪锌矿结构，晶格参数为0.5683nm，据此推导出其Mn含量为7%. 磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K. 观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响，发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度，可以达到115K.     

A High Performance InP HEMT with Saw-Toothed Source and Drain

Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒｗａｖｅ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｉｓ　ｖｅｒｙ　ｉｍｐｏｒｔａｎｔ　ｆｏｒ　ＭＭＩＣ　ｄｅｓｉｇｎ　ａｎｄ　ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ．Ａｎ　ＩｎＰ　ＨＥＭＴ　ｗｉｔｈ　ｓａｗｔｏｏｔｈｅｄ　ｓｏｕｒｃｅ　ａｎｄ　ｄｒａｉｎ　ｉｓ　ｄｅｓｃｒｉｂｅｄ．Ｔｈｅ　ｐａｔｔｅｒｎ　ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ　ｄｕｅ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　ｉｓ　ａｖｏｉｄｅｄ．Ｈｉｇｈ　ｙｉｅｌｄ　ＩｎＰ　ＨＥＭＴ　ｗｉｔｈ　ｇｏｏｄ　ＤＣ　ａｎｄ　ＲＦ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓ　ｉｓ　ｏｂｔａｉｎｅｄ．Ｔｈｅ　ｄｅｖｉｃｅ　ｔｒａｎｓｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ　ｉｓ　１０５０ｍＳ／ｍｍ，ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｉｓ　－１.０Ｖ，ａｎｄ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｇａｉｎ　ｃｕｔ　ｏｆｆ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｉｓ　１２０ＧＨｚ．     

1064nm RCE探测器光电响应特性分析

对1064nm谐振腔增强型（RCE）光电探测器(PD)的光电响应特性进行了分析研究．利用MBE生长技术得到有源区分别为量子阱和量子点的1064nm RCE探测器的外延片,并对制作的探测器进行了各种光电特性测试．结果表明量子阱结构的RCE探测器量子效率峰值达到57%,谱线半宽6～7nm,峰值波长1059nm;而量子点结构的RCE探测器量子效率峰值达到30%,谱线半宽5nm,峰值波长1056nm．通过分析量子效率和吸收系数之间的关系,对两种结构器件的吸收进行了比较,发现虽然量子点探测器的吸收小,但通过合理设计共振腔等方法也可以达到较高的量子效率．两种结构的器件都有很好的Ｉ-Ｖ特性．     

从吐哈油田HFC网的建设看有线电视的发展趋势

1　引言1993年 9月美国政府提出“信息高速公路计划” ,掀起了全球开发高速通信网的热潮 ,基于电路交换的数字数据网 (ＤＤＮ)、窄带综合业务数字网 (ＩＳＤＮ) ;基于分组交换的光纤分布数据接口网 (ＦＤＤＩ)、ＦＲ帧中继网以及ＡＴＭ等技术的出现 ,使通信网能在干线或局域网中实现高速大容量的信息传递。然而这些网络大多为共享型 ,传输量有限 ,易形成“瓶颈”现象 ,因此目前制约通信的主要障碍是接入网技术 ,即“最后 1ｋｍ”问题。ＨＦＣ有线电视网以其频带宽、容量大、低成本、双向性等优势 ,并兼顾现有的模拟信息和数字信息 ,是目前接…     

Material Growth and Device Fabrication of GaAs Based 1.3μm GaInNAs Quantum Well Laser Diodes

Material growth and device fabrication of the first 1.3μm quantum well (QW) edge emitting laser diodes in China are reported.Through the optimization of the molecular beam epitaxy (MBE) growth conditions and the tuning of the indium and nitrogen composition of the GaInNAs QWs,the emission wavelengths of the QWs can be tuned to 1.3μm.Ridge geometry waveguide laser diodes are fabricated.The lasing wavelength is 1.3μm under continuous current injection at room temperature with threshold current of 1kA/cm2 for the laser diode structures with the cleaved facet mirrors.The output light power over 30mW is obtained.     

紫外激光无损检测潜在指印技术研究

潜在指印的显现是物证检验技术中的关键问题之一,而紫外(UV)照相技术是显现潜在指印等隐性痕迹物证的重要技术手段。采用266 nm紫外固体激光器为激发光源,利用人体指印固有物质成分对紫外光具有特殊的吸收、反射、散射及荧光特性,减弱或消除指印背景上的图案和其他细节干扰,增加指印纹线与背景的亮度反差,显出或增强潜在指印。通过紫外反射照相及紫外固有荧光照相技术,分别实现了对彩色杂志纸张、玻璃、电话背面、木纹桌面油漆面4种非渗透性物证检材及牛皮纸信封、便签纸2种渗透性物证检材表面遗留的新鲜及陈旧潜在指印的无损检测显现,并具有鉴定价值。     

用开口波导反射法测量材料电磁特性的新技术

本文提出用开口波导反射法同时测量高损耗材料电磁参数εｒ,μｒ的新技术。用开口波导作传感器,测量样品加载时的复反射系数,并与以εｒ,εｒ为变量的理论计算值相比较,运用优化技术求得待测材料的电磁参数。