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基于漂移区表面具有单个P-top层Double RESURF nLDMOS的结构和耐压机理,提出了具有P-top层终端结构的Double RESURF nLDMOS结构,并通过利用SENTAURUS TSUPREM4和DEVICES软件进行优化设计。P-top层终端结构不仅降低了击穿电压对P-top层参数的敏感度,而且在漂移区引入一个附加的电场峰值,使漂移区电场分布进一步趋于平坦化。与传统Single RESURF和普通Double RESURF器件相对比,击穿电压可以分别提高约13.5%和4%,导通电阻却提高了11.8%和6%,但在满足击穿电压相等的条件下,该结构通过控制P-top层的位置和漂移区剂量可以使导通电阻降低约37%。 相似文献
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对半导体制造中员工人数的配置问题进行了研究,提出了操作工人数的长期决策和短期决策两种情况,并用仿真模拟的方法对操作工数量需求进行动态研究,而非传统的静态模型.本文还对目前评价操作工绩效的指标进行了阐述,提出了在制品利用率作为评价指标. 相似文献
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结合人工神经网络和电磁仿真,给出了一种用于综合交指电容及Metal-Insulator-Metal(MIM)电容结构参数的方法。基于逆向神经网络,可有效地根据给定频点上的电容值快速准确地综合出其对应的结构参数,从而避免了反复优化的过程。同时,可以由训练好的神经网络参数得到结构参数相对于等效电容的闭式计算公式。数值结果验证了方法的正确性和有效性。 相似文献
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介绍工程项目质量的含义和质量管理的概念,并针对工程项目中质量管理的现状,说明在扩声系统工程,项目的各个阶段,承包商如何进行科学而有效的质量控制。 相似文献
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光纤通信系统中,驱动放大器用于驱动电光调制器完成电光转换功能,40Gb/s光通信系统对驱动放大器的指标要求为带宽、增益和输出信号电压峰峰值。南京电子器件研究所在国内首次利用0.2μm的GaAs PHEMT工艺成功设计并完成了驱动放大器芯片, 相似文献
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X波段功率异质结双极晶体管 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论了 X波段功率异质结双极晶体管 (HBT)的设计 ,介绍了器件研制的工艺过程及测试结果。研制的器件在 X波段功率输出大于 5 W,功率密度达到 2 .5 W/mm。采用 76mm圆片工艺制作 ,芯片的 DC成品率高于 80 %。 相似文献